-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103065954B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310015631.6
申请日：2013-01-16
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种HfO2薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质的制备方法，包括如下步骤：(a)清洗，在Si衬底上沉积HfO2栅介质薄膜，形成HfO2栅介质薄膜/Si衬底的结构；(b)采用多频电容耦合/电感耦合混合型等离子体放电，在室温下，使HfO2薄膜氮化为HfNO薄膜；得到HfNO薄膜/Si衬底的结构；(c)退火，形成HfO2薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底的结构，即可得到HfO2薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质。本发明采用多频电容耦合（CCP）/电感耦合（ICP）放电技术，在室温下即可实现HfO2薄膜的氮化，与现代半导体工业的兼容性更好，具有积极的现实意义。
-
公开(公告)号：CN103311104A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310233173.3
申请日：2013-06-13
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯的制备方法，包括如下步骤：(a)碳化硅基片的清洗；(b)采用感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源来刻蚀上述清洗好的碳化硅基片；(c)刻蚀完成后，冷却，取出碳化硅基片，经低温退火，得到以碳化硅为衬底的石墨烯。本发明开发了一种新的石墨烯的制备方法，利用氟等离子体去除碳化硅表面硅原子并产生易挥发反应物质的性质制备石墨烯材料，所制备的石墨烯材料无需剥离，而是以广泛应用于电子学的宽禁带半导体碳化硅为绝缘衬底，与当前的与半导体工艺完全兼容。
-
公开(公告)号：CN103311104B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310233173.3
申请日：2013-06-13
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯的制备方法，包括如下步骤：(a)碳化硅基片的清洗；(b)采用感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源来刻蚀上述清洗好的碳化硅基片；(c)刻蚀完成后，冷却，取出碳化硅基片，经低温退火，得到以碳化硅为衬底的石墨烯。本发明开发了一种新的石墨烯的制备方法，利用氟等离子体去除碳化硅表面硅原子并产生易挥发反应物质的性质制备石墨烯材料，所制备的石墨烯材料无需剥离，而是以广泛应用于电子学的宽禁带半导体碳化硅为绝缘衬底，与当前的与半导体工艺完全兼容。
-
公开(公告)号：CN102618828A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210079826.2
申请日：2012-03-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种Hf基复合高k栅介质薄膜的制备方法，包括如下步骤：(a)采用双离子束溅射沉积系统，将其本底真空调成3×10-4~5×10-4Pa，工作气压调成3.0×10-2~3.2×10-2Pa；(b)辅源干法清洗；(c)辅源对衬底表面进行钝化处理；(d)沉积薄膜；即可得到Hf基复合高k栅介质薄膜。采用本发明制得的高k栅介质薄膜的表面非常均一平整，表面均方根粗糙度RMS仅有0.16nm，结晶温度高达1100℃，具有优异的C-V饱和特性，几乎可忽略的C-V滞回现象；因而为最终制备出满足45~32nm以下技术节点CMOS应用的高k材料体系，奠定坚实的材料和技术基础。
-
公开(公告)号：CN103065954A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310015631.6
申请日：2013-01-16
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种HfO2薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质的制备方法，包括如下步骤：(a)清洗，在Si衬底上沉积HfO2栅介质薄膜，形成HfO2栅介质薄膜/Si衬底的结构；(b)采用多频电容耦合/电感耦合混合型等离子体放电，在室温下，使HfO2薄膜氮化为HfNO薄膜；得到HfNO薄膜/Si衬底的结构；(c)退火，形成HfO2薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底的结构，即可得到HfO2薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质。本发明采用多频电容耦合（CCP）/电感耦合（ICP）放电技术，在室温下即可实现HfO2薄膜的氮化，与现代半导体工业的兼容性更好，具有积极的现实意义。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.023 seconds)
