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公开(公告)号：CN115637350B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111268406.4
申请日：2021-10-29
Applicant: 同和金属技术有限公司
Abstract: 本发明涉及Cu‑Ti系铜合金板材、其制造方法和通电部件。提供拉深加工性良好、更优选地将弯曲加工性也维持得高的高强度的Cu‑Ti系铜合金板材。铜合金板材，其具有如下组成：以质量％计，为Ti：1.0～5.0％，含有适量的Ag、Al、B、Be、Co、Cr、Fe、Mg、Mn、Ni、P、S、Si、Sn、V、Zn、Zr的1种以上，采用与板面平行的观察面的采用EBSD(电子束背散射衍射法)测定的与S方位{231}＜3‑46＞的方位差10°以内的区域的面积AS、与R方位{132}＜4‑21＞的方位差10°以内的区域的面积AR、与P方位{011}＜1‑11＞的方位差10°以内的区域的面积AP、与立方体方位{001}＜100＞的方位差为10°以内的区域的面积AC，由下式A＝(AS+AR)/(AP+AC)规定的A值为0.5～20。
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公开(公告)号：CN106624682B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201610940684.2
申请日：2016-11-01
Applicant: 同和金属技术有限公司
Abstract: 一种用于制造散热板20的方法，该方法包括以下工序：对退火材料进行精冷轧以获得带材；将带材卷绕为线圈形状以制备线圈原料；通过使用开卷机10将线圈原料解绕，得到带材12；使带材12通过矫平机14的辊之间的间隙，以校正其形状；通过进料器16将校正后的带材12逐渐给至渐进模18，对带材12逐步冲压，以制造散热板20；进行精冷轧使得精冷轧后的维氏硬度HV和精冷轧前的维氏硬度HV之比不低于1.2；校正后的带材12由于其自重在矫平机14和进料器16之间弯曲，假设L0是矫平机14的最后一个送出侧的辊与进料器16的第一个入口侧的辊之间的距离，且L1是矫平机14的最后一个送出侧的辊和进料器16的第一入口侧的辊之间的带材12的长度，则偏转(L1‑L0)的最小值为0.5至2.0m。
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公开(公告)号：CN104073678B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410112132.3
申请日：2014-03-25
Applicant: 同和金属技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种Cu‑Ti系铜合金板材，其良好地维持强度、弯曲加工性、抗应力松弛性，同时改善耐疲劳性。其按质量％计，包括Ti:2.0～5.0%、Ni:0～1.5%、Co:0‑1.0%、Fe:0～0.5%、Sn:0～1.2%、Zn:0～2.0%、Mg:0～1.0%、Zr:0～1.0%、Al:0～1.0%、Si:0～1.0%、P:0～0.1%、B:0～0.05%、Cr:0～1.0%、Mn:0～1.0%、V:0～1.0%，剩余部分基本上为Cu，且具有如下的金属组织：在垂直于板厚方向的截面中，晶界反应型析出物的最大宽度为500nm以下，直径100nm以上的粒状析出物的密度为105个/mm2以下。
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公开(公告)号：CN103917697B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201280048163.6
申请日：2012-09-20
Applicant: 同和金属技术有限公司
CPC classification number: H01B5/14 , C22C5/06 , C23C28/02 , C23C28/021 , C23C28/023 , C23C30/00 , C23C30/005 , C25D3/46 , C25D5/34 , C25D7/00 , H01B1/02 , H01B13/00 , H01H1/023 , H01H11/041 , H01R13/03 , H01R43/16 , Y10T428/12882
Abstract: 提供弯曲加工性良好且高温环境下使用也能够抑制接触电阻的上升的镀银材料及其制造方法。在铜或铜合金制原材料的表面或形成于原材料上的由铜或铜合金构成的衬底层的表面形成由银构成的表层的镀银材料中，{200}面的X射线衍射强度相对于表层的{111}面、{200}面、{220}面与{311}面的X射线衍射强度之和的比例为40%以上。
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公开(公告)号：CN101871059B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201010169903.4
申请日：2010-04-27
Applicant: 同和金属技术有限公司
Abstract: 提供一种铜合金板，其化学组成为包含0.7-4.0重量％的Ni、0.2-1.5重量％的Si、余量的铜和不可避免的杂质，该铜合金板具有满足I{200}/I0{200}≥1.0的晶体取向，假设铜合金板表面上在{200}晶面的X射线衍射强度为I{200}，纯铜标准粉末的{200}晶面上的X射线衍射强度为I0{200}，该铜合金板还具有满足I{200}/I{422}≥15的晶体取向，假设铜合金板表面上在{422}晶面上的X射线衍射强度为I{422}。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101871059A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010169903.4
申请日：2010-04-27
Applicant: 同和金属技术有限公司
Abstract: 提供一种铜合金板，其化学组成为包含0.7-4.0重量％的Ni、0.2-1.5重量％的Si、余量的铜和不可避免的杂质，该铜合金板具有满足I{200}/I0{200}≥1.0的晶体取向，假设铜合金板表面上在{200}晶面的X射线衍射强度为I{200}，纯铜标准粉末的{200}晶面上的X射线衍射强度为I0{200}，该铜合金板还具有满足I{200}/I{422}≥15的晶体取向，假设铜合金板表面上在{422}晶面上的X射线衍射强度为I{422}。
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公开(公告)号：CN100528550C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610114926.9
申请日：2001-12-21
Applicant: 同和金属技术有限公司
Abstract: 提供一种具有优良的耐热性，成形加工性，焊锡焊接性能的材料表面的保护膜和该保护膜的制造方法，以及带有这种保护膜的电气电子元件。在铜合金等材料的表面上形成从材料表面依次为Ni或Ni合金层、Cu层、Sn或Sn含金层构成的保护层。在形成保护层后进行300～900℃，1～300秒的重熔处理，从而形成以下构造的耐热性保护膜，其构造为最外层的层厚X为0.05～2μm的Sn层或Sn合金层，其内层的层厚Y为0.05～2μm的以Cu-Sn为主体的金属间化合物层，最内层的层厚Z为0.01～1μm的Ni或Ni合金层(X，Y，Z满足以下条件：0.2X≤Y≤5X，并且0.05Y≤Z≤3Y)。
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公开(公告)号：CN101245422A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200710136801.0
申请日：2007-07-17
Applicant: 同和金属技术有限公司
CPC classification number: C22C9/06 , C22F1/08 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种铜合金板材，其含有0.7～4.2重量％的Ni和0.2～1.0重量％的Si，可选地含有1.2重量％以下的Sn，2.0重量％以下的Zn，1.0重量％以下的Mg，2.0重量％以下的Co中的一种或多种，还进一步含有选自Cr，B，P，Zr，Ti，Mn和V中的一种或多种，而且其总量为3重量％以下，其余基本上为Cu。该铜合金板材具有满足下面式(1)的晶粒取向关系I{420}/I0{420}＞1.0......(1)其中I{420}是该铜合金板材表面的{420}结晶面的X射线衍射强度；I0{420}是纯铜粉的{420}结晶面的X射线衍射强度。该铜合金板材具有高度改善的强度、压槽弯曲加工性和耐应力松弛性。
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公开(公告)号：CN114929911B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202080092796.1
申请日：2020-12-23
Applicant: 同和金属技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种铜合金板材，其具有在间距非常窄的蚀刻中也获得高尺寸精度方面有利的蚀刻特性，具有如下的化学组成：以质量％计，Ni：1.00～4.50％、Si：0.10～1.40％，根据需要含有适量的Co、Mg、Cr、P、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn、Ag中的1种以上，在对于与轧制方向垂直的截面的EBSD测定中，将满足与S1方位{241}＜112＞的晶体方位差为10°以内、与S2方位{231}＜124＞的晶体方位差为10°以内的至少一个条件的区域的面积设为SS，将与Brass方位{011}＜211＞的晶体方位差为10°以内的区域的面积设为SB时，面积比SB/SS为0.40以上。
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公开(公告)号：CN114929911A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080092796.1
申请日：2020-12-23
Applicant: 同和金属技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种铜合金板材，其具有在间距非常窄的蚀刻中也获得高尺寸精度方面有利的蚀刻特性，具有如下的化学组成：以质量％计，Ni：1.00～4.50％、Si：0.10～1.40％，根据需要含有适量的Co、Mg、Cr、P、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn、Ag中的1种以上，在对于与轧制方向垂直的截面的EBSD测定中，将满足与S1方位{241}＜112＞的晶体方位差为10°以内、与S2方位{231}＜124＞的晶体方位差为10°以内的至少一个条件的区域的面积设为SS，将与Brass方位{011}＜211＞的晶体方位差为10°以内的区域的面积设为SB时，面积比SB/SS为0.40以上。
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