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公开(公告)号：CN102113127A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980129888.6
申请日：2009-08-20
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: C23C14/086 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K26/36 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , C23C14/3407 , H01L31/022483 , H01L31/0547 , H01L31/0687 , H01L31/076 , H01L31/1884 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02E10/548
Abstract: 提供一种通过将暴露于氢等离子体后的导电率设定在适当的范围而抑制漏电流并提高转换效率的光电转换装置。一种光电转换装置(100)，在基板(1)上包括至少具备2层发电单元层(91、92)的光电转换层(3)和夹在所述发电单元层(91、92)之间的中间接触层(5)，所述光电转换装置的特征在于，所述中间接触层(5)主要包含由Zn1-xMgxO2(0.096≤x≤0.183)表示的化合物。
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公开(公告)号：CN102084493A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980124733.3
申请日：2009-07-08
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , C23C16/24 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/0463 , H01L31/076 , H01L31/182 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的是提供能够抑制大面积基板面内的光电转换效率的不均、批量间的模块输出的变动并能够使生产性提高的光电转换装置的制造方法。光电转换装置(100)的制造方法的特征在于，包括以下工序：利用以包含硅烷系气体和氢气的气体作为原料气体的等离子体CVD法，在所述基板(1)的每单位面积的所述氢气流量80slm/m2以上的条件下，在基板(1)上形成硅系的光电转换层(3)。
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公开(公告)号：CN1786747B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510131420.4
申请日：2005-12-12
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: G02B5/02 , H01L31/0224 , H01L33/00 , H01L51/52 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/133504 , G02F2202/16 , H01L31/02168 , H01L31/022466 , H01L31/054 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L2933/0091 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明公开了一种光散射膜(2)具有这样的结构，即，将电信号传导到要求的位置并所述入射光，而且其表面基本上是平坦的；以及使用该光散射膜(2)的光电器件。光散射膜(2)包括：介质(6)，由透明导电材料构成；以及光散射物质(7)，嵌入该介质内。利用一个部件，光散射膜实现导电和光散射特性。不需要为了实现光散射特性而有意利用凹体和凸体使表面具有纹理。希望该表面基本上是平坦的。当在该表面上形成半导体层(3)时，抑制缺陷，因为该表面平坦。具有光散射膜和位于该膜的表面上的半导体器件的光电器件的光点变换效率高。
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公开(公告)号：CN100477288C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510003971.2
申请日：2005-01-05
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/075
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022483 , H01L31/075 , H01L31/076 , Y02E10/548
Abstract: 一种光电转换装置，使用具有最合适的电阻率和透过率之间关系的透明电极或者透明导电膜来实现高光电转换率。在透明绝缘性基板上至少依次层积有：第一透明电极，由p型硅层、i型硅层以及n型硅层构成的pin结构或者nip结构的微结晶硅层，第二透明电极以及背侧电极，其中，所述第一透明电极以及所述第二透明电极的至少某一项是添加Ga的ZnO层，所述Ga的含量相对于Zn为小于或等于15原子百分比。
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公开(公告)号：CN1767216A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510009428.3
申请日：2005-02-16
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02168 , H01L31/022466 , Y02E10/50
Abstract: 一种光电转换装置，包括衬底(1)、用来覆盖该衬底(1)的下电极层(2)、和形成在该下电极层(2)上的第一半导体层(3)。该下电极层(2)包括由透明导电材料制成的第一基体(6)和嵌在该第一基体(6)内的光散射颗粒(7)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101568821B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200780047527.8
申请日：2007-10-31
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: G01N21/8914 , G01N21/65 , G01N21/8422 , H01L22/12
Abstract: 一种膜质评价方法及其装置、以及薄膜设备的制造系统，以在使作业员的负担减轻的同时使制造效率提升为目的。对薄膜硅系设备所使用的结晶质硅膜照射光，检测由结晶质硅膜反射的反射光，对检测出的反射光的辉度的参数进行计测，并根据该辉度的参数是否在预先设定的适当范围内来进行该结晶质硅膜的膜质评价。
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公开(公告)号：CN101981431B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200980111369.7
申请日：2009-07-02
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/3563 , G01N21/55 , G01N21/8422 , G01R31/2831 , H01L31/1884 , Y10T29/53126
Abstract: 以非破坏、非接触、高效率且高精度计测透明导电膜的电阻率为目的。提供一种电阻率检查装置，具备：光照射装置(3)，其将具有通过事先进行的检查条件选定方法选定的波长的P偏振光的照明光以通过该方法选定的入射角对在制造生产线上输送的透光性基板上成膜的透明导电膜从膜面侧进行照射；光检测装置(2)，其检测在透明导电膜反射的反射光；信息处理装置(7)，其基于检测到的光的强度，算出与该波长有关的反射光的光量的评价值，使用将评价值与电阻率预先建立关联的相关特性，由算出的所述评价值求出电阻率。
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公开(公告)号：CN102165282A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980138478.8
申请日：2009-07-02
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: G01N21/8422 , G01B11/06 , G01B11/30 , G01N2021/8928
Abstract: 本发明目的在于能够降低薄膜的基板面内的膜厚变动的影响，实现计测精度的提高。包括：对在璃基板上形成有薄膜的被检查基板(W)从该玻璃基板侧照射单波长的光的光源；以受光轴相对于从光源射出的照明光的光轴以预定的倾斜角度交叉的方式配置，对透过被检查基板(W)的扩散透过光进行受光的受光元件；和基于由受光元件接受的光的强度求出薄膜的雾度率的计算机(7)。计算机(7)具有将雾度率与扩散透过光的光强度建立关联而成的雾度率特性，利用该雾度率特性和由上述受光元件接受的光强度求出雾度率。
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公开(公告)号：CN102165281A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980138578.0
申请日：2009-07-02
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: G01B11/06 , H01L21/205
CPC classification number: G01B11/0625
Abstract: 薄膜检查装置包括：存储部(14)，该存储部保存有至少2个特征量特性，所述2个特征量特性由以下方式得到：从因第1透明薄膜和第2透明薄膜的至少一方的膜厚变动而受到影响的分光反射光谱的特征量中选择至少2个特征量，并将所选择的该特征量中的每一个特征量与第1透明薄膜的膜厚和第2透明薄膜的膜厚分别建立关联；对被检查基板(S)从透明玻璃基板侧照射白色光的光照射部(11)；接受来自被检查基板(S)的反射光的受光部(12)；和运算部(15)，从基于受光的反射光的分光反射光谱求出在存储部(14)中保存的各特征量的实测值，使用求出的各特征量的实测值和在存储部(14)中保存的特征量特性，分别求出第1透明薄膜和第2透明薄膜的膜厚。
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公开(公告)号：CN102113129A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130494.2
申请日：2009-01-07
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1812 , H01L31/046 , H01L31/076 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种用于获得高的转换效率的三层型光电转换装置的适当的膜厚构成。一种光电转换装置(100)，在基板(1)上具备透明电极层(2)、层叠有三层具有pin结的电池层(91、92、93)的光电转换层(3)、及背面电极层(4)，其中，设置于光的入射侧的入射部的电池层(91)具有膜厚为100nm以上且200nm以下的非晶质硅i层，相对于光的入射侧设置于相反侧的底部的电池层(93)具有膜厚为700nm以上且1600nm以下的晶质硅锗i层，晶质硅锗i层中的锗原子相对于锗原子和硅原子之和的比例为15原子％以上且25原子％以下，设置于入射部的电池层(91)和底部的电池层(93)之间的中间部的电池层(92)具有膜厚为1000nm以上且2000nm以下的晶质硅i层。
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