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公开(公告)号：CN100483512C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200610137368.8
申请日：2006-10-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23C8/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C8/34 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , C23C28/3455 , C23C28/42 , G11B5/3163 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3268 , H01F41/305
Abstract: 一种磁阻效应元件的制造方法，该磁阻效应元件包括：磁化方向实质上被固定在一个方向的磁化固定层；磁化方向相对外部磁场发生变化的磁化自由层；间隔层，该间隔层包含设在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间的绝缘层和贯通所述绝缘层的电流通道，其特征在于，在形成所述间隔层时，使形成所述电流通道的第1非磁性金属层成膜，将变换为所述绝缘层的第2金属层在所述第1非磁性金属层上成膜，第1氧化工序的氧化气体分压小于等于第2氧化工序的氧化气体分压的1/10，依次进行2个阶段的氧化工序，在所述第1氧化工序中对所述第2金属层照射稀有气体的离子束或RF等离子。采用本方法，可以制造具有合适的面积电阻RA和高的MR变化率的磁阻效应元件。
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公开(公告)号：CN101331568A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680047653.9
申请日：2006-12-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F41/305 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11B5/3163 , G11B5/3166 , G11B5/398 , G11B5/3983 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1121
Abstract: 一种磁阻效应元件，通过下述方法制造：形成第一磁性层；在第一磁性层上形成的包括绝缘层和导电层的间隔层，该导电层穿过绝缘层并传导电流；和在形成的间隔层上形成的第二磁性层，该第二磁性层的全部或部分用离子、等离子体或加热来处理。
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公开(公告)号：CN101174669A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710147403.9
申请日：2007-09-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/39 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B2005/0002 , G11C11/16 , H01L43/08 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明提供一种能获得MR变化率高、并能期待与高记录密度对应的磁阻效应元件以及利用该元件的磁头、磁记录再生装置及磁性随机存取存储器。所述元件具有：固定磁化方向的第1磁性层；固定磁化方向的第2磁性层；设置于所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的中间层；以及对包括所述第1磁性层、所述中间层、所述第2磁性层的层叠膜的膜面垂直地通电的电极，所述中间层具有绝缘体区域和包括Fe、Co、Ni、Cr中至少一种的金属区域，使所述金属区域与所述第1及第2磁性层接触由此制成磁阻效应元件。
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公开(公告)号：CN103017795B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210225044.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , G01L9/0042 , H04R1/08 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 根据一个实施例，应变和压力检测器件包括半导体电路单元和检测单元。所述半导体电路单元包括半导体衬底和晶体管。所述晶体管设置在半导体衬底上。所述检测单元设置在所述半导体电路单元上，并且具有空间部分和非空间部分。所述非空间部分与所述空间部分并列。所述检测单元进一步包括活动梁、应变检测元件单元、以及第一和第二埋置互连部。所述活动梁具有固定部分和活动部分，并且包括第一和第二互连层。所述固定部分被固定到所述非空间部分。所述活动部分与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中。所述应变检测元件单元被固定到所述活动部分。所述第一和第二埋置互连部设置在所述非空间部分中。
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公开(公告)号：CN103017795A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210225044.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , G01L9/0042 , H04R1/08 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 根据一个实施例，应变和压力检测器件包括半导体电路单元和检测单元。所述半导体电路单元包括半导体衬底和晶体管。所述晶体管设置在半导体衬底上。所述检测单元设置在所述半导体电路单元上，并且具有空间部分和非空间部分。所述非空间部分与所述空间部分并列。所述检测单元进一步包括活动梁、应变检测元件单元、以及第一和第二埋置互连部。所述活动梁具有固定部分和活动部分，并且包括第一和第二互连层。所述固定部分被固定到所述非空间部分。所述活动部分与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中。所述应变检测元件单元被固定到所述活动部分。所述第一和第二埋置互连部设置在所述非空间部分中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101276878A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810088314.6
申请日：2008-03-27
CPC classification number: G11B5/3906 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/39 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01L43/08 , Y10S977/943
Abstract: 一种磁阻效应元件，包括：固定磁化层，其磁化被实质地固定在一个方向上；自由磁化层，其磁化根据外部磁场转动，并被形成于所述固定磁化层的相对面；分隔层，包括具有绝缘层和在所述绝缘层的厚度方向上通过电流的导体的电流限制层，并位于所述固定磁化层和所述自由磁化层之间；薄膜层，相对于所述自由磁化层位于所述分隔层的相对侧；及功能层，含有从Si、Mg、B、Al组成的组中选择的至少一种元素，并形成于所述固定磁化层、所述自由磁化层和所述薄膜层中至少一个层之中或之上。
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公开(公告)号：CN101101957A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127878.1
申请日：2007-07-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/398 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/305 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1121 , Y10T428/1129
Abstract: 本发明提供一种可力求提高MR变化率和可靠性的磁阻效应元件、磁头、以及磁盘装置。其中，通过形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层，在该第1金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层，在该功能层上形成以Al为主要成分的第2金属层，对该第2金属层进行氧化·氮化·氧氮化处理，形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层，来构成磁阻效应元件的隔层。
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公开(公告)号：CN111796220B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202010160188.1
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01R33/02
Abstract: 提供能够提高检测灵敏度的磁传感器、传感器模块及诊断装置。根据实施方式，磁传感器包括第1元件、第1布线及第1磁性部。所述第1元件包括第1磁性层、第1对置磁性层和设置于所述第1磁性层与所述第1对置磁性层之间的第1非磁性层。从所述第1对置磁性层向所述第1磁性层的方向沿着第1方向。所述第1布线在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸。所述第1磁性部包括第1区域及所述第1对置区域。所述第1布线的至少一部分在所述第1方向上位于所述第1区域与所述第1对置区域之间。
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公开(公告)号：CN101101959B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710128678.8
申请日：2007-07-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3983 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/398 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/305 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明其目的在于提供一种可应用于高密度存储的磁存储装置、可设法提高可靠性的磁阻效应元件。本发明的具有隔层的CCP结构的磁阻效应元件的制造方法中，该隔层形成时，形成第一金属层，在该第一金属层上形成可变换为该绝缘层的第二金属层，进行第一氧化或氮化处理，将该第二金属层变换为该绝缘层，并且形成贯通该绝缘层的该金属层，在通过该第一变换处理所形成的该绝缘层和该金属层上形成可变换为该绝缘层的第三金属层，进行第二氧化或氮化处理，将该第三金属层变换为该绝缘层，并且形成贯通该绝缘层的金属层。
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公开(公告)号：CN101101958A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127879.6
申请日：2007-07-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/39 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/12 , Y10T29/49032 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
Abstract: 本发明其目的在于提供一种可应用于高密度存储的磁存储装置、可设法提高可靠性的磁阻效应元件。本发明的磁阻效应元件的制造方法，该磁阻效应元件包括：磁化方向实质上固定于一方向的磁化固定层；磁化方向与外部磁场相对应而变化的磁化自由层；以及设置于所述磁化固定层和所述磁化自由层两者间、包含绝缘层和贯通所述绝缘层的金属层的隔层，对所述磁化固定层、构成所述隔层的所述第一金属层、所述第二金属层、所述第二金属层变换为所述绝缘层之后的绝缘层、以及所述第三非磁性金属层的至少一部位照射离子或等离子，来增强各层间的密接性。
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