公开(公告)号：CN1146959C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN97182025.2

申请日：1997-03-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 西原晋治 ,  池田修二 ,  桥本直孝 ,  枫弘志 ,  阿部宏美 ,  深田晋一 ,  铃树正恭

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 利用溅射法在晶片的主表面上淀积Co膜，该溅射法采用Co纯度不小于99.99%较好是99.999%且Fe和Ni的含量不大于10ppm的高纯Co靶。所淀积的Co膜转变成Co硅化物膜，与MOSFET的栅极、源和漏欧姆接触，具有低电阻且几乎不引起漏电流。

公开(公告)号：CN1249065A

公开(公告)日：2000-03-29

申请号：CN97182025.2

申请日：1997-03-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 西原晋治 ,  池田修二 ,  桥本直孝 ,  枫弘志 ,  阿部宏美 ,  深田晋一 ,  铃树正恭

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 利用溅射法在晶片的主表面上淀积Co膜,该溅射法采用Co纯度不小于99.99%,较好是99.999%且Fe和Ni的含量不大于10ppm的高纯Co靶。 所淀积的Co膜转变成Co硅化物膜,与MOSFET的栅极、源和漏欧姆接触,具有低电阻且几乎不引起漏电流。

公开(公告)号：CN1516266A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200410003124.1

申请日：1997-03-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 西原晋治 ,  池田修二 ,  桥本直孝 ,  枫弘志 ,  阿部宏美 ,  深田晋一 ,  铃树正恭

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造半导体集成电路器件的方法，包括：在晶片的第一和第二区分别形成第一和第二栅电极图形；在该第一和第二栅电极图形的两侧分别形成第一和第二导电类型的半导体区；分别在第一和第二栅电极图形的侧壁上形成侧壁间隔层，并使硅膜的表面露出；由第一栅电极图形的硅膜形成第一导电类型的第一栅电极，并在其两侧形成第一导电类型的半导体区，由第二栅电极图形的硅膜形成第二导电类型的第二栅电极，在其两侧形成具有高杂质浓度的第二导电类型的半导体区；在晶片的主平面上淀积Co膜；对晶片进行热处理以在第一和第二栅电极的表面和在具有高杂质浓度的第一和第二导电类型的半导体区的表面上形成Co硅化物层；去除Co膜的未反应部分并对晶片进行热处理，以降低Co硅化物层的电阻。