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公开(公告)号：CN105336738B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510937715.4
申请日：2015-12-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/082
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种SA‑LIGBT。本发明的主要方案为，本发明中的N型阱区内部有沿器件横向方向平行的P+阳极区和N+阳极区，且P+阳极区和N+阳极区沿器件纵向方向为分段式结构；同时，P+阳极区和N+阳极区下方接触有P型埋层，因此所形成的阳极具有两个电子阻挡层即P型埋层和P+阳极区。在器件正向导通初期处于单极模式时，两个电子阻挡层可以阻碍从阴极发射过来的电子被N+阳极区收集，从而增大单极模式下P+阳极区和P型第一埋层与N型阱区或者N型高阻区构成的PN结的正向压降，使器件在较小的单极电流下就能进入双极模式，从而抑制snapback现象的出现。本发明的有益效果为，能有效抑制snapback现象，同时还能够提升器件的关态特性。
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公开(公告)号：CN107240603A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710421002.1
申请日：2017-06-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/0615 , H01L29/7394
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种薄SOI短路阳极LIGBT。本发明相比于传统的SOI基LIGBT，在纵向上引入与P+阳极区并列的N+阳极区，在位于P+阳极区(9)和N+阳极区(10)靠近阴极结构的一侧，又引入间断分布的N型岛。新器件在阻断状态下，N型岛不完全耗尽，可有效截止耗尽区进一步扩展，防止其穿通击穿。在开启起始阶段，电子电流流经N型岛，以及相邻N型岛之间的高阻漂移区。间断N型岛相比于传统的连续N缓冲层可增大阳极端一侧的分布电阻，使器件在较小电流下进入双极模式。本发明的有益效果为，相对于传统LIGBT，本发明具有高速度、低关断损耗的优良性能；相比于传统短路阳极LIGBT，本发明亦可在小元胞尺寸下消除snapback效应。
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公开(公告)号：CN106783989A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710027574.1
申请日：2017-01-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/41708
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有阳极短路槽的RB‑IGBT。本发明相对于传统结构，主要提出了在集电极增加阳极短路槽，短路槽在正向耐压时起到电场截止的作用，使得电场近似矩形分布。传统NPT结构的纵向电场近似为三角形分布，所以在耐压相同的情况下，新器件所需厚度更薄，导通压降更低。同时，阳极短路槽在关断时产生电子积累层，提供电子低阻通道，加速电子抽取，降低关断损耗。新器件在反向耐压状态下，由于不存在高浓度的N型场截止层，保证了与正向耐压对称的反向耐压值。本发明的有益效果为，能够双向耐压，相对于传统结构，本发明具有开关速度更快和关断功耗更低的优点。
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公开(公告)号：CN104253050B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201410143064.7
申请日：2014-04-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种槽型横向MOSFET器件的制造方法，属于功率半导体器件制造技术领域。本发明通过刻蚀深槽、热生长形成绝缘介质层、淀积半导体层、平坦化半导体层、倾斜离子注入、高温推结、淀积绝缘介质以及平坦化绝缘介质，最后形成有源区和电极等关键工艺步骤，实现了一种槽型横向半导体器件的工艺制造。本发明的工艺有以下优点：第一，本发明可以在槽两侧壁形成两种不同掺杂类型、窄且高浓度的延伸至介质槽底部的P柱区或者N柱区，有利于提高器件的耐压，降低导通电阻和缩小器件横向尺寸；第二，不需要复杂的掩膜，降低了工艺成本；第三，避免介质槽填充及平坦化对体区、体接触区、以及源区和漏区产生的影响。
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公开(公告)号：CN102738240B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210179867.9
申请日：2012-06-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 一种双栅功率MOSFET器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在普通双栅LDMOS器件的基础上，通过将与漏极金属相连的漏极接触区向有源层下方延伸，形成纵向漏极接触区（12a），并在有源层和衬底之间引入一层与纵向漏极接触区（12a）下端相连的重掺杂埋层—即横向漏极接触区（12b），缩短了电流导通路径，同时采用双栅结构形成双电流通道，提高电流流通面积，大大降低导通电阻和功耗；对于相同的器件横向尺寸，器件耐压仅略微下降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102832237B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210226454.1
申请日：2012-07-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种槽型半导体功率器件，涉及槽型半导体功率器件技术领域，包括衬底层和有源层，所述有源层中形成有槽栅，槽栅纵向至少伸入到有源层中；在体接触区和漏区之间形成有阶梯型的介质槽，阶梯型的介质槽宽度较大的那一端更接近衬底层，介质槽分别与漏区和体接触区接触；介质槽中介质的介电系数小于有源层材料的介电系数；本发明具有以下优点：第一、器件耐压大大提高；第二、槽栅增大了器件有效拓展纵向导电区域和介质槽辅助耗尽漂移区，使得比导通电阻降低，进而降低功耗，同时栅槽也作为介质隔离槽，节省了隔离槽的面积；第三、介质槽折叠了漂移区以及在介质槽界面处的电荷积累区也是漏区或体接触区，大大缩小了器件尺寸。
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公开(公告)号：CN103268890A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310202668.X
申请日：2013-05-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有结型场板的功率LDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规LDMOS器件的衬底中形成与衬底掺杂类型相反的埋层，在器件漂移区表面形成由PN结构成的结型场板。本发明利用结型场板中PN结电场分布调制器件表面电场，使器件表面电场分布更加均匀，能有效避免金属场板末端电场尖峰的不足，提高器件的击穿特性；反向阻断状态下，结型场板对漂移区有辅助耗尽作用，能大幅提高漂移区掺杂水平，降低器件导通电阻；同时，结型场板中PN结反向偏置时反向电流小，有利降低场板中的泄漏电流，衬底中的埋层能有效提高器件耐压特性。本发明的器件具有高压、低功耗、低成本与易集成的特点，适用于功率集成电路与射频功率集成电路。
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公开(公告)号：CN102969355A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210441287.2
申请日：2012-11-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种SOI基PMOSFET功率器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提供的SOI基PMOSFET功率器件采用N型SOI基，便于和N沟道功率器件相集成；同时，其漂移区是在SOI基的N型SOI半导体层表面注入P型阱区所形成，在反向阻断状态下，接高电位的N型SOI半导体层对P型漂移区二维耗尽而产生RESURF效应，这有效地提高了器件的击穿电压和漂移区浓度，且大大降低了导通电阻；再有，该SOI基PMOSFET功率器件利用介质槽来承担横向压降，使得在很小的器件横向尺寸下就能获得高的击穿电压，从而能够有效地缩小器件的横向尺寸。
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公开(公告)号：CN102945799A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210306150.6
申请日：2012-08-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有具有槽栅超结的半导体功率器件的制造工艺难度较大的问题，提供了一种纵向功率半导体器件的制造方法，其技术方案可概括为：首先外延形成第一半导体区，在其顶部生长氧化层及淀积掩蔽层，并进行光刻，刻蚀形成第一沟槽，再在第一沟槽两侧壁形成氧化层，并湿法刻蚀去除该氧化层，再在其内壁形成氧化层，并在第一沟槽两侧壁形成第二半导体区，之后去除该氧化层，然后再次形成氧化层，填充绝缘介质并进行平坦化，再形成体区，在体区上刻蚀形成第二沟槽，并制作槽栅，最后形成源区和体接触区，并进行各电极制备以及表面钝化工艺。本发明的有益效果是，工艺难度较低，适用于MOS控制的纵向器件。
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公开(公告)号：CN108810895A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810765096.9
申请日：2018-07-12
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H04W12/06 , H04L9/3236 , H04L9/3239 , H04L9/3247 , H04L9/3249 , H04L9/3263 , H04L63/0442 , H04L63/0823 , H04W12/02
Abstract: 本发明提出一种基于区块链的无线Mesh网络身份认证方法,包括：用户向可信第三方认证中心注册并获得数字证书；注册用户作为用户节点加入无线Mesh网络中，并选举出一定数量的分布式验证节点，将数字证书广播至验证节点，并保存在验证节点的区块链上；各验证节点将自身区块链上保存的信息广播至所有用户节点；用户节点之间通过公钥体系加密并传输信息；完成交易后，用户节点向分布式验证节点广播交易数据的HASH值；各分布式验证节点对HASH值加上时间戳，得到交易信息，并将该交易信息保存在各分布式验证节点的区块链上。本发明通过将数字证书及交易信息存储在区块链上，从而有效解决了信息泄露，网络诈骗，保证了数据安全。
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