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公开(公告)号：CN101491962B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910002785.5
申请日：2009-01-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B32B37/00 , B32B43/006 , B32B2037/0092 , B32B2037/246 , B32B2309/02 , B32B2309/04 , B32B2309/105 , B32B2309/12 , B32B2311/12 , B32B2457/00 , C23C16/18 , H01L21/187 , H01L24/83 , H01L2224/83 , H01L2924/01029 , H01L2924/12044 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , Y10T156/10 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供能将2个基材之间以高尺寸精度牢固地并且在低温下高效地接合而在使用后能将这些基材之间高效剥离的接合体的形成方法以及2个基材之间以高尺寸精度牢固接合而成的可靠性高的接合体。本发明的接合体的形成方法具有：在第1基板(基材)(21)及第2基板(基材)(22)上，分别用化学气相成膜法形成包含铜和有机成分且上述铜的含有率按原子比计为80at.％以上且不足90at.％的接合膜(31)、(32)的工序；以接合膜(31)、(32)相对置的方式，在使第1基板(21)和第2基板(22)相互接触的状态下，对第1基板(21)和第2基板(22)间赋予压缩力使接合膜(31)、(32)相互结合而得到接合体的工序。
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公开(公告)号：CN101899269A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010190399.6
申请日：2010-05-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: C09J5/00 , C09J7/02 , C09J187/00
CPC classification number: C09J5/06 , B41J2/161 , B41J2/1623 , C08G59/1494 , C08G59/306 , C08G77/14 , C08G77/16 , C08G77/38 , C09J163/00
Abstract: 本发明提供一种能够以高尺寸精度牢固且在低温下高效率接合两个基材之间的接合方法及利用该接合方法接合的接合体。本发明的接合方法具有：准备第一基材(21)和第二基材(22)，通过向第一基材(21)及第二基材(22)中的至少一方供给含有环氧改性硅酮材料的液态材料(35)而形成液态被膜(30)的工序；使液态被膜(30)干燥及/或固化而在第一基材(21)及第二基材(22)中的至少一方得到接合膜(3)的工序；通过向接合膜(3)赋予能量而使接合膜(3)的表面(32)附近呈现粘接性的工序；经由呈现出该粘接性的接合膜(3)使第一基材(21)和第二基材(22)接触，得到将第一基材(21)和第二基材(22)经由接合膜(3)接合而成的接合体(1)的工序。
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公开(公告)号：CN101899267A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010190282.8
申请日：2010-05-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: C09J5/00 , C09J187/00
CPC classification number: C09J5/02 , C09J2483/00 , Y10T156/10 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供能够以高尺寸精度牢固地、且在低温下有效地将两个基材相互接合的接合方法、及通过该接合方法接合的接合体。本发明的接合方法包括：准备第一基材(21)和第二基材(22)，通过向第一基材(21)及第二基材(22)的至少一方供给含有聚酯改性硅酮材料的液态材料(35)而形成液态覆膜(30)的工序；将液态覆膜(30)干燥和/或固化，在第一基材(21)及第二基材(22)的至少一个上得到接合膜(3)的工序；通过对接合膜(3)赋予能量而使接合膜(3)的表面(32)附近显现胶粘性的工序；和通过显现该胶粘性的接合膜(3)使第一基材(21)与第二基材(22)接触，得到通过接合膜(3)使第一基材(21)与第二基材(22)接合而成的接合体(1)的工序。
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公开(公告)号：CN101898453A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010190184.4
申请日：2010-05-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B41J2/14 , C09J7/00 , C09J183/10
CPC classification number: B41J2/1612 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646
Abstract: 本发明提供尺寸精度及耐药品性优异、可以长时间实现高品质的打印的可靠性高的液滴喷头；以及具备该液滴喷头的可靠性高的液滴喷出装置。喷墨式记录头(1)具有基板(20)、具备喷嘴孔(11)的喷嘴平板(10)、和密封片(30)，基板(20)与喷嘴平板(10借助接合膜(15)接合，基板(20)与密封片(30)借助接合膜(25)接合。这些接合膜(15、25)分别是使含有聚酯改性硅酮材料的液状材料干燥和/或固化而成的。此外，当对这些接合膜(15、25)提供能量时，表面就被活化，由此在各接合膜(15、25)中显现出粘接性。利用该粘接性，将基板(20)与喷嘴平板(10)及基板(20)与密封片(30)接合。
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公开(公告)号：CN101687277A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880020779.6
申请日：2008-06-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/1634 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B81C3/001 , B81C2203/036 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种硅基材的接合方法，其中，准备包含硅的基材，对该基材的表面实施利用含氢氟酸液体进行的蚀刻，由此在基材的表面赋予Si-H键，得到第一硅基材，接着，对第一硅基材的表面照射激光，选择性地切断Si-H键而露出未结合键，然后，准备在表面露出硅的未结合键的第二硅基材，使第一硅基材的表面和第二硅基材的表面密接，从而使两者接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101687276A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880020754.6
申请日：2008-06-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: C09J5/02 , B23K26/0624 , B23K26/244 , B23K26/26 , B23K2101/42 , B23K2103/56 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1626 , B41J2/1634 , B81B2201/052 , B81C3/001 , B81C2203/036 , C09J2400/146 , H01L21/187 , H01L25/50 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2225/0651 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y10T156/10 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种硅基材的接合方法，其具备：第一工序，对包含Si-H键的第一硅基材赋予能量，选择性地切断沿应裂开的面存在的Si-H键，通过生成的氢气的膨胀压使第一硅基材裂开，从而使硅的未结合键在该裂开面露出；第二工序，使裂开的第一硅基材的裂开面与在表面露出硅的未结合键的第二硅基材的表面接触，使两者接合。
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公开(公告)号：CN101491963A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910009730.7
申请日：2009-01-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B32B37/12 , B32B37/24 , B32B2037/1223 , B32B2037/246 , B32B2309/02 , B32B2309/04 , B32B2309/105 , B32B2309/12 , B32B2457/00 , Y10T428/12882
Abstract: 本发明提供能将2个基材之间以高尺寸精度牢固地并且在低温下高效地接合的接合体形成方法以及2个基材之间以高尺寸精度牢固接合而成的可靠性高的接合体。本发明的接合体的形成方法具有：在第1基板(基材)(21)及第2基板(基材)(22)上，分别用化学气相成膜法形成主要包含铜的接合膜(31)、(32)的工序；以接合膜(31)、(32)相互对置的方式，在使第1基板(21)和第2基板(22)之间接触的状态下，对所述第1基板(21)和第2基板(22)间赋予压缩力使接合膜(31)、(32)相互结合而得到接合体的工序。
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公开(公告)号：CN101445706A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810181927.4
申请日：2008-11-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: C09J5/00 , C09J183/04 , B32B7/12
CPC classification number: C09J5/00 , C09J2205/31 , Y10T428/24851 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供以低成本利用被图案化为微细形状的接合膜接合2个基材之间的接合方法、利用该接合方法接合而成的具有接合膜的接合体。本发明的接合方法具有：准备借助接合膜(3)而彼此接合的第1基材(21)和第2基材(22)，使用液滴喷出法，向第1基材(21)及第2基材(22)的至少一个供给内含硅酮材料的液态材料，由此形成已图案化为规定形状的液态被膜的工序；干燥所述液态被膜，在第1基材(21)及第2基材(22)的至少一个上，获得所述已图案化为规定形状的接合膜(3)的工序；通过向接合膜(3)赋予能量，使接合膜(3)的表面(32)附近显现粘接性，由此获得借助该接合膜(3)接合第1基材(21)和第2基材(22)而成的接合体(1)的工序。
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公开(公告)号：CN101221906A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710180751.6
申请日：2007-10-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/324 , C30B33/02
CPC classification number: H01L21/02667 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02691 , H01L27/1285 , H01L29/66757
Abstract: 提供一种能降低对衬底的热负荷的半导体装置的制造方法。此外，提供一种能提高半导体元件的特性的半导体装置的制造方法。此外，提供一种电子仪器的制造方法。一种半导体装置的制造方法，在衬底(100)上形成硅膜后，将以氢和氧的混合气体为燃料的气体燃烧器(122)的火焰作为热源，进行硅膜的再结晶化。根据这样的火焰的处理，通过增大气体燃烧器相对于衬底的扫描速度，能降低对衬底的热负荷，此外，能使硅膜进行再结晶时的结晶粒径的偏差少的固相结晶生长，能提高半导体元件的特件。
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公开(公告)号：CN100380626C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200410039649.0
申请日：2004-03-12
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/30 , H01L21/02 , H01L21/822
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/76802 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 一种不使用真空装置形成接触孔的方法，将与多晶硅膜(14)的源极区域(16)、漏极区域(18)及栅电极(34)之上的接触孔形成区域对应的位置的抗蚀剂膜曝光，显影，形成掩模柱(40)。之后，在除去了掩模柱(40)的整个玻璃基板(10)上涂敷液体绝缘材料，形成绝缘层(42)。接着，灰化除去掩模柱(40)，形成可以贯通绝缘层(42)、栅极绝缘膜(26)的第2接触孔(44)、第1接触孔(28)。
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