公开(公告)号：CN1405754A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN02141416.5

申请日：2002-08-30

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 菅原伸浩 ,  吉川将寿 ,  大森广之

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3948 ,  G11B5/3954 ,  G11B2005/0016 ,  G11B2005/0029 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49034

Abstract: 具有磁通量感应薄片的“电流垂直于平面”类型的第一和第二个磁阻效应元件(1)和(2)，通过非磁性中间间隙层(3)以这样的方式层叠在一起：它们的磁通量感应薄片彼此靠近。然后，使磁阻变化特征彼此相反，以便第一和第二个磁阻效应元件的输出之间的微分输出可以作为磁传感器输出而产生或者第一和第二个磁阻效应元件的输出之间的微分输出可以作为外部电路配置中的微分输出而产生。如此，分辨率可以通过下列配置得到改进：在该配置中，决定分辨率的间隙长度可以不受磁阻效应元件的厚度限制。因此，施加于MR磁传感器中的分辨率上的限制可以得到改进。