公开(公告)号：CN1864270A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200480029528.6

申请日：2004-10-06

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  滨田公守 ,  黑柳晃 ,  大仓康嗣 ,  户仓规仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明旨在提供一种可容易地制造的绝缘栅型半导体器件及其制造方法，同时实现较高的耐压设计和较低的接通电阻设计。所述半导体器件包括N+源极区31、N+漏极区11、P－体区41以及N－漂移区12。通过挖出所述半导体器件上部的部分区域，形成栅极沟槽21。所述栅极沟槽21包括栅电极22。P浮置区51设置在所述栅极沟槽21的下方。可形成与栅极沟槽21具有不同深度的另一沟槽25，P浮置区54设置在所述沟槽25的下方。

公开(公告)号：CN103745979B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410009511.X

申请日：2011-06-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 白木聪 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  山本昌弘 ,  山田明 ,  工藤弘康 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L23/58 ,  H02M7/537

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G01R19/0092 ,  H01L21/76283 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/405 ,  H01L29/7394 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底（1，21）、位于衬底（1，21）上的第一电极（12，29）、位于衬底（1，21）上的第二电极（13，28）以及位于衬底（1，21）中以将衬底（1，21）划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构（1d，21d，56）。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极（12，29）和第二电极（13，28）之间流动以使得第一电流沿着衬底（1，21）的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。

公开(公告)号：CN102376773A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110226614.8

申请日：2011-08-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山本贵生 ,  户仓规仁 ,  加藤久登 ,  中川明夫

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7824

Abstract: 一种具有横向二极管的半导体装置包括半导体层(1c，1f，1g)、半导体层中的第一半导体区域(2)、杂质浓度大于第一半导体区域的接触区域(4)、位于半导体层中并与接触区域分开的第二半导体区域(6)、通过接触区域电连接到第一半导体区域的第一电极(10)、以及电连接到第二半导体区域的第二电极(11)。所述第二半导体区域包括低杂质浓度部分(7)、高杂质浓度部分(8)和扩展部分(9)。所述第二电极与所述高杂质浓度部分形成欧姆接触。扩展部分的杂质浓度大于低杂质浓度部分的杂质浓度并在半导体层的厚度方向上延伸。

公开(公告)号：CN102332468A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110154131.1

申请日：2011-06-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 白木聪 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  山本昌弘 ,  山田明 ,  工藤弘康 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H02M7/515 ,  H02M1/36 ,  G01R19/00

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G01R19/0092 ,  H01L21/76283 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/405 ,  H01L29/7394 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底(1，21)、位于衬底(1，21)上的第一电极(12，29)、位于衬底(1，21)上的第二电极(13，28)以及位于衬底(1，21)中以将衬底(1，21)划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构(1d，21d，56)。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极(12，29)和第二电极(13，28)之间流动以使得第一电流沿着衬底(1，21)的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。

公开(公告)号：CN101325198A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810109479.7

申请日：2008-06-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 户仓规仁 ,  曾根弘树 ,  天野伸治 ,  加藤久登

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7397

Abstract: 一种半导体器件，包括形成在同一半导体衬底(31)中的间隔沟道IGBT和反并联二极管。IGBT包括基极层(32)和绝缘栅沟槽(GT)，通过该绝缘栅沟槽(GT)将基极层(32)划分成连接于发射电极(E)的体区域(32b)和与发射电极(E)断开的浮置区域(32f)。在IGBT区域的单元区域中形成IGBT，且在二极管区域中形成二极管。IGBT区域的边界区域位于单元区域与二极管区域之间。边界区域中的相邻栅极沟槽(GT)之间的间距(Wx)小于单元区域中的其间设置浮置区域(32f)的相邻栅极沟槽(GT)之间的间距(Wf)。