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公开(公告)号：CN108933178B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810734872.9
申请日：2018-07-06
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/263
Abstract: 本发明涉及一种包括重掺硅/二氧化硅衬底，氧化物线状介质、源电极和漏电极；所述重掺硅/二氧化硅衬底，重掺硅作为栅极；所述氧化物线状介质设置于重掺硅/二氧化硅衬底上方，作为导电沟道；所述源电极和漏电极分别设置于氧化物线状介质的两端，并与重掺硅/二氧化硅衬底形成电接触。本发明经等离子处理后增强了其电阻调节线性度，减少了转变过程的权重遗失，使得该器件更有利于作为电子突触使用。
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公开(公告)号：CN110164999A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910486444.3
申请日：2019-06-05
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种调控硒化铋薄膜中圆偏振光致电流的方法，具体通过改变激发光的波长从近红外到远红外波段，实现对硒化铋薄膜中圆偏振光致电流的调控。这是因为在硒化铋薄膜，同时存在表面态和二维电子气，它们产生的圆偏振光电流的方向是相反的。当激发光为近红外波段的光时，表面态和二维电子气都会对圆偏振光致电流产生贡献，而且它们的方向相反，会互相抵消。当激发光为远红外波段的光，且该激发光的能量小于薄膜中Rashba自旋分裂能时，这时的圆偏振光致电流主要来自表面态，二维电子气态的贡献很小。从而，相比于近红外光激发的情况，此时的圆偏振光致电流有显著提升。本发明调控效果显著，简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
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公开(公告)号：CN107819067B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201710888588.2
申请日：2017-09-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种区分Bi2Se3表面态与体态光致逆自旋霍尔电流的方法。该方法在钛酸锶衬底的（111）晶面上生长拓扑绝缘体Bi2Se3；而后用高斯分布的圆偏振激光在垂直入射的情况下激发拓扑绝缘体Bi2Se3的体态和表面态的光致逆自旋霍尔效应电流，测得当光斑位置在两电极连线的垂直平分线上移动时的光致逆自旋霍尔效应电流；最后，通过建立区分拓扑绝缘体Bi2Se3表面态与体态光致逆自旋霍尔电流的定量拟合模型，并进行模型拟合，得到体态和表面态的光致逆自旋霍尔电流。本发明方法，十分简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用；且所得结果准确。
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公开(公告)号：CN109672406A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811591020.5
申请日：2018-12-20
Applicant: 福州大学
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明涉及一种基于稀疏表示和SVM的光伏发电阵列故障诊断与分类的方法，首先采集光伏阵列不同工作状态下多组温照度的电流样本信号；接着对每个电流样本信号进行归一化处理，构造训练样本矩阵；然后实验探索K-SVD算法学习过完备字典的参数设置，并分别学习正常字典、单组串1个组件短路字典及单组串一个组件开路字典和单组串2个组件短路字典；接着调用OMP算法，用学习的四种字典重构每一类的电流信号，并计算出原电流信号和重构信号的均方根误差，并可以得到多个特征向量；最后设置SVM的参数，由特征向量训练故障分类器以实现光伏阵列的故障诊断和分类。本发明不需要其他的数据特征，且能在不影响光伏发电系统工作的情况下进行故障检测与分类。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105355781B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201510665228.7
申请日：2015-10-16
Applicant: 福州大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器，包括衬底、第一端电极、第二端电极以及双层阻变介质；所述第一端电极设置于所述衬底上，并与衬底形成良好电接触，所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的上方，所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的上方；所述双层阻变介质包括氧化层1和氧化层2组成的叠层结构，其中氧化层1设置于第二端电极侧，所述氧化层2设置于第一端电极侧，所述氧化层2经等离子处理。本发明制备过程中，采用等离子处理的手段调节电子输运中需要克服的能量，从而获得功耗可调的效果。
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公开(公告)号：CN106708146B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710017005.9
申请日：2017-01-11
Applicant: 福州大学
IPC: G05F1/46
Abstract: 本发明涉及一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流的方法。该方法通过改变样品温度有效调控GaAs/AlGaA二维电子气中线偏振光致电流：首先，用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs二维电子气样品，并在样品对角上沉积铟电极；其次，调整光路，使入射激光波长为1064nm；最后，将样品置于杜瓦瓶中，使样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的线偏振光致电流。本发明方法调控效果显著，且实施简便。
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公开(公告)号：CN105957926B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610571895.3
申请日：2016-07-20
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/072 , C23C14/06 , C23C14/24
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，并在铜锌锡硫薄膜上面用真空热蒸发法在不同的基片温度下生长了硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，达到调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶，从而达到优化铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的目的。此外，本发明所用的方法简单，可操作性强，调节效果显著，容易实现，可用于铜锌锡硫薄膜太阳能电池缓冲层的制备。
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公开(公告)号：CN106098935A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610522488.3
申请日：2016-07-06
Applicant: 福州大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/1625
Abstract: 本发明涉及一种低功耗氧化物线状忆阻器及实现其电子突触功能的方法，该氧化物线状忆阻器包括：衬底；第一端电极，设置于衬底上，并与衬底形成良好电接触；氧化物线状介质，设置于第一端电极旁侧；第二端电极，对应设置于氧化物线状介质旁侧，该氧化物线状忆阻器在低功耗下具有良好的阻变性能且通过特定的激发方式可以在低功耗下实现电子突触功能。
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公开(公告)号：CN106024963A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610571961.7
申请日：2016-07-20
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种提高铜锌锡硫/硫化铟太阳能电池效率的方法，用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，随后对负载有铜锌锡硫薄膜的钼基片进行加热处理，待基片升高到150℃时，采用真空热蒸发法在铜锌锡硫薄膜上面生长硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，大大提高了铜锌锡硫/硫化铟太阳能电池的效率。此外，本发明可操作性强，容易实现，能用于薄膜太阳能电池的制备，对太阳能电池效率的提高有着重要贡献。
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