公开(公告)号：CN1630093A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410101189.X

申请日：2004-12-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中村和敏 ,  安原纪夫 ,  末代知子 ,  松下宪一 ,  中川明夫

IPC: H01L29/00 ,  H01L29/78 ,  H02M3/00

CPC classification number: H02M3/158 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H02M1/08 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种包含功率MOSFET和驱动该晶体管的驱动电路的、适用于高速转换的非绝缘型DC－DC转换器。半导体装置具备高端开关元件、驱动电路和低端开关元件。所述高端开关元件形成于第1半导体基底上，向电流通路的一端提供输入电压，所述电流通路的另一端连接于电感上。所述驱动电路形成于形成所述高端开关元件的所述第1半导体基底上，驱动所述高端开关元件。所述低端开关元件形成于与所述第1半导体基底不同的第2半导体基底上，在漏极上连接电感，向源极提供基准电位。

公开(公告)号：CN1449058A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03108615.2

申请日：2003-03-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野升太郎 ,  山口好广 ,  川口雄介 ,  中村和敏 ,  安原纪夫 ,  松下宪一 ,  帆玉信一 ,  中川明夫

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7809

Abstract: 本发明提供一种保持低导通阻抗仍能降低栅漏间容量的半导体器件。本发明的功率MOSFET(1)，具有：在n+型低阻抗半导体衬底(10)上形成的n－型高阻抗外延层(50)；在n－型高阻抗外延层(50)的表面部分选择地形成的p型基极层(14)；在p型基极层(14)的表面部分选择地形成的n+型源极层(16)；在n－型高阻抗外延层(50)的表面部分，在p型基极层(14)之间，选择地形成的具有比n－型高阻抗外延层(50)高的杂质浓度的Njfet层(40)；隔着栅极绝缘膜(22)形成的栅电极(24)；及源电极(20)和漏电极(12)；在该功率MOSFET(1)中，将夹着Njfet层(40)的p型基极层(14)被配置成相互接近，以便从这些基极层(14)控制耗尽。