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公开(公告)号：CN101262029A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810083479.4
申请日：2008-03-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/04 , H01L31/068 , H01L31/052
CPC classification number: H01L31/056 , H01L21/76254 , H01L31/03921 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1896 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包括：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以上述离子注入面作为贴合面，经由透明黏着剂，使上述单晶硅基板与上述透明绝缘性基板密接的工序；使上述透明黏着剂固化的工序；机械性剥离上述单晶硅基板，制成单晶硅层的工序；在上述单晶硅层的上述剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在上述单晶硅层的上述剥离面，存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工序；在上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；形成各自的集电电极的工序；以及形成光反射膜的工序。由此可提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层。
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公开(公告)号：CN101179054A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710170066.5
申请日：2007-11-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/84 , H01L21/762 , H01L21/336 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/76254 , C30B29/06 , C30B33/00 , H01L21/2007 , H01L29/78603 , Y10S438/967 , Y10T428/31612
Abstract: 本发明提供一种非常适合于半导体装置的工艺的SOQ基板及其制造方法。本发明的手段为：将氢离子注入单结晶硅基板10的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)11。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面12。贴合此单结晶硅基板10和含有碳浓度100ppm以上的石英基板20，并对注入损伤层11附近赋予外部冲击，将贴合基板沿着单结晶硅基板10的氢离子注入界面12，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜13的表面，进行研磨等，除去损伤，而得到SOQ基板。
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公开(公告)号：CN101174658A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710185123.7
申请日：2007-10-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , H01L31/1896 , Y02B10/10 , Y02E10/547
Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子中的至少一种注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明导电性粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明导电性粘结剂成为透明导电性膜，并贴合该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；以及在该单晶硅层形成pn结的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，于硅太阳能电池中，为了有效活用其原料(硅)而将光变换层制成薄膜，且变换特性优异，并且因光照射产生的劣化少，所以可使用作为住宅等的采光窗材料的透视型太阳能电池。
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公开(公告)号：CN108140540B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN201680049584.9
申请日：2016-09-07
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
Abstract: 本发明提供SiC复合基板的制造方法，其为在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其中，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC层12上采用物理的或化学的手段沉积多晶SiC，制作在保持基板21上将单晶SiC层12和多晶SiC基板11层叠的SiC层叠体15，然后以物理方式和/或化学方式将上述保持基板21除去。根据本发明，采用简便的制造方法得到具有结晶性良好的单晶SiC层的SiC复合基板。
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公开(公告)号：CN107615449B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201680032098.6
申请日：2016-06-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12 , H01L41/187 , H01L41/312
Abstract: 本发明提供一种复合晶片及制造方法，复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面不易产生破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法，其至少包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序；以及对经热处理的接合体照射可见光，且沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111403265A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010233868.1
申请日：2015-12-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L29/16 , C01B32/188
Abstract: 本发明涉及复合基板、纳米碳膜的制作方法和纳米碳膜。本发明提供一种纳米碳膜形成用复合基板的制造方法，其中，从单晶碳化硅基板的表面注入离子以形成离子注入区域，在该单晶碳化硅基板的离子注入面、以及操作基板的与单晶碳化硅基板贴合的表面分别形成薄膜，使得这些薄膜的合计膜厚为2nm以上且1μm以下，接着，将所述单晶碳化硅基板的离子注入面上的薄膜与操作基板上的薄膜贴合后，在所述离子注入区域剥离单晶碳化硅基板，使单晶碳化硅薄膜转印到操作基板上，进而对该单晶碳化硅薄膜进行研磨，从而获得的纳米碳膜形成用复合基板。
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公开(公告)号：CN110301033A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201880012091.7
申请日：2018-02-15
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明为化合物半导体层叠基板，是将为包含A和B作为构成元素的相同组成、具有相同的原子排列的2张单晶的化合物半导体基板直接贴合层叠而成的基板，其特征在于，该层叠基板的表面背面为包含A或B的同种的原子的极性面，层叠界面为包含B或A中的任一者的原子之间的键合、并且它们的晶格匹配的单极性的反相位区域边界面。由此，使化合物半导体层叠基板的表面背面的极性面成为单一极性，使半导体元件的工序设计变得容易，同时无需施加复杂的基板加工，可制造低成本、高性能、稳定的半导体元件。
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公开(公告)号：CN109891747A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780066532.7
申请日：2017-10-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种不需要发生金属杂质的扩散的高温工艺，散热性优异，并且相对于高频的损耗小的基板的制造方法及高热传导性基板。本发明的复合基板是具有压电单晶基板、支承基板以及设置在所述压电单晶基板与所述支承基板之间的中间层的复合基板。本发明的复合基板的特征在于，中间层为由无机材料构成的膜，其至少一部分为热合成二氧化硅。中间层可以沿着复合基板的接合面分为至少2层，与支承基板相接的第一中间层设为含有热合成二氧化硅的层为宜。
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公开(公告)号：CN109417367A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040222.8
申请日：2017-05-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种即使在贴合后的工序中加热到400℃以上也不会产生压电单晶膜的整面剥落的声表面波器件用复合基板。通过准备压电单晶基板和支承基板，将由无机材料构成的膜成膜于压电单晶基板和支承基板中的至少任意一方，并且将压电单晶基板与支承基板以夹持由无机材料构成的膜的方式进行接合，从而制造复合基板。
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公开(公告)号：CN104793460B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201510028801.3
申请日：2015-01-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种EUV用防尘薄膜组件，使用其的EUV用组合体以及其组合方法。本发明的EUV用防尘薄膜组件为由将防尘薄膜用网格结构体进行补强了的防尘薄膜结构体以及对该防尘薄膜结构体进行保持的防尘薄膜组件框架构成的EUV用防尘薄膜组件。网格结构体，由于EUV光在掩模面反射，2次通过EUV用防尘薄膜组件，所以在晶片上被投影为2种的影像。本发明的其特征在于，将间隔值进行设定，使所述影像的浓淡对比度比减小至25％以下，并且，这种间隔值，以设定为0.3mm～1.0mm的范围内为优选。
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