公开(公告)号：CN1244731A

公开(公告)日：2000-02-16

申请号：CN99111786.7

申请日：1999-08-11

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田修二 ,  吉田安子 ,  儿岛雅之 ,  盐泽健治 ,  木村光行 ,  中川典夫 ,  石桥孝一郎 ,  岛崎靖久 ,  长田健一 ,  内山邦男

IPC: H01L27/11 ,  H01L27/10 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/1052

Abstract: 提高包括SRAM的半导体集成电路器件的存储器的工作裕度。为了将构成SRAM的存储单元的驱动MISFET Qd、转移MISFET Qt和用作负载电阻的MISFET QL的Vth有意地相对地设定为高于SRAM外围电路和如微处理器等逻辑电路的预定MISFET的Vth,与设定预定MISFET的Vth的杂质引入步骤分开进行杂质引入步骤,以设定驱动MISFETQd、转移MISFET Qt和用作负载电阻的MISFET QL的Vth。

公开(公告)号：CN100459132C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN99111786.7

申请日：1999-08-11

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田修二 ,  吉田安子 ,  儿岛雅之 ,  盐泽健治 ,  木村光行 ,  中川典夫 ,  石桥孝一郎 ,  岛崎靖久 ,  长田健一 ,  内山邦男

IPC: H01L27/11 ,  H01L27/10 ,  H01L21/8244

Abstract: 提高包括SRAM的半导体集成电路器件的存储器的工作裕度。为了将构成SRAM的存储单元的驱动MISFET Qd、转移MISFET Qt和用作负载电阻的MISFET QL的Vth有意地相对地设定为高于SRAM外围电路和如微处理器等逻辑电路的预定MISFET的Vth，与设定预定MISFET的Vth的杂质引入步骤分开进行杂质引入步骤，以设定驱动MISFET Qd、转移MISFET Qt和用作负载电阻的MISFET QL的Vth。