公开(公告)号：CN1466763A

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN01816271.1

申请日：2001-09-25

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 陈正 ,  加藤刚久 ,  维克拉姆·乔希 ,  林铬镐 ,  卡洛斯·A·帕兹德阿罗 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  嵨田恭博 ,  大槻达男

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种铁电存储器636，包括一组存储器单元645，12，201，301，401，501，每个单元具有一铁电存储器元件44，218，一驱动线，其上置放有写入信息至存储器单元群组的电压；一位元线25，49，125，325，425，525，其上置放有欲自存储器单元组读出的信息，一前置放大器20，42，120，320，420，在存储器单元及位元线之间，一设定开关14，114，314，414，514，连接于驱动线及存储器单元之间，一重设开关16，116，316，416，516，连接于与前置放大器并联的存储器单元。存储器是藉由横跨存储器元件置放一小于铁电存储器元件的矫顽电压的电压而被读取。在读取之前，自单元群组的噪声是藉由使铁电存储器元件的两个电极接地而排放。

公开(公告)号：CN1237618C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN00802711.0

申请日：2000-01-07

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 纳拉杨·索拉亚鹏 ,  维克拉姆·乔希 ,  卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  林慎一郎 ,  大槻达男

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/316

Abstract: 一种涂层，将包含金属的液体母体涂覆到第一电极(122)，在氧环境中不超过300℃的温度下，在热板上烘焙5分钟，然后在675℃进行RTP退火30秒钟。然后在700℃氧或氮环境中退火1小时，以便形成厚度不超过90nm的层状超晶格材料薄膜(124)。形成第二电极(126)以形成电容器(128)，和在不超过700℃的氧或氮环境中进行后退火。如果材料是钽酸锶铋，母体包含u摩尔当量的锶，v摩尔当量的铋和w摩尔当量的钽，其中0.8≤u≤1.0，2.0≤v≤2.3和1.9≤w≤2.1。

公开(公告)号：CN1236452C

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN01816271.1

申请日：2001-09-25

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 陈正 ,  加藤刚久 ,  维克拉姆·乔希 ,  林铬镐 ,  卡洛斯·A·帕兹德阿罗 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  嵨田恭博 ,  大槻达男

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种铁电存储器(636)，包括一组存储器单元(645，12，201，301，401，501)，每个单元具有一铁电存储器元件(44，218)，一驱动线，其上置放有写入信息至存储器单元群组的电压；一位元线(25，49，125)，(325，425，525)，其上置放有欲自存储器单元组读出的信息，一前置放大器(20，42，120，320，420)，在存储器单元及位元线之间，一设定开关(14，114，314，414，514)，连接于驱动线及存储器单元之间，一重设开关(16，116，316，416，516)，连接于与前置放大器并联的存储器单元。存储器是藉由横跨存储器元件置放一小于铁电存储器元件的矫顽电压的电压而被读取。在读取之前，自单元群组的噪声是藉由使铁电存储器元件的两个电极接地而排放。

公开(公告)号：CN1113399C

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN97114973.9

申请日：1997-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  株式会社高纯度化学研究所 ,  西梅特里克司有限公司

Inventor： 宝地户雄幸 ,  门仓秀公 ,  松本政道 ,  有田浩二 ,  吾妻正道 ,  大槻达男

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/40 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1279 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56

Abstract: 以Bi的有机化合物和金属聚烷氧基化合物的混合物为原料，用CVD等分子沉积法或旋转涂布-烧结法在基板表面形成Bi层状结构的强电介质薄膜的方法。在收容槽1a和1b中分别封入Sr[Ta(OC2H5)6]2和Bi(OC(CH3)2C2H5)3。第1供给系统(1a，16a)保持在150℃，第2供给系统(1b、16b)保持在80℃，通过将载气N2流入第1和第2供给系统，将上述二原料的蒸汽导入成膜室5内。同时，向其导入氧气，在已加热的Si基片8上使上述二蒸汽热分解。

公开(公告)号：CN1347156A

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN01123695.7

申请日：2001-09-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内山洁 ,  嶋田恭博 ,  有田浩二 ,  大槻达男

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L29/516 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种半导体存储器,半导体衬底11上依次重叠有下部绝缘层14、浮置栅极15、铁电层16、上部绝缘层17以及栅电极18。上部绝缘层17比铁电层16对漏电流的绝缘性高。在FeFET型存储器中,能够抑制从铁电层流向栅电极的漏电流,而大幅度地改善保持特性。

公开(公告)号：CN1337068A

公开(公告)日：2002-02-20

申请号：CN00802711.0

申请日：2000-01-07

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 纳拉杨·索拉亚鹏 ,  维克拉姆·乔希 ,  卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  林慎一郎 ,  大槻达男

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/316

Abstract: 一种涂层,将包含金属的液体母体涂覆到第一电极(122),在氧环境中不超过300℃的温度下,在热板上烘焙5分钟,然后在675℃进行RTP退火30秒钟。然后在700℃氧或氮环境中退火1小时,以便形成厚度不超过90nm的层状超点阵材料薄膜(124)。形成第二电极(126)以形成电容器(128),和在不超过700℃的氧或氮环境中进行后退火。如果材料是锶铋钽,母体包含u摩尔当量的锶,v摩尔当量的铋和w摩尔当量的钽,其中0.8≤u≤1.0,2.0≤v≤2.3和1.9≤w≤2.1。