公开(公告)号：CN101325198B

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200810109479.7

申请日：2008-06-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 户仓规仁 ,  曾根弘树 ,  天野伸治 ,  加藤久登

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7397

Abstract: 一种半导体器件，包括形成在同一半导体衬底(31)中的间隔沟道IGBT和反并联二极管。IGBT包括基极层(32)和绝缘栅沟槽(GT)，通过该绝缘栅沟槽(GT)将基极层(32)划分成连接于发射电极(E)的体区域(32b)和与发射电极(E)断开的浮置区域(32f)。在IGBT区域的单元区域中形成IGBT，且在二极管区域中形成二极管。IGBT区域的边界区域位于单元区域与二极管区域之间。边界区域中的相邻栅极沟槽(GT)之间的间距(Wx)小于单元区域中的其间设置浮置区域(32f)的相邻栅极沟槽(GT)之间的间距(Wf)。

公开(公告)号：CN101325198A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810109479.7

申请日：2008-06-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 户仓规仁 ,  曾根弘树 ,  天野伸治 ,  加藤久登

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7397

Abstract: 一种半导体器件，包括形成在同一半导体衬底(31)中的间隔沟道IGBT和反并联二极管。IGBT包括基极层(32)和绝缘栅沟槽(GT)，通过该绝缘栅沟槽(GT)将基极层(32)划分成连接于发射电极(E)的体区域(32b)和与发射电极(E)断开的浮置区域(32f)。在IGBT区域的单元区域中形成IGBT，且在二极管区域中形成二极管。IGBT区域的边界区域位于单元区域与二极管区域之间。边界区域中的相邻栅极沟槽(GT)之间的间距(Wx)小于单元区域中的其间设置浮置区域(32f)的相邻栅极沟槽(GT)之间的间距(Wf)。

公开(公告)号：CN101459182B

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200810184399.8

申请日：2008-12-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 曾根弘树 ,  山田明 ,  白木聪 ,  赤木望

IPC: H01L27/12

Abstract: 本发明公开一种半导体装置。该半导体装置包括包含有源层(101)、掩埋绝缘膜(103)和支撑衬底(102)的SOI衬底(104)；位于有源层(101)中且在第一基准电位下可操作的低电位基准电路部件(LV)；位于有源层(101)中且在第二基准电位下可操作的高电位基准电路部件(HV)；位于有源层(101)中且用于在第一和第二基准电位之间提供电平移动的电平移动元件形成部件(LS)；以及使支撑衬底(102)的第一和第二部分互相绝缘的绝缘构件(130)，其中所述第一和第二部分的位置分别对应于低和高电位基准电路部件(LV、HV)。

公开(公告)号：CN101459182A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200810184399.8

申请日：2008-12-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 曾根弘树 ,  山田明 ,  白木聪 ,  赤木望

IPC: H01L27/12

Abstract: 本发明公开一种半导体装置。该半导体装置包括包含有源层(101)、掩埋绝缘膜(103)和支撑衬底(102)的SOI衬底(104)；位于有源层(101)中且在第一基准电位下可操作的低电位基准电路部件(LV)；位于有源层(101)中且在第二基准电位下可操作的高电位基准电路部件(HV)；位于有源层(101)中且用于在第一和第二基准电位之间提供电平移动的电平移动元件形成部件(LS)；以及使支撑衬底(102)的第一和第二部分互相绝缘的绝缘构件(130)，其中所述第一和第二部分的位置分别对应于低和高电位基准电路部件(LV、HV)。