公开(公告)号：CN116432565A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310266025.5

申请日：2023-03-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 任天令 ,  鄢诏译 ,  刘厚方 ,  田禾 ,  杨轶 ,  侯展 ,  鲁添 ,  赵瑞婷 ,  闫涧澜 ,  闫岸之 ,  王震泽

IPC: G06F30/30

Abstract: 本申请涉及一种二维材料场效应晶体管的建模方法及装置，其中，方法包括：基于二维材料场效应晶体管的器件结构与电学特性测试偏置配置信息，确定沟道的源结、本征沟道和漏结的坐标区间；根据划分的坐标区间建立源结和漏结的Landauer载流子输运物理图景的数学模型；利用预设Landauer公式和预设漂移扩散公式的准费米能级相空间(QFLPS)形式分别生成源结、本征沟道和漏结的电流输运，得到电流的综合公式。由此，解决了相关技术中，通过基尔霍夫电流守恒定律求解内部节点电压计算得到最终的结‑沟道串联电流，严重影响计算效率，不满足电路仿真的效率要求，按照并联取加权平均的方法没有物理含义，不利于从物理角度根据实验结果对工艺进行评估等问题。

公开(公告)号：CN114171082B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202111370758.0

申请日：2021-11-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 任天令 ,  鄢诏译 ,  侯展 ,  田禾 ,  杨轶

IPC: G11C11/414

Abstract: 本申请涉及一种用于三稳态存储的存储单元，包括：第一匀质反相器由第一双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；第二匀质反相器由第二双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；其中，第一匀质反相器和第二匀质反相器的沟长相同，第一匀质反相器的输入端口与第二匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vx，第二匀质反相器的输入端口与第一匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vy，以在节点电压Vx和节点电压Vy呈现稳态时，第一匀质反相器和第二匀质反相器交叉连接，用于于三稳态存储。由此，解决了相关技术中只能进行二进制数据的存储，导致存储效率低的问题，不仅可以提升信息存储效率，且不会显著增加使用的器件数量。

公开(公告)号：CN114171082A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111370758.0

申请日：2021-11-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 任天令 ,  鄢诏译 ,  侯展 ,  田禾 ,  杨轶

IPC: G11C11/414

Abstract: 本申请涉及一种用于三稳态存储的存储单元，包括：第一匀质反相器由第一双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；第二匀质反相器由第二双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；其中，第一匀质反相器和第二匀质反相器的沟长相同，第一匀质反相器的输入端口与第二匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vx，第二匀质反相器的输入端口与第一匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vy，以在节点电压Vx和节点电压Vy呈现稳态时，第一匀质反相器和第二匀质反相器交叉连接，用于于三稳态存储。由此，解决了相关技术中只能进行二进制数据的存储，导致存储效率低的问题，不仅可以提升信息存储效率，且不会显著增加使用的器件数量。

公开(公告)号：CN116432584A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310224668.3

申请日：2023-03-09

Applicant: 清华大学

Inventor： 任天令 ,  鄢诏译 ,  刘厚方 ,  田禾 ,  杨轶 ,  侯展 ,  吴凡 ,  闫涧澜 ,  王震泽

IPC: G06F30/373

Abstract: 本申请涉及建模技术领域，特别涉及一种计算场效应晶体管沟道表面静电势自洽解的方法及装置，其中，方法包括：基于预设栅电容方程的零温极限，得到静电势零温极限精确解析解，代入含温度展宽系数软化函数得到一般温度静电势逼近解，并取优化系数向量映射的线性近似作为生成任意温度初始解的种子，计算漏源电流。本申请实施例可以基于零温极限下栅电容方程的求解，获取一般温度静电势逼近解，通过软化系数的向量优化，生成任意温度下充分接近准确解的迭代初始值生成公式，以实现场效应晶体管表面静电势的高效数值计算，进而得到漏源电流，由此提升了表面静电势迭代收敛过程的速度，优化了数值计算的效率与精确度，更加准确实用。

公开(公告)号：CN216596961U

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202122837286.7

申请日：2021-11-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 任天令 ,  鄢诏译 ,  侯展 ,  田禾 ,  杨轶

IPC: G11C11/412

Abstract: 本申请涉及一种用于三稳态存储的存储单元，包括：第一匀质反相器由第一双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；第二匀质反相器由第二双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；其中，第一匀质反相器的输入端口与第二匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vx，第二匀质反相器的输入端口与第一匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vy，以在节点电压Vx和节点电压Vy呈现稳态时，第一匀质反相器和第二匀质反相器交叉连接，用于于三稳态存储。由此，解决了相关技术中只能进行二进制数据的存储，导致存储效率低的问题，不仅可以提升信息存储效率，且不会显著增加使用的器件数量。