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公开(公告)号：CN103928500A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410175859.6
申请日：2014-04-28
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L29/063
Abstract: 本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种横向高压功率半导体器件的结终端结构。本发明通过缩小器件在曲率结终端处P型衬底和N型漂移区的总面积，从而防止器件在P型衬底区发生提前耗尽，保证器件在曲率结终端处的耐压。本发明的有益效果为，能够明显的降低曲率结终端对整个器件耐压的影响，使器件在过渡区的电场不会过大，并且通过改变漂移区或者P型衬底的面积使得器件的耐压达到最优化，保证器件的耐压。本发明尤其适用于横向高压功率半导体器件的结终端结构。
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公开(公告)号：CN102419430B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110235023.7
申请日：2011-08-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于无线电监测技术领域，本发明提供的是一种基于平行基线的相位干涉仪实现宽频段二维测向的方法。它是利用均匀圆阵中两组平行基线相位差的模糊数之间的线性关系，计算出两组平行基线的相位差的可能的模糊数组合，从而估计出可能的入射信号的方向余弦，然后计算与之对应的所有最长基线的相位差，与均匀圆阵的所有最长基线的实测相位差向量做相关，找出相关系数最大时所对应的相位差向量作为理论相位差向量的估计，通过解所有最长基线的相位模糊得到所有最长基线的无模糊相位差向量。本发明的方法可以克服其他解模糊方法的不足，使方向余弦的估计逼近克拉美罗下限，从而使入射信号方向估计达到很高的测向精度，另外，本发明的计算量较小。
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公开(公告)号：CN103022004A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210432010.3
申请日：2012-11-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/528
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种高压集成电路的互连结构，属于半导体功率器件技术领域。本发明在具有横向高压功率器件的高压集成电路中，采用多条窄线宽的金属连线连接横向高压功率器件的漏极（或阳极）和高压电路，多条窄线宽的金属连线共同分担横向高压功率器件所承载的电流大小，各条窄线宽的金属连线之间具有相应的间距。本发明可以大大减小高压互连线场致电荷的产生，有效屏蔽互连线电位对器件表面电场的影响，增强了器件在具有高压互连线时的耐压，提高了器件的性能。本发明可用于具有单RESURF、双RESURF结构的LDMOS、LIGBT或3D RESURF LDMOS等功率器件的高压集成电路中。
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公开(公告)号：CN102419432A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110246390.7
申请日：2011-08-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01S3/46
Abstract: 本发明属于通信雷达技术领域，特别涉及无线电监测中的宽频段相位干涉仪二维测向方法。本发明提出了一种基于虚拟基线解模糊的最小二乘相位干涉仪二维测向的方法。该方法首先对在短基线上实测得到的、存在相位模糊的相位差向量进行一次或多次虚拟基线变换，进而获得无模糊的对应于短基线的虚拟相位差向量，然后根据该虚拟相位差向量依次对存在模糊的虚拟相位差向量、相邻基线相位差向量和最长基线相位差向量解模糊，最后根据无模糊的最长基线相位差矢量，采用最小二乘方法估计入射方向。应用本发明的基于虚拟基线变换的解模糊算法，能在存在测角模糊的情形下获得高精度且无模糊的二维测向结果，是一种高效的二维测角算法。
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公开(公告)号：CN107067374B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201611204577.X
申请日：2016-12-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于两级插值的矩阵补全二维图像处理方法，主要用于对像素有缺失的图像进行补全，其实现步骤是：(1)读入二维图像矩阵；(2)获得参考图像矩阵；(3)获得下采样图像矩阵；(4)第一级插值；(5)对第一级插值后的下采样图像矩阵进行预滤波；(6)第二级插值。本发明既提高了矩阵补全的精确度，又可以广泛应用于像素有缺失的图像矩阵，本发明可用于对像素有缺失的图像进行补全。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104241276B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410450091.9
申请日：2014-09-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供了一种堆叠STSCR‑LDMOS的高压ESD保护电路，属于电子技术领域。包括1个NLDMOS、1个电阻228和N个STSCR‑LDMOS堆叠单元，所述STSCR‑LDMOS堆叠单元包括一个STSCR‑LDMOS器件和一个触发电阻，其中N≥2，衬底上还有(N+2)个P型重掺杂区作为保护环接地。该电路通过LDMOS的击穿触发堆叠STSCR‑LDMOS，在不提高触发电压的同时，采用堆叠的STSCR提高了维持电压。
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公开(公告)号：CN103928500B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410175859.6
申请日：2014-04-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种横向高压功率半导体器件的结终端结构。本发明通过缩小器件在曲率结终端处P型衬底和N型漂移区的总面积，从而防止器件在P型衬底区发生提前耗尽，保证器件在曲率结终端处的耐压。本发明的有益效果为，能够明显的降低曲率结终端对整个器件耐压的影响，使器件在过渡区的电场不会过大，并且通过改变漂移区或者P型衬底的面积使得器件的耐压达到最优化，保证器件的耐压。本发明尤其适用于横向高压功率半导体器件的结终端结构。
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公开(公告)号：CN103022134B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210518182.2
申请日：2012-12-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种超低比导通电阻的SOI横向高压功率器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构，终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围；器件制作于SOI材料的SOI层上。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低了比导通电阻，并减小了版图面积；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过漏极引出结构将漏电极横向引出，使漏极、栅极和源极都在表面，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本；另外，采用较薄的埋氧层可增加器件纵向电场，同时可有效减缓器件自热效应。
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公开(公告)号：CN103531586A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310526025.0
申请日：2013-10-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/36 , H01L21/782
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种功率半导体器件及其制造方法。本发明的一种功率半导体器件，其特征在于将第一类高压nLDMOS器件1、第二类高压nLDMOS器件2、第三类高压nLDMOS器件3、第四类高压nLDMOS器件4、第五类高压nLDMOS器件5、第六类高压nLDMOS器件6、低压NMOS器件7、低压PMOS器件8和低压NPN器件9集成于同一芯片上。本发明的有益效果为，衬底10上实现nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN的单片集成，为高压器件提供了低阻的导电通道，提高器件的电导率，大大降低了高压器件的比导通电阻，从而降低芯片的制造成本。本发明尤其适用于功率半导体器件及其制造。
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公开(公告)号：CN102419432B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110246390.7
申请日：2011-08-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01S3/46
Abstract: 本发明属于通信雷达技术领域，特别涉及无线电监测中的宽频段相位干涉仪二维测向方法。本发明提出了一种基于虚拟基线解模糊的最小二乘相位干涉仪二维测向的方法。该方法首先对在短基线上实测得到的、存在相位模糊的相位差向量进行一次或多次虚拟基线变换，进而获得无模糊的对应于短基线的虚拟相位差向量，然后根据该虚拟相位差向量依次对存在模糊的虚拟相位差向量、相邻基线相位差向量和最长基线相位差向量解模糊，最后根据无模糊的最长基线相位差矢量，采用最小二乘方法估计入射方向。应用本发明的基于虚拟基线变换的解模糊算法，能在存在测角模糊的情形下获得高精度且无模糊的二维测向结果，是一种高效的二维测角算法。
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