一种新型三元NaB13C2化合物晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN115704104A

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN202110895863.X

    申请日:2021-08-05

    Applicant: 燕山大学

    Inventor: 于栋利 袁智康

    Abstract: 一种新型三元NaB13C2化合物晶体及其制备方法,属于非金属材料技术领域。本发明提供了一种新型三元NaB13C2化合物晶体,该晶体结构特征为由B12二十面体和CBC链相互连接组成三维共价框架,Na原子位于框架的间隙位置。一种NaB13C2化合物晶体的制备方法:(1)在充满惰性气体的手套箱中,将过量金属Na块、B粉和C粉混合后,预压成块,再外包Ta片;(2)装入BN坩埚中,经高温处理后,保温,再用稀盐酸或蒸馏水除去剩余的金属Na,即可得到NaB13C2化合物晶体。本发明首次合成新型的NaB13C2化合物晶体,这种非金属材料具有优异的物理化学性质,合成方法简单,可用作高温半导体材料,高温热电材料等。

    一种等轴晶纳米碳化钨粉末的制备方法

    公开(公告)号:CN112374500B

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202011048048.1

    申请日:2020-09-29

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明涉及一种等轴晶纳米碳化钨粉末的制备方法。本发明的方法包括以下步骤:(1)将钨源、可食用碳源溶解于水中形成溶液,将所述溶液干燥,得到胶状前驱体;并且(2)将所述胶状前驱体在绝对压强低于1.0×10‑2Pa的真空度下在1250~2000℃的温度下反应,得到等轴晶纳米碳化钨粉末。本发明的方法采用安全无毒且低成本的可食用碳源,获得了高纯度、纳米级尺寸的、等轴晶碳化钨粉末。与传统的方法相比,本发明的方法具有工艺简单、绿色环保、成本低廉和安全性高等优点,而且还可表现出优异的组织控制精度以及良好的工艺稳定性和可重复性。

    高性能纳米孪晶碳化硼陶瓷块体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110436928B

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN201910790880.X

    申请日:2019-08-26

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明公开了高性能纳米孪晶碳化硼陶瓷块体材料及其制备方法,方法为:以纳米碳化硼粉体为原料(1)通过放电等离子体烧结方法合成纳米孪晶碳化硼块体;(2)通过热压烧结方法合成纳米孪晶碳化硼块材;(3)通过高温高压合成纳米孪晶碳化硼块材,合成得到的纳米孪晶碳化硼块体材料的硬度为30‑55GPa,断裂韧性为4.0‑8.0 MPa m1/2,抗弯曲强度为500‑850MPa,孪晶宽度为1‑100nm,晶粒粒径为10nm‑10μm,致密度95‑100%,具有更高的致密度、比强度、高硬度和高断裂韧性的特性,作为一种超硬材料,可应用在轻质装甲、防弹装备,切削工具和钻头、耐高温结构部件等方面,具有广阔的应用前景。

    金刚石复相材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113493202A

    公开(公告)日:2021-10-12

    申请号:CN202010261332.0

    申请日:2020-04-03

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明涉及金刚石复相材料及其制备方法。本发明以洋葱碳为原料,通过高温高压的合成方法制备出一种包含3C、2H、4H、6H、8H、10H、9R、15R、21R多种类型金刚石相的新型金刚石复相块材。在块材的晶粒内可以发现2H、3C、4H、6H、8H、9R、10H、15R、21R中的两种或两种以上类型的金刚石相,其中3C型金刚石具有超细纳米孪晶组织结构,孪晶宽度1‑15nm。本发明所公开的金刚石复相块材内部晶粒尺寸为2‑80nm,其维氏硬度为150‑260GPa,断裂韧性为12‑30MPa·m1/2。这种金刚石复相块材在精密与超精密加工领域、拉丝模、磨料磨具及特种光学元件等领域具有广阔的应用。

    一种高纯NaAlB14晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN111893568A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN202010721084.3

    申请日:2020-07-24

    Applicant: 燕山大学

    Inventor: 于栋利 袁智康

    Abstract: 本发明公开一种高纯NaAlB14晶体的制备方法,属于非金属材料领域,其特征在于:高温高压条件下,以碱金属Na块,金属Al粉和B粉为原料用元素法直接制备NaAlB14晶体。本申请制备NaAlB14晶体的方法与现有技术相比,工艺简单,制备的NaAlB14晶体纯度较高,NaAlB14晶体的熔点高,硬度高,可用作高温半导体材料,高温热电材料以及磨料。

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