公开(公告)号：CN101154707A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710152885.7

申请日：2007-09-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉川将寿 ,  甲斐正 ,  永濑俊彦 ,  北川英二 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15

CPC classification number: G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3906 ,  G11C11/16

Abstract: 一种磁阻效应元件(1)，包括具有基本上固定磁化方向的磁化固定层(3)。磁化可变层(2)具有可变磁化方向，由具有BCC结构并且由Fe1－x－yCoxNiy(0≤x+y≤1，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的磁性合金组成，并且包含0＜a≤20at％(a是含量)范围内的V，Cr和Mn中至少一种添加元素。中间层(4)置于磁化固定层(3)和磁化可变层(2)之间并且由非磁性材料组成。由经过磁化固定层(3)、中间层(4)和磁化可变层(2)的双向电流翻转磁化可变层(2)的磁化方向。

公开(公告)号：CN101093721A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710085788.0

申请日：2007-03-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉川将寿 ,  甲斐正 ,  永濑俊彦 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y25/00 ,  H01F10/123 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/226 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁阻元件，包括：第一磁性参考层(11)，具有固定的磁化方向；磁性自由层(13)，可以通过提供自旋极化电子改变其磁化方向；第二磁性参考层(15)，具有固定的磁化方向；第一中间层(12)，提供在第一磁性参考层与磁性自由层之间；以及，第二中间层(14)，提供在磁性自由层与第二磁性参考层之间。磁性自由层(13)与第一磁性参考层(11)具有与平面内方向垂直或平行的易磁化方向。第一磁性参考层(11)与第二磁性参考层(15)具有相互垂直的易磁化方向。

公开(公告)号：CN1574072A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410061664.5

申请日：2004-06-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 永濑俊彦 ,  与田博明 ,  吉川将寿 ,  甲婓正 ,  岸达也 ,  相川尚德 ,  上田知正

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明的磁随机存取存储器设备使“0”、“1”的信息与具有非磁性层和2层磁性层的MTJ元件的因2层磁性层的磁化排列状态而变化的电阻值对应。在与MTJ元件接近配置的写入布线中流过电流而产生感应磁通，并使MTJ元件的2层磁性层中的一个的记录层的磁化变化而写入信息的MRAM中，MTJ元件是2层磁性层的磁化方向朝向膜面垂直方向的垂直型的MTJ元件。写入布线被配置在与MTJ元件的厚度方向垂直的方向上，在MTJ元件的磁性层的磁化方向上施加产生的磁场。磁轭从厚度方向夹着MTJ元件，向MTJ元件的磁性层施加基于写入布线而产生的磁场。

公开(公告)号：CN1551111A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410006735.1

申请日：2004-02-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉川将寿 ,  高岸雅幸

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3912 ,  G11B5/3932

Abstract: 一种磁阻磁头，包括沿磁道方向布置的第一磁屏蔽、第一绝缘膜、磁阻膜、第二绝缘膜和第二磁屏蔽。磁阻膜包括：邻近空气支承表面的磁化自由层、当从空气支承表面方向看时沿磁头高度方向离开磁化自由层的磁化钉扎层、以及连接该磁化自由层和磁化钉扎层的非磁性中间层，磁化自由层的磁化方向可以在外部磁场中旋转，而磁化钉扎层的磁化方向在外部磁场的作用下基本上被固定。

公开(公告)号：CN1534605A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200310124302.1

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉川将寿 ,  高岸雅幸 ,  船山知己 ,  馆山公一 ,  岩崎仁志 ,  福泽英明

IPC: G11B5/39 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/00 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3143 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268

Abstract: 一种磁电阻元件，包括磁电阻薄膜，所述磁电阻薄膜具有磁化方向基本上被钉扎在一个方向的磁化被钉扎层；磁化自由层，所述磁化自由层的磁化方向可以根据外磁场自由改变；以及非磁性中间层，所述非磁性中间层形成在磁化被钉扎层和磁化自由层之间并具有第一非金属中间层/金属中间层/第二非金属中间层的叠置结构。所述磁电阻元件还包括一对电极薄膜，所述电极薄膜设置成允许电流沿基本上垂直于磁电阻薄膜表面的方向流动并电连接到磁电阻薄膜上。

公开(公告)号：CN1405754A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN02141416.5

申请日：2002-08-30

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 菅原伸浩 ,  吉川将寿 ,  大森广之

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3948 ,  G11B5/3954 ,  G11B2005/0016 ,  G11B2005/0029 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49034

Abstract: 具有磁通量感应薄片的“电流垂直于平面”类型的第一和第二个磁阻效应元件(1)和(2)，通过非磁性中间间隙层(3)以这样的方式层叠在一起：它们的磁通量感应薄片彼此靠近。然后，使磁阻变化特征彼此相反，以便第一和第二个磁阻效应元件的输出之间的微分输出可以作为磁传感器输出而产生或者第一和第二个磁阻效应元件的输出之间的微分输出可以作为外部电路配置中的微分输出而产生。如此，分辨率可以通过下列配置得到改进：在该配置中，决定分辨率的间隙长度可以不受磁阻效应元件的厚度限制。因此，施加于MR磁传感器中的分辨率上的限制可以得到改进。