公开(公告)号：CN86103174A

公开(公告)日：1986-11-19

申请号：CN86103174

申请日：1986-05-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小池淳义 ,  目黑怜 ,  池田修二 ,  竹田敏文

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/72 ,  H01L29/76 ,  H01L21/02 ,  H01L21/70 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的多层布线半导体器件，是在下层金属布线层的侧面形成绝缘材料构成的侧墙，利用该侧墙表面的斜坡形状得以使下层金属布线层侧面的台阶突变趋于缓和，由此结构可以防止上层金属布线层的断裂及蚀刻不干净，防止下层金属布线层出现异常析出小丘，从而获得高可靠性的多层布线构造。

公开(公告)号：CN85108671A

公开(公告)日：1986-06-10

申请号：CN85108671

申请日：1985-11-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田修二 ,  小池淳义 ,  目黑怜 ,  奥山辛祜

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/72

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7838

Abstract: 在此公开的MOSFET具有一个与源区和漏区的导电类型相同的低杂质浓度的半导体区域，以及与栅极分离的高杂质浓度的源区和漏区，由此减小短沟道效应并提高漏结的击穿电压。

公开(公告)号：CN101174633A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710194140.7

申请日：2001-12-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 西田彰男 ,  吉田安子 ,  池田修二

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明提供一种具有多个存储单元的半导体集成电路器件，每个所述存储单元具有包括一对驱动MISFET和一对负载MISFET的一对反相器和一对传输MISFET，所述一对驱动MISFET的栅极和漏极分别彼此交叉连接，所述半导体集成电路器件包括：在所述驱动MISFET上方形成的夹层绝缘薄膜；连接所述栅极和漏极并在从所述栅极延伸到所述漏极的连接孔内形成的第一导电层；在所述第一导电层上方形成的下电极；在所述下电极上方形成的电容绝缘薄膜；在所述电容绝缘薄膜上方形成的上电极；以及与所述负载MISFET的源极电连接并在其侧壁与所述上电极连接的第二导电层。

公开(公告)号：CN1306613C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN02823476.6

申请日：2002-11-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 石典男 ,  熊谷幸博 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  竹田敏文 ,  太田裕之

IPC: H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/7846 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/7842

Abstract: 本发明的目的在于提供半导体器件及制造方法，半导体器件具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管，漏极电流特性优良、可靠性高。用于实现该目的的本发明的核心在于，在形成了n沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上设置氮化硅膜，而且在p沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上仅在与沟道方向垂直的方向上设置氮化硅膜。根据本发明，可以提供电流特性优良的具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管的半导体器件。

公开(公告)号：CN1146959C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN97182025.2

申请日：1997-03-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 西原晋治 ,  池田修二 ,  桥本直孝 ,  枫弘志 ,  阿部宏美 ,  深田晋一 ,  铃树正恭

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 利用溅射法在晶片的主表面上淀积Co膜，该溅射法采用Co纯度不小于99.99%较好是99.999%且Fe和Ni的含量不大于10ppm的高纯Co靶。所淀积的Co膜转变成Co硅化物膜，与MOSFET的栅极、源和漏欧姆接触，具有低电阻且几乎不引起漏电流。

公开(公告)号：CN1139976C

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN99104394.4

申请日：1999-03-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 石冢典男 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  吉田安子

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 在具有SGI构造的半导体元件中，在假定元件形成区域的宽度(有源区宽度)为D(微米)，SGI的沟氧化量为T(微米)和沟的下端部分的曲率半径为R时，对D、T、R进行选择使得它们满足D＜0.4(-100R+7)-1(-230T+14.5)，其中，T大于0.01(微米)的关系而构成的半导体元件，具有减轻在沟下端部分的硅衬底上发生的应力，不产生异常的漏泄电流的优良的特性。

公开(公告)号：CN1139129C

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN96123443.1

申请日：1996-11-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 轰原广见 ,  三浦英生 ,  铃树正恭 ,  西原晋治 ,  池田修二 ,  佐原政司 ,  石田进一 ,  阿部宏美 ,  荻岛淳史 ,  内山博之 ,  阿部园子

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，具有硅基片、电布线用金属、开在形成于硅基片上的绝缘膜上并用于硅基片和电布线用金属连接的多个接触孔、形成于该接触孔内部的硅化钛膜，其特征是，硅化钛膜的膜厚为10nm-120nm，最好是20nm-84nm，通过该硅化钛膜连接半导体区域和电布线用金属。

公开(公告)号：CN1244731A

公开(公告)日：2000-02-16

申请号：CN99111786.7

申请日：1999-08-11

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田修二 ,  吉田安子 ,  儿岛雅之 ,  盐泽健治 ,  木村光行 ,  中川典夫 ,  石桥孝一郎 ,  岛崎靖久 ,  长田健一 ,  内山邦男

IPC: H01L27/11 ,  H01L27/10 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/1052

Abstract: 提高包括SRAM的半导体集成电路器件的存储器的工作裕度。为了将构成SRAM的存储单元的驱动MISFET Qd、转移MISFET Qt和用作负载电阻的MISFET QL的Vth有意地相对地设定为高于SRAM外围电路和如微处理器等逻辑电路的预定MISFET的Vth,与设定预定MISFET的Vth的杂质引入步骤分开进行杂质引入步骤,以设定驱动MISFETQd、转移MISFET Qt和用作负载电阻的MISFET QL的Vth。

公开(公告)号：CN1128898A

公开(公告)日：1996-08-14

申请号：CN95117312.X

申请日：1995-09-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 三浦英生 ,  守部俊二 ,  加藤久幸 ,  小池淳义 ,  池田修二 ,  西村朝雄

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/22 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L21/02667 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66757 ,  H01L31/182 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包含多晶硅薄膜的半导体器件，在这种多晶硅薄膜中硅薄膜的晶粒主要具有圆柱形结构且各个晶粒的晶向几乎为均一的方向。这种膜可以这样制作：在基底薄膜的界面上先淀积一层无掺杂硅薄膜或者先淀积一层杂质层，然后淀积掺杂的硅薄膜，如果需要，接下来进行热处理使之多晶化。

公开(公告)号：CN85109742B

公开(公告)日：1988-06-29

申请号：CN85109742

申请日：1985-11-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田修二 ,  长泽幸一 ,  元吉真 ,  永井清 ,  目黑怜

IPC: H01L21/72 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0928

Abstract: 在一个共用的工序中形成了Ｐ和Ｎ沟道ＭＯＳ场效应晶体管的Ｐ和Ｎ型源或漏区的一些接触孔以后，通过这些接触孔至少在Ｎ型源或漏区以离子注入法注入一种Ｎ型杂质。把此Ｎ型杂质退火以形成一个比Ｎ型源或漏区为深的Ｎ型区。在退火处理期间，以一层绝缘薄膜覆盖住此Ｎ型源或漏区。