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公开(公告)号：CN100347801C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200310116390.0
申请日：2003-11-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/342
Abstract: 本发明涉及一个具有这样一种结构的光电阴极，它能够使低温时辐射灵敏度的下降得到抑制，从而改善信噪比。在该光电阴极中，一个光吸收层形成在衬底的上层。一个电子发射层形成在该光吸收层的上层。一个条纹状的接触层形成在该电子发射层的上层。由金属组成的一个表面电极形成在该接触层的表面。该接触层里的栅栏间距被调整为等于或大于0.2μm，且等于或小于2μm。
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公开(公告)号：CN1501424A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310116390.0
申请日：2003-11-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/342
Abstract: 本发明涉及一个具有这样一种结构的光电阴极，它能够使低温时辐射灵敏度的下降得到抑制，从而改善信噪比。在该光电阴极中，一个光吸收层形成在衬底的上层。一个电子发射层形成在该光吸收层的上层。一个条纹状的接触层形成在该电子发射层的上层。由金属组成的一个表面电极形成在该接触层的表面。该接触层里的栅栏间距被调整为等于或大于0.2μm，且等于或小于2μm。
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公开(公告)号：CN1482646A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03178790.8
申请日：1997-10-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J29/94 , H01J1/304 , H01J2201/30426 , H01J2201/30457 , H01J2329/00
Abstract: 本发明涉及电子管，其具有可长时间保持其工作稳定性的结构。该电子管至少包括：场致发射体，由金刚石或主要由金刚石组成的材料制成，并有其末端是氢的表面；和密封管壳，装有金刚石场致发射体。利用氢的末端，可把金刚石场致发射体的电子亲和势设置为负值。此外，把氢密封在密封管壳内。由于这种结构，金刚石场致发射体表面末端的氢状态稳定，并且场致发射体的电子亲和势在长时间内不会改变。
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公开(公告)号：CN104285135B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380025424.7
申请日：2013-05-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L31/02164 , B82Y20/00 , H01L31/02327 , H01L31/035209 , H01L31/035236 , H01L31/101 , H01L31/1035
Abstract: 本发明所涉及的光检测器(1A)具备：光学元件(10)，具有包含第1区域以及沿着垂直于规定的方向的面相对于第1区域被周期性地排列的第2区域的结构体并且在光沿着规定的方向进行入射的时候使规定的方向的电场成分产生；半导体层叠体(4)，相对于光学元件(10)被配置于与规定的方向上的一侧相反侧的另一侧并且具有由通过由光学元件(10)产生的规定的方向的电场成分而产生电流的量子级联结构；量子级联结构包含具有第1量子高能级以及低于该第1量子高能级的第2量子高能级的活性区域(4b)和输送在活性区域(4b)被激发的电子的喷射区域(4c)。
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公开(公告)号：CN104303030A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380025442.5
申请日：2013-05-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L31/02327 , B82Y20/00 , H01L31/035236 , H01L31/09 , H01L31/101 , H01L31/1035
Abstract: 本发明所涉及的光检测器(1A)具备：光学元件(10)，具有包含第1区域以及沿着垂直于规定的方向的面相对于第1区域周期性地排列的第2区域的结构体并且在光沿着规定的方向进行入射的时候使规定的方向的电场成分产生；半导体层叠体(4)，相对于光学元件(10)被配置于与规定的方向上的一侧相反侧的另一侧并且具有由通过光学元件(10)产生的规定的方向的电场成分而产生电流的量子级联结构；量子级联结构包含电子被激发的活性区域(4b)和输送电子的喷射区域(4c)，活性区域(4b)在量子级联结构中相对于喷射区域(4c)被形成于一侧的最表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104285135A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201380025424.7
申请日：2013-05-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L31/02164 , B82Y20/00 , H01L31/02327 , H01L31/035209 , H01L31/035236 , H01L31/101 , H01L31/1035
Abstract: 本发明所涉及的光检测器(1A)具备：光学元件(10)，具有包含第1区域以及沿着垂直于规定的方向的面相对于第1区域被周期性地排列的第2区域的结构体并且在光沿着规定的方向进行入射的时候使规定的方向的电场成分产生；半导体层叠体(4)，相对于光学元件(10)被配置于与规定的方向上的一侧相反侧的另一侧并且具有由通过由光学元件(10)产生的规定的方向的电场成分而产生电流的量子级联结构；量子级联结构包含具有第1量子高能级以及低于该第1量子高能级的第2量子高能级的活性区域(4b)和输送在活性区域(4b)被激发的电子的喷射区域(4c)。
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公开(公告)号：CN1959895B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610142778.1
申请日：2006-10-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/3423
Abstract: 本发明的半导体光电阴极(1)包括：透明基板(11)；第一电极(13)，形成在透明基板(11)上，并可以使透过透明基板(11)的光通过；窗层(14)，形成在第一电极(13)上，由厚度10nm以上、200nm以下的半导体材料构成；光吸收层(15)，形成在窗层(14)上，由与窗层(14)晶格匹配的半导体材料构成，并且能带间隙比窗层(14)窄，响应光的入射，并激发光电子；电子发射层(16)，形成在光吸收层(15)上，由与光吸收层(15)晶格匹配的半导体材料构成，并且使由光吸收层(15)激发的光电子从表面向外部发射；第二电极(18)，形成在电子发射层上。
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公开(公告)号：CN101101840A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710128217.0
申请日：2007-07-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/246
Abstract: 本发明涉及光电阴极、电子管、电场辅助型光电阴极、电场辅助型光电阴极阵列、以及电场辅助型电子管。当光入射到光电阴极(AA1)的天线层(AA6)上时，入射光中所含的特定波长的光与天线层(AA6)的表面等离子体进行结合，从天线层(AA6)的贯通孔(AA14)输出近场光。输出的近场光的强度，与特定波长的光的强度成比例，且大于该光的强度。另外，输出的近场光具有可被光电转换层(AA4)吸收的波长。光电转换层(AA4)接受从贯通孔(AA14)输出的近场光。光电转换层(AA4)上的贯通孔(AA14)的周边部分吸收近场光，产生相应于近场光的强度(受光量)的量的光电子(e-)。在光电转换层(AA4)上产生的光电子(e-)向光电阴极(AA1)的外部输出。
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公开(公告)号：CN101071704A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710126489.7
申请日：2003-11-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/342
Abstract: 本发明涉及一个具有这样一种结构的光电阴极，它能够使低温时辐射灵敏度的下降得到抑制，从而改善信噪比。在该光电阴极中，一个光吸收层形成在衬底的上层。一个电子发射层形成在该光吸收层的上层。一个条纹状的接触层形成在该电子发射层的上层。由金属组成的一个表面电极形成在该接触层的表面。该接触层里的栅栏间距被调整为等于或大于0.2μm，且等于或小于2μm。
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公开(公告)号：CN1328745C
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200310116388.3
申请日：2003-11-12
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明涉及一种具有把一个光电阴极板以良好的可靠性和可加工性夹持在一个透光元件上的结构的光电阴极和类似元件。在该光电阴极中，固定在透光元件上的一个夹持元件的爪形部分被压靠到支撑板的下表面，使光电阴极板被夹在透光元件和支撑板之间。这样，支撑板被压靠到光电阴极板，使光电阴极板被支撑板压靠到透光板。这使光电阴极板被透光元件可靠地夹持住。这个简单的配置还提供了良好的装配可加工性。
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