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公开(公告)号:CN101231709A
公开(公告)日:2008-07-30
申请号:CN200810000793.1
申请日:2008-01-17
Applicant: 育霈科技股份有限公司
CPC classification number: G11C5/02 , G11C5/025 , G11C5/063 , H01L23/49855 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L25/0657 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05026 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/16 , H01L2224/24227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73267 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06527 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/15153 , H01L2924/18161 , H01L2924/19105 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/013
Abstract: 本发明系提供一种记忆卡结构,包含一上表面具有晶粒容纳凹槽之基底、一通孔结构及形成于基底之布线。一第一晶粒配置于晶粒容纳凹槽。一第一介电层形成于第一晶粒与基底之上。一第一重布层(re-distribution layer,RDL)形成于第一介电层上,其中第一重布层系耦合至第一晶粒与布线。一第二介电层形成于第一重布层上。一第二晶粒配置于第二介电层之上。一第三介电层形成于第二介电层与第二晶粒上。一第二重布层形成于第三介电层上,其中第二重布层系耦合至第二晶粒与第一重布层。一第四介电层形成于第二重布层上。一第三晶粒形成于第四介电层上并耦合至第二重布层。一第五介电层形成于第三晶粒周围,并由一塑胶盖罩住第一、第二及第三晶粒。
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公开(公告)号:CN101202253A
公开(公告)日:2008-06-18
申请号:CN200710199482.8
申请日:2007-12-13
Applicant: 育霈科技股份有限公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/6835 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01059 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/351 , H01L2224/82 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种封装结构,包含基板,其具有预先形成的芯片接收凹槽和/或终端接触金属垫,形成于基板的上部表面。芯片则配置黏附于芯片接收凹槽,而介电层则形成于芯片与基板上。至少一重分布增进层(re-distribution builtup layer,简称RDL)形成于介电层上,并通过接触焊垫耦合至芯片。连接结构,诸如球底层金属(UBM)则形成于重分布增进层上,而终端导电凸块则耦合至球底层金属(UBM)。
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公开(公告)号:CN101202234A
公开(公告)日:2008-06-18
申请号:CN200710196606.7
申请日:2007-11-29
Applicant: 育霈科技股份有限公司
CPC classification number: H01L24/96 , H01L21/6835 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L2221/68318 , H01L2221/68368 , H01L2224/29014 , H01L2224/2919 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01094 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种芯片重布的工具结构及芯片重布的方法。上述工具结构包含基底、可分离黏着膜形成于基底之上,以及可图案化黏胶配置于可分离黏着膜之上,用以固定基底上核心黏胶材料所覆盖的芯片。固定基底连接核心黏胶材料与芯片,以形成面板圆片。上述方法包含网印配置于可分离黏着膜的复数图案化黏胶,及连接核心黏胶材料所覆盖的复数芯片,然后将固定基底连接至核心黏胶材料与固定基底。上述方法还包含烘烤与分离配置于基底上的黏胶与复数芯片,以及清洁面板圆片(复数芯片)表面上残留的黏胶。
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公开(公告)号:CN101197356A
公开(公告)日:2008-06-11
申请号:CN200710193365.0
申请日:2007-12-10
Applicant: 育霈科技股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L24/97 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/24226 , H01L2224/24246 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/73209 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06586 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2224/81 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种多芯片封装结构与其形成方法,使用一取放(pick andplace)机具将一第一芯片尺寸封装(CSP)置于一含有第二晶粒的基座上以获得一比原芯片尺寸封装更合适的堆迭式芯片尺寸封装(stacking package)结构。此封装结构的尺寸比传统堆迭式封装来的大,且其覆晶封装(flip chip)的终端引脚(terminal pin)可分布在LGA式封装的周边或是分布在BGA式封装的阵列上。本发明可以改变封装尺寸,提高散热性,并规避了信号干扰等问题。
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公开(公告)号:CN100377361C
公开(公告)日:2008-03-26
申请号:CN200410059293.7
申请日:2004-06-16
Applicant: 育霈科技股份有限公司
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L21/561 , H01L24/97 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L31/0203 , H01L31/02325 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/24137 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H05K1/189 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2224/82
Abstract: 本发明一种图像感应器模块与晶圆级封装的结构及其形成方法,其中该图像感应器模块包括:一绝缘基板;一晶圆级封装,上述晶圆级封装附着于上述绝缘基板之上,上述晶圆级封装具有一多数个图像感应器与一多数个金属焊接球;一镜架,上述镜架置于上述图像感应器管芯之上,上述镜架内置有一多数个镜片;以及,一软板,上述镜架置于该软板之中,并且上述软板具有多数个焊点与上述多数个金属焊接球作电性耦合以利于传输上述多数个图像感应器的功能。上述图像感应器可以与被动组件或其它具有并列结构或堆栈结构的管芯一起封装。
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公开(公告)号:CN1691343A
公开(公告)日:2005-11-02
申请号:CN200410059293.7
申请日:2004-06-16
Applicant: 育霈科技股份有限公司
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L21/561 , H01L24/97 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L31/0203 , H01L31/02325 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/24137 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H05K1/189 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2224/82
Abstract: 本发明一种图像感应器模块与晶圆级封装的结构及其形成方法,其中该图像感应器模块包括:一绝缘基板;一晶圆级封装,上述晶圆级封装附着于上述绝缘基板之上,上述晶圆级封装具有一复数个图像感应器与一复数个金属焊接球;一镜架,上述镜架置于上述图像感应器晶粒之上,上述镜架内置有一复数个镜片;以及,一软板,上述镜架置于该软板之中,并且上述软板具有复数个焊点与上述复数个金属焊接球作电性耦合以利于传输上述复数个图像感应器的功能。上述图像感应器可以与被动组件或其它具有并列结构或堆栈结构的晶粒一起封装。
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公开(公告)号:CN1624888A
公开(公告)日:2005-06-08
申请号:CN200410043270.7
申请日:2004-05-20
Applicant: 育霈科技股份有限公司
CPC classification number: H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15173 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2224/82 , H01L2924/00
Abstract: 一种扩散式晶圆型态封装的结构与其形成方法,拾取与置放标准晶粒于一新的基底上以得到一比传统的晶圆上晶粒之间的距离更适当与更宽广的距离。由扩散式型态封装使得上述封装结构具有一比上述晶粒大小还大的球阵列。此外,上述晶粒可以与被动元件或其它具有并列结构或堆叠结构的晶粒一起封装。
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公开(公告)号:CN101339928B
公开(公告)日:2011-04-06
申请号:CN200810132944.9
申请日:2008-07-02
Applicant: 育霈科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/82039 , H01L2224/83132 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2224/9202 , H01L2224/92144 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01059 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭露一种半导体晶粒封装结构之内联线结构,包含:一基板,具有预先制作之导线于其中;一晶粒,具有接触垫于主动表面;一黏合材质,将该晶粒黏合于该基板之上,其中该基板包含通孔贯穿该基板以及该黏合材质;导电材质填充于该通孔以利于连接该接触垫以及该导线。
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公开(公告)号:CN101728368A
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:CN200810173135.2
申请日:2008-10-30
Applicant: 育霈科技股份有限公司
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/32145 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有多晶粒的半导体组件封装结构及其方法。本发明的具有多晶粒的半导体组件封装结构包含基板,其具有晶粒接收通孔,导电连接通孔结构,其与基板的上表面上的第一接触垫及基板的下表面上的第二接触垫相耦合。具有第一接合垫的第一晶粒设置于上述晶粒接收通孔内。第一黏着材料形成于上述晶粒之下,而第二黏着材料填充于上述晶粒与基板的晶粒接收通孔的侧壁间的间隔内。接着,第一导线加以形成以耦合第一接合垫及第一接触垫。再者,具有第二接合垫的第二晶粒附着于上述第一晶粒上。第二导线加以形成以耦合第二接合垫及第一接触垫。复数介电层形成于上述第一及第二导线、第一及第二晶粒以及基板上。
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公开(公告)号:CN101447461A
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200810174980.1
申请日:2008-10-31
Applicant: 育霈科技股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L23/485 , H01L23/544 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/78 , H01L21/00
CPC classification number: H01L2224/73253 , H01L2924/01087
Abstract: 本发明提供具背侧保护结构的半导体组件封装结构及其方法,所述半导体组件封装结构包括晶粒,所述晶粒具有背表面及主动表面形成于所述晶粒上;黏胶层,所述黏胶层形成于晶粒的背表面上;保护基板,所述保护基板形成于黏胶层上;以及多个凸块,所述多个凸块形成于晶粒的主动表面上,以用于电连接。本发明更提供用于形成半导体组件封装的方法,其包括提供一具有背表面及主动表面的多个晶粒的晶片;于上述晶粒的背表面上形成黏胶层;于上述黏胶层上形成保护基板;于上述晶粒的主动表面上形成多个凸块;以及将多个晶粒切割成单独晶粒以将其单一化。
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