公开(公告)号：CN101276878A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810088314.6

申请日：2008-03-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  TDK株式会社

Inventor： 藤庆彦 ,  福泽英明 ,  汤浅裕美 ,  张坤亮 ,  李民 ,  原通子 ,  黑崎义成

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  G11B5/39 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11B5/3906 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/39 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  H01L43/08 ,  Y10S977/943

Abstract: 一种磁阻效应元件，包括：固定磁化层，其磁化被实质地固定在一个方向上；自由磁化层，其磁化根据外部磁场转动，并被形成于所述固定磁化层的相对面；分隔层，包括具有绝缘层和在所述绝缘层的厚度方向上通过电流的导体的电流限制层，并位于所述固定磁化层和所述自由磁化层之间；薄膜层，相对于所述自由磁化层位于所述分隔层的相对侧；及功能层，含有从Si、Mg、B、Al组成的组中选择的至少一种元素，并形成于所述固定磁化层、所述自由磁化层和所述薄膜层中至少一个层之中或之上。

公开(公告)号：CN101047229A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710089699.3

申请日：2007-03-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福泽英明 ,  黑崎义成 ,  汤浅裕美 ,  藤庆彦 ,  岩崎仁志

IPC: H01L43/08 ,  H01F10/32 ,  G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3903 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/398 ,  G11B5/455 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08

Abstract: 磁阻效应元件包括磁化固定层、分隔层和磁化自由层，该磁化固定层含有第一晶粒，并具有基本固定在一个方向上的磁化方向；该分隔层配置在磁化固定层上并且含有绝缘层和贯通绝缘层的金属导体；该磁化自由层含有第二晶粒，并配置在分隔层上与金属导体相对，并且具有对应外部磁场改变的磁化方向。

公开(公告)号：CN114594415B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202110974059.0

申请日：2021-08-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 白鸟聪志 ,  岩崎仁志 ,  喜喜津哲 ,  东祥弘 ,  黑崎义成

IPC: G01R33/09

Abstract: 提供能够实现灵敏度的提高的磁传感器及检查装置。根据实施方式，磁传感器具备第1～第4磁元件、第1～第4导电部件及第1～第5磁性部件。第1磁元件及第1导电部件与第1磁性部件与第3磁性部件之间的区域重叠。所述第2磁元件及第2导电部件与第4磁性部件与第2磁性部件之间的区域重叠。第3磁元件及第3导电部件与第3磁性部件与第5磁性部件之间的区域重叠。第4磁元件及第4导电部件与第5磁性部件与第4磁性部件之间的区域重叠。

公开(公告)号：CN111436186B

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202010026390.5

申请日：2020-01-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  芝浦机械电子株式会社

Inventor： 喜喜津哲 ,  黑崎义成 ,  山田健一郎 ,  松中繁树

IPC: H05K9/00 ,  H01L23/552

Abstract: 提供能够使电磁波的衰减特性提高的电磁波衰减体及电子装置。根据实施方式，电磁波衰减体包括多个磁性层和导电性的多个非磁性层。从所述多个磁性层中的一个磁性层向所述多个磁性层中的另一个磁性层的方向沿着第1方向。所述多个非磁性层中的一个非磁性层位于所述多个磁性层中的所述一个磁性层与所述多个磁性层中的所述另一个磁性层之间。所述多个磁性层中的所述一个磁性层的沿着所述第1方向的第1厚度为所述多个非磁性层中的所述一个非磁性层的沿着所述第1方向的第2厚度的1/2倍以上。所述多个磁性层的数量为3以上。

公开(公告)号：CN102428544A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200980159359.0

申请日：2009-05-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有贺智崇 ,  大泽裕一 ,  伊藤顺一 ,  黑崎义成 ,  柏田沙织 ,  平冈俊郎 ,  天野实 ,  柳晓志

IPC: H01L21/3065 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/855 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122

Abstract: 本发明提供凹凸图案形成方法，能够尽可能地抑制凹凸图案的凸部的垂肩。所述凹凸图案形成方法的特征在于，具备以下工序：在形成有凹凸图案的基材(2，4)上形成备有具有凸部的图案的导向图案(6)的工序；在导向图案上形成具有层叠有第一层(8)和第二层(10)的形成层的工序，第一层(8)包含选自第一金属元素及类金属元素中的至少一个元素，所述第二层(10)包含与所述第一金属元素不同的第二金属元素；通过蚀刻形成层，仅在凸部的侧部选择性地留置形成层的工序；除去导向图案的工序；以及通过以留置的形成层作为掩膜来蚀刻基材，由此在基材上形成凹凸图案的工序。

公开(公告)号：CN111491500B

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202010068778.1

申请日：2020-01-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  芝浦机械电子株式会社

Inventor： 喜喜津哲 ,  黑崎义成 ,  山田健一郎 ,  松中繁树

IPC: H05K9/00 ,  H01L23/552

Abstract: 提供能够提高电磁波的衰减特性的电磁波衰减体及电子装置。根据实施方式，电磁波衰减体包括多层构件及磁性构件。所述多层构件包括多个磁性层和导电性的多个非磁性层。从所述多个磁性层中的一个磁性层向所述多个磁性层中的另一个磁性层的方向沿着从所述多层构件向所述磁性构件的第1方向。所述多个非磁性层中的一个非磁性层位于所述多个磁性层中的所述一个磁性层与所述多个磁性层中的所述另一个磁性层之间。所述磁性构件的沿着所述第1方向的厚度为所述多层构件的沿着所述第1方向的厚度的1/2以上。

公开(公告)号：CN114594415A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202110974059.0

申请日：2021-08-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 白鸟聪志 ,  岩崎仁志 ,  喜喜津哲 ,  东祥弘 ,  黑崎义成

IPC: G01R33/09

Abstract: 提供能够实现灵敏度的提高的磁传感器及检查装置。根据实施方式，磁传感器具备第1～第4磁元件、第1～第4导电部件及第1～第5磁性部件。第1磁元件及第1导电部件与第1磁性部件与第3磁性部件之间的区域重叠。所述第2磁元件及第2导电部件与第4磁性部件与第2磁性部件之间的区域重叠。第3磁元件及第3导电部件与第3磁性部件与第5磁性部件之间的区域重叠。第4磁元件及第4导电部件与第5磁性部件与第4磁性部件之间的区域重叠。

公开(公告)号：CN102428544B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN200980159359.0

申请日：2009-05-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有贺智崇 ,  大泽裕一 ,  伊藤顺一 ,  黑崎义成 ,  柏田沙织 ,  平冈俊郎 ,  天野实 ,  柳晓志

IPC: G11B5/84 ,  H01L21/3065

CPC classification number: G11B5/855 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122

Abstract: 本发明提供凹凸图案形成方法，能够尽可能地抑制凹凸图案的凸部的垂肩。所述凹凸图案形成方法的特征在于，具备以下工序：在形成有凹凸图案的基材(2，4)上形成备有具有凸部的图案的导向图案(6)的工序；在导向图案上形成具有层叠有第一层(8)和第二层(10)的形成层的工序，第一层(8)包含选自第一金属元素及类金属元素中的至少一个元素，所述第二层(10)包含与所述第一金属元素不同的第二金属元素；通过蚀刻形成层，仅在凸部的侧部选择性地留置形成层的工序；除去导向图案的工序；以及通过以留置的形成层作为掩膜来蚀刻基材，由此在基材上形成凹凸图案的工序。