公开(公告)号：CN113053750B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN201911375713.5

申请日：2019-12-27

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  赵家宽 ,  葛孝昊

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域，所述方法包括：在衬底上依次形成叠置的多个外延层，每个外延层和所述衬底具有第一导电类型，每个外延层包括掺杂区，相邻的外延层中的所述掺杂区彼此邻接，其中：形成每个外延层包括：对外延层进行掺杂以形成初始掺杂区，所述初始掺杂区具有与第一导电类型不同的第二导电类型；执行退火，以使得所述初始掺杂区变为中间掺杂区；对所述中间掺杂区的边缘部分进行刻蚀，以形成贯穿所述中间掺杂区的沟槽，所述中间掺杂区的剩余部分作为所述掺杂区；和在所述沟槽中形成填充材料。

公开(公告)号：CN114256066A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202011005223.9

申请日：2020-09-22

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  史波 ,  马颖江 ,  曾丹 ,  林志龙

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/324 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请公开了一种少子寿命控制方法，应用于第一硅晶片，第一硅晶片属于RC‑IGBT，方法包括：向第一硅晶片注入第一离子，得到P型半导体；在P型半导体上淀积阻隔层；从阻隔层上刻蚀出第一区域，并将第一区域作为续流二极管区域，第一区域不具有阻隔层；向第一区域注入第二离子，以在第一区域上形成N型半导体；对形成N型半导体的第一区域进行重金属溅射；采用第一热处理方式，对包含经过重金属溅射的第一区域的所述第一硅晶片进行热处理，以使重金属在第一硅晶片中形成复合中心。由于复合中心可以改变第一硅晶片中少子的复合方式，将少子的复合方式由直接复合变为间接复合，因此，可以有效地减少少子的复合时间从而降低续流二极管的反向恢复时间。

公开(公告)号：CN113394278A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202010167943.9

申请日：2020-03-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  史波 ,  曾丹 ,  赵浩宇 ,  温珂 ,  葛孝昊 ,  赵家宽

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本公开提供一种逆导型IGBT及其制备方法。该逆导型IGBT包括第一导电类型衬底；位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层；其中,所述漂移层包括元胞区和位于所述元胞区周围的终端区，所述终端区包括设置于所述漂移层表面内的第一导电类型截止环区和位于所述元胞区与所述截止环区之间的第二导电类型JTE区；位于所述衬底下方的第二导电类型集电区和与所述集电区相邻接的第一导电类型短路区；其中，所述短路区与所述JTE区对齐，以使所述JTE区、所述漂移层、所述衬底和所述短路区构成快速恢复二极管。该结构使得元胞区的背面即元胞区对应的衬底下方全是集电极区，有效的抑制了逆导型IGBT的回跳现象，而且可另外采用局域寿命控制的方法进行二极管参数的优化。

公开(公告)号：CN113053750A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201911375713.5

申请日：2019-12-27

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  赵家宽 ,  葛孝昊

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域，所述方法包括：在衬底上依次形成叠置的多个外延层，每个外延层和所述衬底具有第一导电类型，每个外延层包括掺杂区，相邻的外延层中的所述掺杂区彼此邻接，其中：形成每个外延层包括：对外延层进行掺杂以形成初始掺杂区，所述初始掺杂区具有与第一导电类型不同的第二导电类型；执行退火，以使得所述初始掺杂区变为中间掺杂区；对所述中间掺杂区的边缘部分进行刻蚀，以形成贯穿所述中间掺杂区的沟槽，所述中间掺杂区的剩余部分作为所述掺杂区；和在所述沟槽中形成填充材料。

公开(公告)号：CN112447832A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910803935.6

申请日：2019-08-28

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 史波 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  敖利波 ,  刘勇强

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  G01K7/16 ,  G01K1/14

Abstract: 本发明涉及检测的技术领域，公开一种半导体功率器件及制备方法，该半导体功率器件，包括：衬底、形成于衬底内的结构层、形成于衬底一侧表面的金属连接层；其中：衬底包括沿衬底厚度方向排列的P型层和位于P型层背离金属连接层一侧的N型层以形成P‑N结，衬底形成有开口位于P型层背离N型层一侧表面的电阻沟槽；金属连接层包括测温电阻引出端；结构层包括测温电阻，测温电阻位于电阻沟槽内，测温电阻朝向金属连接层的一端与测温电阻引出端连接、且远离金属连接层的一端伸入至N型层内，且测温电阻与P型层和N型层之间绝缘，能够解决现有技术中对功率器件工作时温度不准确的技术问题。

公开(公告)号：CN112397388A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201910760385.4

申请日：2019-08-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  敖利波 ,  史波

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及一种二极管及其制备方法。该二极管的制备方法包括以下步骤：提供表面形成有外延层的衬底，所述外延层的表面包括主结区和包围所述主结区的非主结区；在所述非主结区的表面形成隔离层，并形成与所述主结区位置对应的主结槽；对所述主结槽的底面进行扩铂处理；在所述扩铂处理后的所述主结槽的底面形成电阻层，得到中间器件；其中，所述电阻层在所述主结区的投影面积小于所述主结区的面积；在所述中间器件的正面形成与所述主结区连接并与所述电阻层绝缘设置的阳极，和位于所述电阻层的表面且与所述阳极绝缘设置的电阻电极；在所述中间器件的背面形成阴极。利用该制备方法以解决主结区扩铂不完全，且电阻层电阻值难以控制的问题。

公开(公告)号：CN112310226A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910691503.0

申请日：2019-07-29

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  肖婷 ,  史波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种快恢复二极管，涉及二极管领域。该快恢复二极管，包括：衬底层；N型外延层，位于所述衬底层表面；P型注入区，位于所述衬底层表面，且设置于所述N型外延层的侧部；扩散区，位于所述N型外延层的顶部区域，与P型注入区分隔设置。利用该快恢复二极管能够解决现有技术中采用扩铂工艺降低快恢复二极管反向恢复时间时容易导致其正向导通压降高的问题，通过改变快恢复二极管的结构达到降低快恢复二极管反向恢复时间的目的。

公开(公告)号：CN111834336A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201910321865.0

申请日：2019-04-22

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  陈兆同 ,  陈道坤

IPC: H01L23/544 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片及其制备方法、IPM模块，IGBT芯片，包括衬底，衬底上设置截止环，衬底上表面分别设置第一发射极焊盘、第二发射极焊盘和栅极焊盘，第一发射极焊盘、第二发射极焊盘和栅极焊盘在截止环内侧，截止环外侧的衬底上设置热敏电阻，热敏电阻在IGBT芯片的制备过程中直接集成到衬底上；IGBT芯片的制备方法，在氧化物层淀积之后和氧化物层刻蚀之前，还包括热敏电阻材料层淀积和热敏电阻材料层刻蚀步骤；IPM模块，包括基板，在基板上设有IGBT芯片、FRD芯片和控制电路，IGBT芯片为集成有热敏电阻的IGBT芯片。本发明所述的IGBT芯片，将热敏电阻直接集成在IGBT上，热敏电阻能够直接采集IGBT芯片的温度，大大提升采样温度的准确性。

公开(公告)号：CN110120354A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910371347.X

申请日：2019-05-06

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  史波 ,  曾丹 ,  刘勇强 ,  陈兆同

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块的封装方法及智能功率模块。其中，该方法包括：在智能功率模块完成第一次树脂层封装后，在第一树脂层的外表面进行导电膏体印刷，其中，上述智能功率模块中的功率芯片内置于上述第一树脂层；通过对经导电膏体印刷后的智能功率模块进行第二次树脂层封装，得到封装成型的智能功率模块，其中，上述智能功率模块的驱动芯片内置于第二树脂层。本发明解决了传统的智能功率模块采用引线键合的方式电性连接导致杂散电感偏高，电流承载能力不足的技术问题。

公开(公告)号：CN109406979A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811129534.9

申请日：2018-09-27

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  史波 ,  敖利波

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种预估器件可靠性的方法及装置，该方法包括获取待测试器件的测试温度集合，其中测试温度集合包括多个测试温度，根据多个测试温度，对待测试器件增加电压，预估待测试器件的可靠性。该技术方案预先设定待测试器件的测试温度集合，并根据测试温度集合中的多个测试温度，对待测试器件增加电压，预估待测试器件在多个测试温度下的可靠性，提前检测出功率器件中的不良品，以提高可靠性测试的效率。