公开(公告)号：CN108085657A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711472724.6

申请日：2017-12-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 陈佳丽 ,  钱嘉伟 ,  金成刚 ,  吴雪梅 ,  诸葛兰剑

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明涉及一种基于螺旋波等离子体技术制备氮掺杂类金刚石薄膜的方法，包括以下步骤：（1）清洗Si衬底，将清洗后的Si衬底固定在沉积室内的基片台上；（2）将高纯Ar气体从放电室的左端通入到放电室内，实现螺旋波等离子体放电，形成Ar等离子体；（3）向沉积室内通入高纯CH4气体和高纯N2气体，Ar等离子体将高纯CH4气体和高纯N2气体离化，在Si衬底上形成氮掺杂类金刚石薄膜；（4）关闭射频电源和所有气源。本发明氮掺杂类金刚石薄膜沉积速度快；沉积的薄膜氮掺杂类金刚石薄膜表面平整、均匀、致密，沉积质量好；氮掺杂类金刚石薄膜的纯度高，薄膜的内应力降低，提高了薄膜与基体之间的附着力，提高了薄膜强度；设备简单，工业生产上容易实现。

公开(公告)号：CN108085657B

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201711472724.6

申请日：2017-12-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 陈佳丽 ,  钱嘉伟 ,  金成刚 ,  吴雪梅 ,  诸葛兰剑

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明涉及一种基于螺旋波等离子体技术制备氮掺杂类金刚石薄膜的方法，包括以下步骤：（1）清洗Si衬底，将清洗后的Si衬底固定在沉积室内的基片台上；（2）将高纯Ar气体从放电室的左端通入到放电室内，实现螺旋波等离子体放电，形成Ar等离子体；（3）向沉积室内通入高纯CH4气体和高纯N2气体，Ar等离子体将高纯CH4气体和高纯N2气体离化，在Si衬底上形成氮掺杂类金刚石薄膜；（4）关闭射频电源和所有气源。本发明氮掺杂类金刚石薄膜沉积速度快；沉积的薄膜氮掺杂类金刚石薄膜表面平整、均匀、致密，沉积质量好；氮掺杂类金刚石薄膜的纯度高，薄膜的内应力降低，提高了薄膜与基体之间的附着力，提高了薄膜强度；设备简单，工业生产上容易实现。

公开(公告)号：CN207531151U

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201721581568.2

申请日：2017-11-23

Applicant: 苏州大学

Inventor： 冯诚 ,  张潇漫 ,  胡一波 ,  陈佳丽 ,  钱嘉伟 ,  诸葛兰剑 ,  吴雪梅

IPC: H05H1/24 ,  D06M10/02

Abstract: 本实用新型涉及一种纺织材料处理机，包括下腔体、承载板、上腔体以及位于上腔体内的等离子体产生装置，下腔体的左右两侧分别固定有左支撑座、右支撑座，左支撑座、右支撑座上分别安装有左支撑板、右支撑板，左支撑板、右支撑板上分别设置有放卷组件、收卷组件，上腔体的左右两侧分别设置有进料口、出料口，进料口与出料口相对设置，承载板上设置有至少一个过线孔。本实用新型通过上腔体容纳等离子体产生装置，避免石英管的破碎，通过下腔体容纳高压交流电源等部件；将等离子体产生装置产生的臭氧控制在上腔体内，避免臭氧的逸散对操作人员的伤害；在处理过程中，操作人员能够通过上腔体和下腔体观察处理进程，实时掌控处理进程。