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公开(公告)号：CN104681554A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410397526.8
申请日：2014-08-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0635 , H01L23/552 , H01L23/642 , H01L25/072 , H01L27/0629 , H01L28/40 , H01L29/7393 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种降低寄生电感的半导体装置。实施方式的半导体装置，具备：基板；多个电路单元，排列配置在基板上方，各电路单元具有第一电极、第二电极、在第一电极及第二电极间串联地电连接的第一开关元件和第二开关元件、在第一电极及第二电极间与第一开关元件和第二开关元件并联地电连接的电容器、以及连接在第一开关元件与第二开关元件之间的交流电极；以及将多个电路单元包围的壳体；各电路单元的第一电极被赋予共通的电位，各电路单元的第二电极被赋予共通的电位，各电路单元的交流电极相互连接。
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公开(公告)号：CN103579146A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310083762.8
申请日：2013-03-15
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 高尾和人
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H03K17/6871 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H03K17/127 , H03K17/56 , H03K17/64 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体装置包括：第一开关元件；第一互连线路；第一电阻器；以及第二互连线路。第一开关元件包括第一控制端子、第一电极端子以及第一导体端子。第二开关元件包括第二控制端子、第二电极端子以及第二导体端子。第一互连线路包括第一端子间互连线路至第四端子间互连线路。第一电阻器的第一端与第一控制端子相连。第二电阻器的第一端与第二控制端子相连，第二电阻器的第二端与第一电阻器的第二端相连。第二互连线路被设置在第一电极端子和第二电极端子之间和/或设置在第一控制端子和第二控制端子之间。
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公开(公告)号：CN111416508B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202010003484.0
申请日：2020-01-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H02M1/08
Abstract: 本公开的实施方式涉及栅极电阻调整装置。提供能够简易地调整栅极电阻的栅极电阻调整装置。栅极电阻调整装置具备：波形输入部，输入开关元件的导通时及截止时的漏极电压或者集电极电压、漏极电流或者集电极电流的波形；提取部，根据利用波形输入部输入的波形，提取开关元件的导通及截止所需的时间、开关元件的稳定时的漏极电流或者集电极电流；计算部，根据由提取部提取出的时间和稳定时的漏极电流或者集电极电流，计算开关元件的栅极电阻；以及设定部，对开关元件设定由计算部计算出的栅极电阻。
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公开(公告)号：CN110416205B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201910675969.1
申请日：2016-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供半导体装置、逆变电路、驱动装置、车辆以及升降机。实施方式的半导体装置具备多个电路单元，该电路单元具有：基板；基板的第1侧的第1电极；在基板的第1侧与第1电极并列的第2电极；基板的第2侧的第3电极；以及第1开关元件和第2开关元件，在第1电极以及第2电极与第3电极之间的基板上并列，串联地电连接在第1电极与第2电极之间，在第1开关元件和第2开关元件之间电连接有第3电极，在邻接的两个电路单元中，一方的第1侧与另一方的第1侧邻接，一方的第2侧与另一方的第2侧邻接。
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公开(公告)号：CN114301289A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111001159.1
申请日：2021-08-30
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的一个方式涉及电气设备以及电力变换装置。提供不妨碍小型化就能够抑制浪涌、阻尼振荡的电气设备以及电力变换装置。电气设备具备初级侧环形电路，具有以环形状使电流流过的主电路；以及次级侧环形电路，与所述初级侧环形电路对置地隔开预定的距离而配置，使基于在所述初级侧环形电路中产生的磁场的感应电流以环形状流过。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104681554B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201410397526.8
申请日：2014-08-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0635 , H01L23/552 , H01L23/642 , H01L25/072 , H01L27/0629 , H01L28/40 , H01L29/7393 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种降低寄生电感的半导体装置。实施方式的半导体装置，具备：基板；多个电路单元，排列配置在基板上方，各电路单元具有第一电极、第二电极、在第一电极及第二电极间串联地电连接的第一开关元件和第二开关元件、在第一电极及第二电极间与第一开关元件和第二开关元件并联地电连接的电容器、以及连接在第一开关元件与第二开关元件之间的交流电极；第一端子，连接在各电路单元的上述第一电极与上述第一开关元件之间；第二端子，连接在各电路单元的上述交流电极与上述第二开关元件之间；以及将多个电路单元包围的壳体；各电路单元的第一电极被赋予共通的电位，各电路单元的第二电极被赋予共通的电位，各电路单元的交流电极相互连接。
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公开(公告)号：CN104425616B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201410427850.X
申请日：2014-08-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/41
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/049 , H01L29/42368 , H01L29/66068 , H01L29/7802
Abstract: 根据一个实施例，半导体器件包括第一半导体区、第二半导体区、第三半导体区、第一电极、第一绝缘部和第二绝缘部。该第一半导体区包括碳化硅，它是第一导电类型，并且包括第一部分和第二部分。该第二半导体区包括碳化硅，它是第二导电类型，并设于所述第二部分上。所述第三半导体区包括碳化硅，它是第一导电类型，并被设置在所述第二半导体区上。所述第一电极设置在所述第一部分和所述第三半导体区上。所述第一绝缘部设置在第三半导体区上，并与所述第一电极并列。该第二绝缘部设置在所述第一电极与所述第一部分之间以及所述第一电极和所述第一绝缘部之间。
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公开(公告)号：CN103681637B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201310077451.0
申请日：2013-03-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H02M7/00
CPC classification number: G05F3/20 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件包括：基板；第一电路部；和第二电路部。所述第一电路部包括：第一和第二开关元件，及第一和第二二极管。第二电路部包括第三和第四开关元件，及第三和第四二极管。第一开关元件与第二开关元件在第一方向上并置，并与第四开关元件在第二方向上并置。第三开关元件与第四开关元件在第一方向上并置，与第二开关元件在第二方向上并置。电压施加到第一和第三开关元件的电极，与第一电压相反极性的电压施加到第二和第四开关元件的电极。
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公开(公告)号：CN104916691A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410379832.9
申请日：2014-08-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0733 , H01L28/60 , H01L29/42372 , H01L29/7803
Abstract: 一种半导体装置，抑制成本上升，抑制误动作的产生，且可靠性高。其具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体区域，设置于上述第一电极与上述第二电极之间；第二导电型的第二半导体区域，设置于上述第一半导体区域与上述第二电极之间；第一导电型的第三半导体区域，设置于上述第二半导体区域与上述第二电极之间，该第三半导体区域的杂质浓度高于上述第一半导体区域的杂质浓度；第三电极，经由第一绝缘膜与上述第三半导体区域、上述第二半导体区域以及上述第一半导体区域接连；以及电容元件部，具有：与上述第二电极电连接的第四电极；与上述第三电极电连接的第五电极；以及设置于上述第四电极与上述第五电极之间的第二绝缘膜。
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公开(公告)号：CN104465654A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410428118.4
申请日：2014-08-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/02529 , H01L21/02664 , H01L29/36 , H01L29/861
Abstract: 根据一个实施例，半导体器件包含第一半导体区域、第二半导体区域、以及第三半导体区域。所述第一半导体区域包含碳化硅。所述第一半导体区域的导电类型是第一导电类型。所述第二半导体区域包含碳化硅。所述第二半导体区域的导电类型是第二导电类型。所述第三半导体区域包含碳化硅。所述第三半导体的导电类型是所述第二导电类型。所述第三半导体区域提供于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间。当在连接所述第一半导体区域和所述第二半导体区域的方向上看时，所述第二半导体区域与所述第三半导体区域的交叠区域的面积小于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域的交叠区域的面积。
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