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公开(公告)号：CN110911478A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911006196.4
申请日：2019-10-22
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/49 , H01L29/423 , H01L23/552
Abstract: 本发明提出的一种具有亚1nm栅长的二维薄膜场效应晶体管，包括依次层叠的衬底、衬底绝缘层、单层或少层石墨烯和垂直电场屏蔽结构，及第一绝缘层、二维薄膜和三个电极；厚度在亚1nm的单层或少层石墨烯作为栅极；垂直电场屏蔽结构由第二绝缘层和沉积电场阻挡层组成，或由金属层和包覆于其外的氧化层组成；垂直电场屏蔽结构用于隔绝栅极垂直方向电场以利用栅极厚度定义栅长；第一绝缘层覆盖在衬底绝缘层的顶部以及单层或少层石墨烯和垂直电场屏蔽结构同侧，并覆盖垂直电场屏蔽结构的上表面，用于产生栅极水平方向的电场；二维薄膜作为导电沟道覆盖在第一绝缘层上。本发明利用石墨烯厚度来定义栅长，可控制场效应晶体管的栅长在亚1nm范围内。
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公开(公告)号：CN109452934A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811206062.2
申请日：2018-10-17
Applicant: 清华大学
IPC: A61B5/0205 , A61B5/113
Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯的贴附式皮肤传感器的制备方法，属于人体检测技术领域。首先将氧化石墨烯溶液滴涂或旋涂在水转印纸上，在水转印纸上形成氧化石墨烯层，采用激光照射方法，使氧化石墨烯层还原成为石墨烯传感层，将其放入水中，使石墨烯传感层下部的牺牲层和未被激光照射的干燥氧化石墨烯层脱落，留下柔性衬底层，在石墨烯传感层的端部设置导电材料，得到贴附式石墨烯皮肤传感器。本发明制备的皮肤传感器，其中的石墨烯传感层，石墨烯的图案可以进行个性化设计，其形状、尺寸均可根据需要进行调节，简洁美观。本发明制备的皮肤传感器可以轻易贴附在皮肤振动处，进行日常便携传感。
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公开(公告)号：CN102141437A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010104984.X
申请日：2010-02-03
Applicant: 清华大学 , 北京普析通用仪器有限责任公司
Abstract: 拆除对紫外几乎无响应探测器表面的保护玻璃，将荧光粉，如晕苯(Coronene)，路马近(lumogen)等通过一定手段直接沉积至敏感元件表面，形成荧光薄膜，再安装石英片至探测器表面。当紫外线照射至荧光薄膜表面时，荧光物质会受激跃迁并在极短时间内发出可见波长的光波，并直接被敏感元件接收，使得探测器能够间接检测到紫外线，安装在光谱仪中，再经过波长标定和响应度标定，便可得到精确光谱谱线。这样，普通廉价的探测器就能够实现某些高端探测器才拥有的对紫外线的精确探测功能，效果好、成本低。
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公开(公告)号：CN119558367A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510125472.8
申请日：2025-01-27
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种基于可调忆阻器神经元的深度神经网络电路及其控制方法，本发明涉及忆阻器应用技术领域，所述电路包括：多层神经网络电路和控制电路；每层神经网络电路包括突触忆阻器阵列电路和神经元阵列电路；突触忆阻器阵列电路包括多行多列的突触忆阻器，突触忆阻器根据存储的神经网络中的权重调节两个可调阈值神经元忆阻器之间的信号传递；控制电路根据当前任务模态，向神经元阵列电路输出控制信号；神经元阵列电路包括多个可调阈值神经元忆阻器，可调阈值神经元忆阻器响应于控制信号，调节自身的激发阈值的大小以及激发时的放电电流大小，以实现当前任务模态。本发明的方案，在实现多模态任务的同时，节省了硬件成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119514311A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411309980.3
申请日：2024-09-19
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/063 , G06F111/08
Abstract: 本发明提供一种模拟神经元特性的Verilog‑A模型优化方法、装置及概率计算单元、方法，包括：建立基于易失性忆阻器的神经元的等效模型；模拟易失性忆阻器的动态特征、导通概率与输入脉冲幅度的第一对应关系、导通速度与输入脉冲频率的第二对应关系及导通频率、导通电流与栅极电压的第三对应关系；基于易失性忆阻器的动态特征、第一对应关系、第二对应关系及第三对应关系，对基于易失性忆阻器的神经元的Verilog‑A模型进行参数调试，以使易失性忆阻器的动态特征、第一对应关系、第二对应关系及第三对应关系与基于易失性忆阻器的神经元的实验特性相符。本发明可增强易失性忆阻器模型的高阶神经元表现，有助于大规模忆阻器神经网络电路的仿真实现。
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公开(公告)号：CN118347623A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202310073658.4
申请日：2023-01-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种仿生压力传感器及其制备方法。仿生压力传感器包括：两层弹性体薄膜，至少其中一层弹性体薄膜具有生物表皮结构，弹性体薄膜的传导路径适于响应于压力变化；敏感层材料，敏感层材料内部的传导路径适于响应于压力变化；两条电极引线，与弹性体薄膜一一对应地设置，电极引线适于将弹性体薄膜的传导路径和敏感层材料内部的传导路径的变化转变为电信号。在感知到外界压力时，生物表皮结构会带来较明显的导电路径的变化，从而导致输出电阻发生变化，进而能够提升压力传感器响应外界压力的灵敏度，改善压力传感器的性能。该仿生压力传感器制备方法，制备过程简单、成本低，具有同时实现低探测下限、高探测灵敏度和宽线性范围的潜力。
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公开(公告)号：CN116432565A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310266025.5
申请日：2023-03-13
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/30
Abstract: 本申请涉及一种二维材料场效应晶体管的建模方法及装置，其中，方法包括：基于二维材料场效应晶体管的器件结构与电学特性测试偏置配置信息，确定沟道的源结、本征沟道和漏结的坐标区间；根据划分的坐标区间建立源结和漏结的Landauer载流子输运物理图景的数学模型；利用预设Landauer公式和预设漂移扩散公式的准费米能级相空间(QFLPS)形式分别生成源结、本征沟道和漏结的电流输运，得到电流的综合公式。由此，解决了相关技术中，通过基尔霍夫电流守恒定律求解内部节点电压计算得到最终的结‑沟道串联电流，严重影响计算效率，不满足电路仿真的效率要求，按照并联取加权平均的方法没有物理含义，不利于从物理角度根据实验结果对工艺进行评估等问题。
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公开(公告)号：CN115272112A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210872488.1
申请日：2022-07-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种纸质心电图数字化方法和装置，包括：对包含十二个导联区域的纸质心电图的电子图像进行预处理，得到心电图像；分离所述心电图像的各个导联区域；基于八邻域稀疏离群点移除算法和预存的细化算法，对所述各个导联区域的心电图像进行细化处理，得到所述各个导联区域的心电波形曲线；将所述各个导联区域的心电波形曲线进行导联维度连接，得到所述纸质心电图的数字化结果。本发明以将纸质心电图中心电信号有效信息数字化的方式，将源源不断产生的纸质心电图转换为电子心电图，解决了电子心电图体量不充足的问题，促进了自动心电分析领域的发展。
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公开(公告)号：CN114016133A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111268564.X
申请日：2021-10-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种在衬底上直接集成单晶钙钛矿的方法及其应用，其中，所述方法包括：(1)将CH3NH3X、PbX2和有机溶剂混合，以便得到CH3NH3PbX3钙钛矿前驱体溶液；(2)将衬底置于所述CH3NH3PbX3钙钛矿前驱体溶液中，并在密闭系统中利用反溶剂对所述CH3NH3PbX3钙钛矿前驱体溶液进行气相扩散，以便使得所述CH3NH3PbX3钙钛矿在所述衬底上直接集成单晶CH3NH3PbX3钙钛矿，其中，在步骤(1)中，所述CH3NH3X包括CH3NH3Cl、CH3NH3Br和CH3NH3I中的至少之一，所述PbX2包括PbCl2、PbBr2和PbI2中的至少之一。由此，采用该方法可以在给定衬底上直接生长大尺寸，高结晶质量的单晶钙钛矿。
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