公开(公告)号：CN1238769C

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN02802973.9

申请日：2002-12-06

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森义明 ,  宫川拓也 ,  佐藤充 ,  足助慎太郎 ,  高木宪一

IPC: G03F7/36 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/288 ,  H01K3/00 ,  C25D5/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L21/76838 ,  C25D5/022 ,  C25D7/12 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明的目的在于提供可以减少制造成本的掩膜形成方法。一种为了采用液状的图案材料形成所需的图案，在被处理部件的表面形成掩膜的方法，具有：在整个被处理部件表面形成掩膜材料层的第1工序、加热掩膜材料层的第2工序、通过在电解液中去除图案形成部分的掩膜材料层进行图案形成的第3工序、对掩膜材料层进行加热处理的第4工序。

公开(公告)号：CN1530699A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410039798.7

申请日：2004-03-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 足助慎太郎 ,  森义明

IPC: G02F1/13

CPC classification number: B65G49/061 ,  B65G2249/02 ,  B65G2249/04

Abstract: 本发明提供一种连续处理装置，对被处理体(14)的处理对象面(17)连续实施多种处理，包括：保持被处理体(14)并沿着输送方向(T)输送被处理体(14)的被处理体输送部(20)、排列配置在沿被处理体(14)的输送方向(T)并在大气压或大气压附近压力下对被处理体(14)依次实施分别不同的处理的多种处理单元(51、52、53、54、55、56、57)，多种处理单元的种类，可以自由进行组合的变更或者追加。这样，可以对被处理体的处理对象面连续、有效实施多种处理，变更或追加多种处理的组合，顺利进行连续处理。本发明也同时提供一种连续处理方法。

公开(公告)号：CN1445820A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03120581.X

申请日：2003-03-14

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森义明 ,  宫川拓也 ,  佐藤充 ,  足助慎太郎 ,  高木宪一

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/3127 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1292

Abstract: 本发明提供一种可削减制造成本的掩膜形成方法,是一种在被处理部件的表面形成规定图形覆膜的方法，该方法由改善图形材料溶液对被处理部件的密接性的工序(S178)；向设置在被处理部件表面的掩膜中的图形形成用凹部填充图形材料溶液的工序(S180)；通过处理图形材料溶液，改善应形成的图形覆膜膜质的工序(S186)；去除附着在掩膜上的图形材料溶液的工序(S188)；使图形材料溶液干燥的工序(S190)；和退火处理图形覆膜的工序(S196)而构成。

公开(公告)号：CN100426455C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200610084424.6

申请日：2001-12-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森义明 ,  宫川拓也 ,  高木宪一 ,  足助慎太郎 ,  佐藤充

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/7075 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/288 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76885 ,  H05K3/048

Abstract: 图案材料供给部(300)，具备有使液态图案材料(312)成为雾状微粒子进行喷雾的莲喷头(310)。在莲喷头(310)的下方，设有配置工件(20)的处理台(318)。在工件(20)的表面具有设有图案形成用开口进行了疏水处理的掩膜。工件(20)，通过处理台(318)由直流电源(328)外加电压，利用静电引力吸引液态图案材料(312)的微粒子。处理台(318)，通过旋转，使附着在掩膜表面的液态图案材料填充到设在掩膜上的图案形成用开口部，同时能由内置的加热器(326)加热固化液态图案材料。

公开(公告)号：CN1873913A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610084424.6

申请日：2001-12-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森义明 ,  宫川拓也 ,  高木宪一 ,  足助慎太郎 ,  佐藤充

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/7075 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/288 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76885 ,  H05K3/048

Abstract: 图案材料供给部(300)，具备有使液态图案材料(312)成为雾状微粒子进行喷雾的莲喷头(310)。在莲喷头(310)的下方，设有配置工件(20)的处理台(318)。在工件(20)的表面具有设有图案形成用开口进行了疏水处理的掩膜。工件(20)，通过处理台(318)由直流电源(328)外加电压，利用静电引力吸引液态图案材料(312)的微粒子。处理台(318)，通过旋转，使附着在掩膜表面的液态图案材料填充到设在掩膜上的图案形成用开口部，同时能由内置的加热器(326)加热固化液态图案材料。

公开(公告)号：CN1288723C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN01805391.2

申请日：2001-12-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森义明 ,  宫川拓也 ,  高木宪一 ,  足助慎太郎 ,  佐藤充

IPC: H01L21/306

CPC classification number: G03F7/7075 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/288 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76885 ,  H05K3/048

Abstract: 图案材料供给部(300)，具备有使液态图案材料(312)成为雾状微粒子进行喷雾的莲喷头(310)。在莲喷头(310)的下方，设有配置工件(20)的处理台(318)。在工件(20)的表面具有设有图案形成用开口进行了疏水处理的掩膜。工件(20)，通过处理台(318)由直流电源(328)外加电压，利用静电引力吸引液态图案材料(312)的微粒子。处理台(318)，通过旋转，使附着在掩膜表面的液态图案材料填充到设在掩膜上的图案形成用开口部，同时能由内置的加热器(326)加热固化液态图案材料。

公开(公告)号：CN101687277A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880020779.6

申请日：2008-06-16

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 佐藤充 ,  森义明

IPC: B23K20/00 ,  B41J2/015 ,  B81C3/00 ,  C04B37/00 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: B41J2/1634 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/036 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种硅基材的接合方法，其中，准备包含硅的基材，对该基材的表面实施利用含氢氟酸液体进行的蚀刻，由此在基材的表面赋予Si-H键，得到第一硅基材，接着，对第一硅基材的表面照射激光，选择性地切断Si-H键而露出未结合键，然后，准备在表面露出硅的未结合键的第二硅基材，使第一硅基材的表面和第二硅基材的表面密接，从而使两者接合。

公开(公告)号：CN101687276A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880020754.6

申请日：2008-06-16

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 佐藤充 ,  森义明

IPC: B23K20/00 ,  B81C3/00 ,  C04B37/00 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: C09J5/02 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/244 ,  B23K26/26 ,  B23K2101/42 ,  B23K2103/56 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1634 ,  B81B2201/052 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/036 ,  C09J2400/146 ,  H01L21/187 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种硅基材的接合方法，其具备：第一工序，对包含Si-H键的第一硅基材赋予能量，选择性地切断沿应裂开的面存在的Si-H键，通过生成的氢气的膨胀压使第一硅基材裂开，从而使硅的未结合键在该裂开面露出；第二工序，使裂开的第一硅基材的裂开面与在表面露出硅的未结合键的第二硅基材的表面接触，使两者接合。

公开(公告)号：CN101445706A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810181927.4

申请日：2008-11-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 山本隆智 ,  佐藤充 ,  足助慎太郎 ,  森义明 ,  五味一博

IPC: C09J5/00 ,  C09J183/04 ,  B32B7/12

CPC classification number: C09J5/00 ,  C09J2205/31 ,  Y10T428/24851 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供以低成本利用被图案化为微细形状的接合膜接合2个基材之间的接合方法、利用该接合方法接合而成的具有接合膜的接合体。本发明的接合方法具有：准备借助接合膜(3)而彼此接合的第1基材(21)和第2基材(22)，使用液滴喷出法，向第1基材(21)及第2基材(22)的至少一个供给内含硅酮材料的液态材料，由此形成已图案化为规定形状的液态被膜的工序；干燥所述液态被膜，在第1基材(21)及第2基材(22)的至少一个上，获得所述已图案化为规定形状的接合膜(3)的工序；通过向接合膜(3)赋予能量，使接合膜(3)的表面(32)附近显现粘接性，由此获得借助该接合膜(3)接合第1基材(21)和第2基材(22)而成的接合体(1)的工序。

公开(公告)号：CN1288720C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN03120581.X

申请日：2003-03-14

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森义明 ,  宫川拓也 ,  佐藤充 ,  足助慎太郎 ,  高木宪一

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/3127 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1292

Abstract: 本发明提供一种可削减制造成本的掩膜形成方法。是一种在被处理部件的表面形成规定图形覆膜的方法，该方法由改善图形材料溶液对被处理部件的密接性的工序(S178)；向设置在被处理部件表面的掩膜中的用于形成布线图形的凹部填充图形材料溶液的工序(S180)；通过处理图形材料溶液，改善应形成的图形覆膜膜质的工序(S186)；去除附着在掩膜上的图形材料溶液的工序(S188)；使图形材料溶液干燥的工序(S190)；和退火处理图形覆膜的工序(S196)而构成。