公开(公告)号：CN208848895U

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201821859361.1

申请日：2018-11-12

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曾丹 ,  史波 ,  肖婷 ,  何昌

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/48 ,  H01L21/331

Abstract: 本实用新型提供了一种元胞结构、功率半导体器件及电子设备，该元胞结构基材，设置在所述基材上的多个单排排列的沟槽，其中，至少部分所述沟槽内设置有横向加强侧壁；且所述沟槽的侧壁上设置有用于将被所述横向加强侧壁封堵的沟槽与其他沟槽导电连通的缺口。通过在形成的沟槽中部分增加横向加强侧壁来增强整个元胞结构的整体强度，并且通过设置的缺口使得沟槽导电连通，从而可以在开设比较密集的沟槽，提高功率半导体器件的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208507648U

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201821102208.4

申请日：2018-07-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曹俊 ,  江伟 ,  何昌

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/56

Abstract: 本实用新型提供了一种电子元件封装结构及半导体器件，涉及半导体器件技术领域，解决了现有技术封装保护层与芯片之间封装应力不匹配导致的芯片受损、失效的技术问题。该封装结构包括电子元件、保护层和应力缓冲层，应力缓冲层介于电子元件与保护层之间，且应力缓冲层能缓冲、减弱保护层对电子元件施加的封装应力。通过在电子元件与保护层之间设置应力缓冲层来缓冲、减弱保护层对电子元件施加的封装应力，减少电子元件的失效损坏，防止水汽入侵，隔绝离子污染，提高电子元件的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207038529U

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201720982042.9

申请日：2017-08-07

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 肖婷 ,  何昌 ,  史波

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本实用新型公开了一种沟槽栅IGBT，在沟槽栅IGBT的第一沟槽栅上设置一接触区，在制作隔离层时仅仅对隔离层对应该第一接触区的部分进行刻蚀挖空，而无需对隔离层对应第一沟槽栅其他区域的部分进行刻蚀挖空处理，保证第一沟槽栅的顶面边缘与沟槽栅衬底结构的表面接触部分质量较高，改善沟槽栅IGBT容易出现漏电的问题，提高其可靠性。此外，本实用新型提供的沟槽栅IGBT无需增加相邻沟槽栅之间的间距，因而沟槽栅IGBT的沟槽栅的密度可以优化为较大的密度，保证沟槽栅IGBT的饱和电流密度较高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209526089U

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201920556887.0

申请日：2019-04-22

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  陈兆同 ,  何昌

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本实用新型涉及电子技术领域，公开一种高电子迁移率晶体管及电子装置，其中，高电子迁移率晶体管包括：依次设置的衬底、缓冲层和GaN沟道层，GaN沟道层包括栅极区和位于栅极区周围的非栅区域；AlGaN栅下势垒层，形成于GaN沟道层的栅极区背离缓冲层的一侧；栅电极，形成于AlGaN栅下势垒层背离GaN沟道层的侧面；AlGaN势垒层，形成于GaN沟道层的非栅区域，其中，AlGaN势垒层表面形成源极和漏极；其中，AlGaN栅下势垒层的铝含量低于AlGaN势垒层的铝含量，和/或，AlGaN栅下势垒层的厚度小于AlGaN势垒层的厚度。上述高电子迁移率晶体管，可以用于缓解其阈值电压低，易误开通的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利