公开(公告)号：CN103915531A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310741264.8

申请日：2013-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 名古肇 ,  木村重哉 ,  原田佳幸 ,  布上真也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/14 ,  H01L33/325 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/34346

Abstract: 本公开涉及一种半导体发光元件及其制造方法。根据一实施例，半导体发光元件包括其中包括氮化物半导体的n型半导体层、p型半导体层和发光层。所述p型半导体层包括其中包括Mg的Alx1Ga1-x1N(0≤x1

公开(公告)号：CN103839979A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310394029.8

申请日：2013-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  吉田学史 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括层叠体和功能层。所述层叠体包括由AlxGa1-xN（0

公开(公告)号：CN102399557B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201110266293.4

申请日：2011-09-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 冈田葵 ,  福田由美 ,  松田直寿 ,  三石巌 ,  布上真也 ,  惠子·阿尔博萨德 ,  加藤雅礼

IPC: C09K11/80 ,  C09K11/64 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7734 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7728 ,  F21K9/64 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/181 ,  Y02B20/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种红光发射荧光物质及使用其的光发射器件。特别地，本发明的实施方案提供了由下式(1)所表征的红光发射荧光物质：(M1-xECx)aM1bAlOcNd？？？？？？(1)。在式(1)中，M是选自IA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、IIIB族元素、稀土元素和IVA族元素的元素；EC是选自Eu、Ce、Mn、Tb、Yb、Dy、Sm、Tm、Pr、Nd、Pm、Ho、Er、Cr、Sn、Cu、Zn、As、Ag、Cd、Sb、Au、Hg、Tl、Pb、Bi和Fe的元素；M1不同于M并且选自四价元素；并且x、a、b、c和d分别满足条件：0＜x＜0.2、0.55＜a＜0.80、2.10＜b＜3.90、0＜c≤0.25和4＜d＜5。当由在250-500nm波长范围内的光激励时，该物质发射在620-670nm波长范围内具有峰值的光。

公开(公告)号：CN102169931B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201010275583.0

申请日：2010-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  盐田伦也 ,  原田佳幸 ,  布上真也

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括n型和p型半导体层、势垒层以及阱层。所述n型和p型半导体层以及势垒层包含氮化物半导体。势垒层被设置在n型半导体层与p型半导体层之间。阱层被设置在势垒层之间，阱层的带隙能量小于势垒层的带隙能量，阱层包含InGaN。势垒层中的至少一个包括第一层、第二层以及第三层。第二层被设置为比第一层更靠近p型半导体层。第三层被设置为比第二层更靠近p型半导体层。第二层包含AlxGa1-xN(0＜x≤0.05)。第二层的带隙能量大于第一和第三层的带隙能量。第一和第二层的总厚度不大于第三层的厚度。

公开(公告)号：CN102104106B

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201010274406.0

申请日：2010-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  佐藤高洋 ,  三石巌 ,  布上真也

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/504 ,  H01L24/29 ,  H01L33/507 ,  H01L33/508 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种发光器件。根据一个实施例，一种发光器件包括半导体发光元件、安装构件、第一波长转换层和第一透明层。所述半导体发光元件发射第一光。所述半导体发光元件被设置在所述安装构件上。所述第一波长转换层被设置在所述半导体发光元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述第一透明层被设置在所述半导体发光元件与所述第一波长转换层之间且与所述半导体发光元件和所述第一波长转换层接触。所述第一透明层对所述第一光和所述第二光透明。

公开(公告)号：CN103137821A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201310075837.8

申请日：2009-12-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村本卫司 ,  布上真也

IPC: H01L33/42

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 能够提供具备欧姆性和透过性尽可能良好的p电极的半导体发光元件。该半导体发光元件具备：基板；在基板上设置的n型半导体层；在n型半导体层的第1区域上设置的发光的活性层；在活性层上设置的p型半导体层；在p型半导体层上设置的且具有氧含有率小于40原子%的第1导电性氧化物层的p电极；以及在n型半导体层的第2区域上设置的n电极。

公开(公告)号：CN102403438A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110050912.6

申请日：2011-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 三石严 ,  石田邦夫 ,  福田由美 ,  冈田葵 ,  松田直寿 ,  布上真也 ,  阿尔贝萨惠子

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/54

CPC classification number: C09K11/7734 ,  C09K11/7728 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及发光装置，具有：基板；安装于基板p主面的发光元件；红色荧光体层，是在发光元件上形成的半径为r的半圆状且含有式(1)的红色荧光体：(M1-x1Eux1)aSibAlOcNd(1)(M是从IA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、除Al外的IIIB族元素、稀土族元素及IVB族元素选取的元素，x1、a、b、c、d满足以下关系：0＜x1≤1、0.60＜a＜0.95、2.0＜b＜3.9、0.04≤c≤0.6、4＜d＜5.7)；透明树脂的中间层，形成于红色荧光体层上且是半径为D的半圆状；和绿色荧光体层，形成于中间层上且是半圆状并含有绿色荧光体，半径r和半径D的关系满足式(2)：2.0r(μm)≤D≤(r+1000)(μm)(2)。

公开(公告)号：CN102194942A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010275579.4

申请日：2010-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村重哉 ,  名古肇 ,  岡俊行 ,  橘浩一 ,  彦坂年輝 ,  布上真也

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括包含氮化物半导体的n型半导体层、包含氮化物半导体的p型半导体层、发光部以及层叠体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括势垒层和阱层。所述阱层与所述势垒层层叠。所述层叠体被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括第一层和第二层。所述第二层与所述第一层层叠。所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍。所述势垒层的层厚度tb为10nm或更小。

公开(公告)号：CN101276870B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810082459.5

申请日：2008-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 波多腰玄一 ,  斋藤真司 ,  服部靖 ,  布上真也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件，能够降低串联电阻，可以使光取出效率提高。本发明的半导体发光器件，包括：活性层(14)，放射波长λ的光；第1导电型的第1半导体层(10、12)，具有设置在活性层(14)上、与活性层(14)相接的第1主面，与第1主面对置的第2主面，及与第2主面相接、与平行于第2主面的面之间具有45度以上且小于90度的斜角的侧面；第2导电型的第2半导体层(18)，夹着活性层(14)与第1半导体层(10、12)对置；及第1电极(20)，夹着第2半导体层(18)与活性层(14)对置；活性层(14)与第1电极(20)间的距离d依存于波长λ及第2半导体层(18)的折射率n。

公开(公告)号：CN101226978A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810004026.8

申请日：2008-01-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部靖 ,  斋藤真司 ,  布上真也 ,  波多腰玄一 ,  橘浩一 ,  信田直美 ,  三石严

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  Y10S362/80 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种发光器件，包括发射激发光的发光元件和荧光元件。所述荧光元件包括面向发光元件的透射激发光的半透明膜；包括磷光体的发光膜，用来吸收透射穿过半透明膜的激发光、并发射波长不同于所述激发光的可见光；以及布置在其上布置有半透明膜的发光膜相反一侧上的反射膜，用来将透射穿过发光膜的激发光反射向发光膜。