-
公开(公告)号：CN1068597A
公开(公告)日：1993-02-03
申请号：CN92105508.0
申请日：1992-07-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B22F1/0088 , C22C1/04 , H01H1/0206
Abstract: 一种合金制备方法，合金含有铬组分和基本组分，基本组分含至少一种选自铜和银组成的元素组的元素。该方法包括下列工序：将铬材料与碳材料一起进行热处理；再用热处理工序处理过的铬材料和基本组分的材料制造合金材料。在热处理工序中铬材料与50百万分率至5,000百万分率的碳材料混合，然后在非氧化气氛下加热至800℃至1,400℃温度范围。按照该制造方法，合金材料中氧含量降低到不高于200百万分率。得出的合金材料可用作真空断路器的触头材料。
-
公开(公告)号：CN102956514A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210282425.7
申请日：2012-08-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: C22C9/02 , C22C28/00 , H01L23/3735 , H01L23/488 , H01L23/562 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/83825 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/15747 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置的制造方法及半导体装置，通过通用性较高、能够得到良好的高温环境下的可靠性的方法进行半导体芯片的安装，能够进行半导体装置的高温动作。在安装基板与半导体芯片之间夹装如下的接合层，并在熔融层的熔点以上的温度下保持，通过液相扩散形成比熔融层熔点高的合金层，使安装基板与半导体芯片接合，上述接合层具有：含有从Cu、Al、Ag、Ni、Cr、Zr、Ti中选择的某种金属或其合金的接合支撑层；和夹着接合支撑层而层叠的、含有从Sn、Zn、In中选择的某种金属或由从该金属中选择的两种以上的金属构成的合金的熔融层，上述接合层至少在最外层形成有熔融层。
-
公开(公告)号：CN100358063C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200510056186.3
申请日：2005-03-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H1/02
CPC classification number: H01H1/0206
Abstract: 一种复合触点，它包括第一层和第二层，所述第一层含有Cu-Cr混合物，其中平均粒径为0.1-150微米的Cr粉或粒子，与平均粒径为0.1-150微米的Cu粉或粒子，以这样的比例混合起来：15-60重量%Cr，余量为Cu。所述第二层含有Cu。第一层与第二层彼此结合起来，同时，第一层的Cu从第一层与第二层之间的界面进入第二层20-100微米的范围，第二层的Cu从该界面进入第一层20-100微米范围内。
-
公开(公告)号：CN1674180A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510056186.3
申请日：2005-03-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H1/02
CPC classification number: H01H1/0206
Abstract: 一种复合触点，它包括第一层和第二层，所述第一层含有Cu－Cr混合物，其中平均粒径为0.1－150微米的Cr粉或粒子，与平均粒径为0.1－150微米的Cu粉或粒子，以这样的比例混合起来：15－60重量％Cr，余量为Cu。所述第二层含有Cu。第一层与第二层彼此结合起来，同时，第一层的Cu从第一层与第二层之间的界面进入第二层20－100微米的范围，第二层的Cu从该界面进入第一层20－100微米范围内。
-
公开(公告)号：CN1264142A
公开(公告)日：2000-08-23
申请号：CN00101829.9
申请日：2000-02-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H33/664 , C23C14/00 , C22C9/00
CPC classification number: H01H1/0203
Abstract: 作为接点,采用{W－CuxSb－余量Cu}合金;作为该合金中的耐电弧成分,采用粒径为0.4～9μm并且含量为65～85%的W或WMo;作为辅助成分,采用粒径为0.02～20μm并且含量为0.09～1.4%的CuxSb,x=1.9～5.5,平均粒子间距为0.2～300μm。另外,作为导电成分,采用Cu、CuSb固溶体,在该CuSb固溶体中存在0.5%以下呈固溶状态的Sb。结果使得,在受到电弧作用时,能够减少由蒸发所引起的CuxSb的飞散,抑制在接点面上产生对再起弧的发生具有不利影响的明显的龟裂,减轻W粒子的飞散脱落,减少接点表面的熔化和飞散损伤,并能同时提高接点的再起弧抑制特性和接触电阻特性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1253377A
公开(公告)日：2000-05-17
申请号：CN99123411.1
申请日：1999-11-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K3/0061 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种能够防止温度循环造成的焊料疲劳损伤并能够提高可靠性的模块式半导体器件。此模块式半导体器件具有绝缘陶瓷层1、连接于绝缘陶瓷层一个表面的第一导电层2、连接于绝缘陶瓷层另一个表面的第二导电层3、连接在第一导电层上的半导体元件、以及通过焊料6a连接在第二导电层上的导热底座7a,且导热底座的厚度tb对焊料的厚度ts的比率tb/ts在6.7—80的范围内。
-
公开(公告)号：CN1045682C
公开(公告)日：1999-10-13
申请号：CN94101048.1
申请日：1994-02-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H1/02
CPC classification number: H01H1/0203
Abstract: 一种用于真空管的触点材料，它包括：一类耐电弧成份，该耐电弧成分包含至少从一组金属中选择出来的一种金属，上述金属组有：铬、钛、锆、钒及钇。一类辅助成分，该辅助成分包含至少从一组金属中选择出来的一种金属，上述金属组有：钽、铌、钨及钼，以及一类导电成分，该导电成分包含至少从一组金属中选择出来的一种金属，上述金属组有铜及银。在上述触点材料中，耐电弧成分的含量按体积计为10%至70%，上述耐电弧成分与上述辅助成分的总含量按体积计不超过75%，其余为导电成分的含量。
-
公开(公告)号：CN1213153A
公开(公告)日：1999-04-07
申请号：CN98120616.6
申请日：1998-09-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01J21/00
CPC classification number: H01H1/0206
Abstract: 本发明是把真空阀的接点坯料制成由Cu等高导电性成分和由Cr构成的粒径在0.1～150μm范围里的颗粒至少占90容积%的耐弧性成分构成,而且使这种接点坯料的900℃时热膨胀率α900和50℃时的热膨胀率α50的差与900℃时的热膨胀率α900的比率[(α900－α50)×100/(α900)]为0.8%以上、12%以下。由此,能抑制经钎焊工序后,在Cr颗粒和Cu基体的界面上沟的生成,能使静耐压特征、接触电阻特性稳定,还能使切断循征稳定。
-
公开(公告)号：CN1197990A
公开(公告)日：1998-11-04
申请号：CN98107837.0
申请日：1998-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C22C29/08 , H01H1/0203
Abstract: 本发明的触点材料,由含有55～70重量%的平均粒径为0.1～6μm的碳化钨(WC)的银－碳化钨合金构成,包含0.005～0.2重量%的其等价直径为0.01～5μm并且处于非固溶状态或非化合物形成状态下的碳C。通过本发明,能够提高触点材料的断路特性。
-
公开(公告)号：CN1091856A
公开(公告)日：1994-09-07
申请号：CN94100518.6
申请日：1994-01-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H1/02
CPC classification number: H01H1/0203
Abstract: 一种真空管接点材料，包括一种防弧成分，其包含选自于由钽、铌、钨和钼组成的元素族中的至少一种；和一种辅助成分，其包含选自于由铬、钛、钇、锆、钴和钒组成的元素族中的至少一种。接点材料进一步包括一种导电成分，其包含选自于由铜和银组成的族中的至少一种。防弧成分的体积量从25％至75％。防弧成分以及辅助成分的总量不超过体积的75％。其余为导电成分的量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
46
records
(took 0.024 seconds)
