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公开(公告)号：CN102194630A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010127743.7
申请日：2010-03-19
Applicant: 李学成
Inventor： 李学成
Abstract: 电子从阴极飞向阳极的空间，加上一个跟电子运动方向垂直的磁场，运动的电子受到外加磁场的影响(即受到洛仑兹力影响)，电子运动的路径将发生偏移，在电子偏移的路径上加装一个截获电子的电极，这个电极称获电极，获电极跟阴极之间串接上安培表构成了电子返回阴极的回路，安培表显示的电流就是加在阴极板使阴极板电子逸出的能转换成的电能，这个电流称磁偏移获电电流，做成这样的管子称磁偏移获电电流管。磁偏移获电电流管可以把加在它的阴极板上，使阴极板电子逸出的能转换成电能，如汇聚的目光、酒精或煤等直接加热阴极，在获电极和阴极之间得到的电流就是转换成的电能。气体放电也能产生磁偏移获电电流。
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公开(公告)号：CN1617027A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410095933.X
申请日：2004-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335 , H01J61/00 , H01J21/00 , G09F9/00
CPC classification number: H01J65/046 , G02F1/133604 , H01J9/247 , H01J61/305
Abstract: 一种面光源装置包括主体、分隔部件和可见光产生单元。该主体包括第一和第二基板。该第一基板具有第一放电区、与该第一放电区交替形成的第一空间划分区及从该第一空间划分区突出的光透射部。该第二基板面对该第一基板。该分隔部件夹在该第一和第二基板之间以在第一和第二基板之间形成一放电空间。该可见光产生单元位于主体上并产生可见光。由此，在传统显示装置中由于分隔部件而显示的暗线被转成亮线，并且该亮线被光漫射图案或漫射部件漫射。因此，增强了亮度及亮度的均匀性。
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公开(公告)号：CN1181613A
公开(公告)日：1998-05-13
申请号：CN97121265.1
申请日：1997-10-30
Applicant: 摩托罗拉公司
CPC classification number: H01J3/022 , H01J2201/025
Abstract: 场致发射器件包括一个支承在底;一个形成于其上的阴极;多个电子发射体;多个栅控提取电极,它们被放置得贴近多个电子发射体,用于使电子发射体产生电子发射体;一个主要介质表面放置在多个栅控提取电极之间;一个电荷耗散层,形成于主要介质表面上;和一个同栅控提取电极隔开一定距离的阳极。
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公开(公告)号：CN1058294A
公开(公告)日：1992-01-29
申请号：CN91104164.8
申请日：1991-06-18
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 史蒂文·M·齐默尔曼
CPC classification number: H01J9/025 , H01J21/105 , H01J2201/30457 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明一般涉及一新的集成真空微电子器件及其制造方法。真空微电子器件需要几个独特的三维结构：锐利的场发射尖端。该尖端在真空环境中在控制栅极结构内的精确对准，和收集由尖端发射出的电子的阳极。还公开了一个新结构和形成二极管、三极管、四极管、五极管和其它类似结构的工艺方法。最终制得的结构还可以与其它类似的VMD器件或其它电子器件相连。
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公开(公告)号：CN119028791A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410474158.6
申请日：2024-04-19
Applicant: 横河电机株式会社
Abstract: 提供一种内部的温度不易升高的真空管支撑构造。一种真空管支撑构造，具有：真空管；罩，其将所述真空管覆盖；以及支撑部件，其对所述真空管和所述罩进行支撑，所述罩具有：流体导入部，其为了将流体导入至所述罩内而从所述罩通过；以及流体排出部，其为了将所述流体从所述罩内排出而从所述罩通过，从所述流体导入部导入的所述流体与所述真空管接触并通过所述流体排出部而排出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113828773A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110582154.6
申请日：2021-05-25
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: B22F3/02 , B22F3/10 , B22F3/24 , H01J19/066 , H01J21/00
Abstract: 本发明公开了一种真空电子器件用钼棒及其制备方法，所述钼棒化学成分为纯钼，钼含量不低于99.95重量％；直径20～90mm；相对密度≥99.5％；表面粗糙度优于0.2μm；抗拉强度≥600MPa、屈服强度≥550MPa、延伸率≥30％。本发明的钼棒材制备方法包括：高纯度钼粉为原料，制备冷等静压坯；氢气‑真空复合烧结；低温大变形量开坯；中间退火及校直加工；减径加工；碱洗、修磨；退火处理；机加工；最终得到组织成分均匀、致密度高、强韧性好的大直径规格、高强韧钼棒材，可作为大尺寸规格真空电子钼基器件加工原料。
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公开(公告)号：CN1280866C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN02122066.2
申请日：2002-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L25/16 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2924/19105 , H05K1/141 , H05K1/162 , H05K1/165 , H05K3/3436 , H05K2201/049
Abstract: 在半导体元件(11)的一个面(11a)上设置布线部(12)。布线部(12)至少具有将半导体元件(11)的端子间进行连接的接口电路(13)和将半导体元件(11)的端子(18)和半导体组件的输入输出端(19)进行连接的接口电路中的一个电路。
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公开(公告)号：CN1023162C
公开(公告)日：1993-12-15
申请号：CN91104164.8
申请日：1991-06-18
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 史蒂文·M·齐默尔曼
CPC classification number: H01J9/025 , H01J21/105 , H01J2201/30457 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种新的集成真空微电子器件及其制造方法。真空微电子器件需要满足几种特定三维结构的要求：即税利的场发射尖端、真空环境中在控制栅极结构内的该尖端精确对准，以及用于收集由尖端发射出的电子的阳极。最终制得的集成真空微电子器件还可以与其它类似的VMD器件或其它器件相连。
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公开(公告)号：CN116487237A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310370518.3
申请日：2023-04-07
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种降低阳极三结合点电场强度的绝缘堆栈及其制备方法，用于解决现有的一体化高压真空绝缘堆栈阳极三结合点的电场强度过大，导致绝缘堆栈容易发生闪络或被击穿的技术问题。本发明的绝缘堆栈中金属均压环内侧同轴周向设置有环形的第一屏蔽结构；第一屏蔽结构包括高于金属均压环上端面的第一环形凸起，以及设置在第一环形凸起下端面的第二环形凸起；第一环形凸起延伸出第二环形凸起侧壁的底面和与其连接的第二凸起侧壁之间形成夹角θ，用于使第一环形凸起与第二环形凸起靠近相应三角斜槽的一端形成电场屏蔽功能，以降低相应阳极三结合点的电场强度。
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