公开(公告)号：CN102185032B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201110092542.2

申请日：2011-04-13

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王飞 ,  金成刚 ,  吴雪梅 ,  诸葛兰剑 ,  吴明智 ,  王岩岩 ,  俞友明

IPC: H01L31/18 ,  C30B33/10

CPC classification number: H01L31/02363 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种单晶硅太阳能电池绒面的制备方法，包括如下步骤：(1)硅片的清洗；(2)将清洗好的硅片放入双频容性耦合等离子体设备中进行刻蚀，得到纳米柱状的绒面结构；(3)冷却，取出硅片；所述步骤(2)中，刻蚀气体为C2F6和Ar2的混合气体，流量分别为5~10sccm和0.4~0.5sccm；本底真空为2~3×10-3Pa；工作气压为20~30Pa；高频频率和功率为60MHz，300w，低频频率和功率为2MHz，250w，刻蚀时间为10~15min。本发明得到了呈纳米柱状结构的单晶硅太阳能电池绒面结构，该绒面结构可以将光线反射损失低于9%，具有意想不到的效果。

公开(公告)号：CN102185032A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110092542.2

申请日：2011-04-13

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王飞 ,  金成刚 ,  吴雪梅 ,  诸葛兰剑 ,  吴明智 ,  王岩岩 ,  俞友明

IPC: H01L31/18 ,  C30B33/10

CPC classification number: H01L31/02363 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种单晶硅太阳能电池绒面的制备方法，包括如下步骤：(1)硅片的清洗；(2)将清洗好的硅片放入双频容性耦合等离子体设备中进行刻蚀，得到纳米柱状的绒面结构；(3)冷却，取出硅片；所述步骤(2)中，刻蚀气体为C2F6和Ar2的混合气体，流量分别为5~10sccm和0.4~0.5sccm；本底真空为2~3×10-3Pa；工作气压为20~30Pa；高频频率和功率为60MHz，300w，低频频率和功率为2MHz，250w，刻蚀时间为10~15min。本发明得到了呈纳米柱状结构的单晶硅太阳能电池绒面结构，该绒面结构可以将光线反射损失低于9%，具有意想不到的效果。