公开(公告)号：CN1347156A

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN01123695.7

申请日：2001-09-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内山洁 ,  嶋田恭博 ,  有田浩二 ,  大槻达男

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L29/516 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种半导体存储器,半导体衬底11上依次重叠有下部绝缘层14、浮置栅极15、铁电层16、上部绝缘层17以及栅电极18。上部绝缘层17比铁电层16对漏电流的绝缘性高。在FeFET型存储器中,能够抑制从铁电层流向栅电极的漏电流,而大幅度地改善保持特性。

公开(公告)号：CN102947935B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201180030286.2

申请日：2011-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  三河巧

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/16 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

Abstract: 电阻变化元件的制造方法包括：在基板上的层间绝缘膜中形成导电性塞柱的工序(1000~1004)；以将在上述导电性塞柱周围产生的上述层间绝缘膜的凹部及跨多个上述导电性塞柱产生的上述层间绝缘膜的凹部除去，并使上述导电性塞柱的上部从上述层间绝缘膜上表面突出的方式，使上述层间绝缘膜上表面平坦的工序(1005)；在上述层间绝缘膜及上述导电性塞柱上，形成与上述导电性塞柱电连接的下部电极层的工序(1006)；将上述下部电极层上表面的突出部除去，使上述下部电极层上表面平坦的工序(1007)；在上述下部电极层上形成电阻变化层的工序(1008)；在上述电阻变化层上形成上部电极层的工序(1008)；及加工形成下部电极、电阻变化层及上部电极的工序(1009)。

公开(公告)号：CN101755338B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200880025026.4

申请日：2008-07-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高木刚 ,  三河巧 ,  有田浩二 ,  饭岛光辉 ,  冈田崇志

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明提供电流限制元件、使用它的存储器装置及其制造方法。电流限制元件(10)被形成为，被第一电极层(12)和第二电极层(13)夹着的势垒层(11)的厚度方向的中央部(14)的势垒高度ΦA，比势垒层(11)与第一电极层(12)和第二电极层(13)的电极界面(17)附近的势垒高度ΦB大。此外，势垒层(11)例如由势垒层(11a)、(11b)、(11c)的3层结构构成，势垒层(11a)、(11b)、(11c)，例如由SiNx2、SiNx1、SiNx1(其中，X1＜X2)的SiN层形成。因此，势垒高度的形状呈阶段状地变化，在中央部(14)变高。

公开(公告)号：CN101878530A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200980101132.0

申请日：2009-09-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 二宫健生 ,  有田浩二 ,  三河巧 ,  藤井觉

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/1675 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

Abstract: 一种非易失性存储元件，其包括在基板(101)上形成的第一电极(103)、电阻变化层(108)和第二电极(107)，电阻变化层具有多层结构，该多层结构包括第一过渡金属氧化物层(104)、氧浓度高于第一过渡金属氧化物层(104)的第二过渡金属氧化物层(106)、过渡金属氧氮化物层(105)的至少3层。第二过渡金属氧化物层(106)与第一电极(103)或第二电极(107)中的任一个相接，过渡金属氧氮化物层(105)存在于第一过渡金属氧化物层(104)和第二过渡金属氧化物层(106)之间。

公开(公告)号：CN100403520C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200410078515.X

申请日：1996-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  松田明浩 ,  长野能久 ,  那须徹 ,  藤井英治

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L28/40

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下列工序：在半导体基片上形成绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成由上电极、电容绝缘膜、以及下电极所组成的电容元件的工序，形成所述电容元件的工序包括下列工序：在所述绝缘膜上形成下电极膜的工序；通过蚀刻所述下电极膜形成所述下电极的工序；在所述下电极上形成由强电介质材料制成的电容绝缘膜的工序；在所述电容绝缘膜上形成上电极膜的工序；通过利用上电极形成用掩模对所述上电极膜进行蚀刻，形成所述上电极的工序；以及利用所述电容绝缘膜的端部比所述上电极端部大0.1μm以上的电容绝缘膜用掩模对所述电容绝缘膜进行干式蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN1159759C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN96110805.3

申请日：1996-07-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松田明浩 ,  长野能久 ,  那须彻 ,  有田浩二 ,  上本康裕

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01G4/06 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L28/56

Abstract: 本发明内装于半导体集成电路中的使用强电介质膜或高介电常数的电介质膜的电容元件的制造方法具有：在衬底基片的一表面上形成由金属膜或导电性氧化膜构成的第1电极的工序、在第1电极上烧结形成主成分为强电介质或具有高介电常数的电介质构成的第1绝缘膜的工序、在该第1绝缘膜上热处理形成第2绝缘膜的工序，以及在该第2绝缘膜上形成由金属模或导电性氧化膜构成的第2电极的工序。

公开(公告)号：CN1340854A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN01123650.7

申请日：2001-08-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  上本康裕

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76286

Abstract: 一种半导体器件的制造方法,在形成在第一绝缘膜104上的基板表面部分103中形成通到第一绝缘膜104的元件隔离用沟106以后,利用气相沉积法在元件隔离用沟106上沉积第二绝缘膜107。结果,彻底抑制了在SOI基板上形成沟槽型元件隔离结构时,由于作用在沟槽角等上的应力而引起的、出现在在元件形成区域的那一部分半导体层上的结晶缺陷。

公开(公告)号：CN1079585C

公开(公告)日：2002-02-20

申请号：CN95106466.5

申请日：1995-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤井英治 ,  井上敦雄 ,  有田浩二 ,  那须徹 ,  松田明浩

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76828

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，该器件的构成包括：在表面形成集成电路的半导体基片，形成在该基片上且具有通达集成电路的第1通孔的第1绝缘膜，形成在第1绝缘膜上的电容元件，形成在第1绝缘膜上覆盖电容元件且具有分别通达上电极和下电极的第2通孔的第2绝缘膜，以及形成分别通过第1和第2通孔与集成电路和电容元件连接的电极布线。所述电容元件电介质膜的氢面密度在1011个/cm2以下。

公开(公告)号：CN1075243C

公开(公告)日：2001-11-21

申请号：CN95119333.3

申请日：1995-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上本康裕 ,  藤井英治 ,  有田浩二 ,  长野能久 ,  嶋田恭博 ,  吾妻正道 ,  井上敦雄 ,  井筒康文

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56

Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件及其制造方法。该方法包括：在基片上形成钛膜的粘接层，在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层，以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。

公开(公告)号：CN103098252B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201180044244.4

申请日：2011-09-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宫永良子 ,  三河巧 ,  早川幸夫 ,  二宫健生 ,  有田浩二

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/16 ,  H01L21/768 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L45/00 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种电流控制元件（100），其为以覆盖形成于层间绝缘层（102）的导通孔（104）的下部开口（105）的方式形成的电流控制元件，该电流控制元件包括：腐蚀抑制层（106），其在导通孔的下部开口的下部以覆盖全部的下部开口的方式形成；第二电极层（108），其形成在腐蚀抑制层之下，并由与腐蚀抑制层不同的材料构成；电流控制层（110），其形成在第二电极层之下，并与第二电极层物理接触；和第一电极层（112），其形成在电流控制层之下，并与电流控制层物理接触，其中，由第一电极层、电流控制层和第二电极层构成MSM二极管和MIM二极管中的任一个。