公开(公告)号：CN103649886A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201380002131.7

申请日：2013-05-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 一柳贵志 ,  山下嘉久 ,  中谷诚一

IPC: G06F3/041 ,  C01G9/00 ,  C01G9/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01B5/14 ,  G06F3/041 ,  G06F2203/04103 ,  H01B13/003 ,  H01B13/0036 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/1888 ,  H01L51/5209 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明的透明电极具有支撑基板、设置于支撑基板上的第一透明导电性膜、设置于第一透明导电性膜上的透明绝缘性膜、以及设置于透明绝缘性膜上的第二透明导电性膜。在本发明的透明电极中，第一透明导电性膜和第二透明导电性膜以及在它们之间设置的透明绝缘性膜全部包含金属化合物，另外，第一透明导电性膜和第二透明导电性膜具有结晶结构，另一方面，透明绝缘性膜具有非晶结构。

公开(公告)号：CN102067320B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201080001895.0

申请日：2010-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 一柳贵志 ,  中谷诚一 ,  平野浩一

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明公开了一种柔性半导体装置的制造方法。该柔性半导体装置的制造方法包括：准备由第一金属层(10)、无机绝缘层(20)、半导体层(30)及第二金属层(40)叠层而成的叠层膜(80)的工序；蚀刻第二金属层(40)，形成由第二金属层(40)形成的源极电极(42s)和漏极电极(42d)的工序；将树脂层(50)压接在叠层膜(80)的形成有源极电极(42s)和漏极电极(42d)的面上，将源极电极(42s)和漏极电极(42d)埋设在树脂层(50)中的工序；以及蚀刻第一金属层(10)，形成由第一金属层(10)形成的栅极电极(10g)的工序。无机绝缘层(20g)起栅极绝缘膜的作用，半导体层(30)起沟道的作用。

公开(公告)号：CN102576678A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201180004076.6

申请日：2011-04-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 一柳贵志 ,  中谷诚一 ,  平野浩一

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78603 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明提供一种能够减小在多层配线间产生的寄生电容，并增大半导体元件等中的电容器部的容量的柔性半导体装置及其制造方法。该柔性半导体装置具备形成半导体元件的绝缘膜，在该绝缘膜的上表面和下表面分别具有上部配线图案层和下部配线图案层，半导体元件包括在绝缘膜的上表面形成的半导体层、按照与半导体层相接触的方式形成于绝缘膜的上表面的源电极和漏电极、按照与半导体层相对置的方式形成于绝缘膜的下表面的栅电极，在绝缘膜中，使与源电极、漏电极、上部配线图案层以及下部配线图案层相对置的绝缘膜的第1膜厚比栅电极和半导体层间的绝缘膜的第2膜厚厚。

公开(公告)号：CN101569001B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200880001319.9

申请日：2008-10-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平野浩一 ,  中谷诚一 ,  小松慎五 ,  山下嘉久 ,  一柳贵志

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0024 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102 ,  Y10T428/24917

Abstract: 本发明涉及一种挠性半导体装置的制造方法及挠性半导体装置。准备由三层覆箔形成的叠层膜，该三层覆箔是第一金属层(23)、第二金属层(25)及夹在该第一金属层和第二金属层之间的无机绝缘膜(35)叠层而成的，蚀刻所述第二金属层的一部分形成栅电极(20g)后，再蚀刻所述第一金属层的一部分，在与该栅电极对应的部位形成源、漏电极(20s、20d)。然后，隔着无机绝缘膜(35)在所述栅电极上形成与源、漏电极(20s、20d)接触的半导体层(40)。在此，栅电极(20g)上的无机绝缘膜(35)作为栅极绝缘膜(30)发挥作用，所述无机绝缘膜上的位于源、漏电极(20s、20d)间的半导体层(40)作为沟道发挥作用。

公开(公告)号：CN101176200B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200680017044.9

申请日：2006-03-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中谷诚一 ,  辛岛靖治 ,  北江孝史 ,  山下嘉久 ,  一柳贵志

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明涉及倒装片安装方法，保持电路基板(213)和半导体芯片(206)，按规定间隔保持并对准位置，加热到由钎料粉(214)和树脂(215)构成的钎料树脂组成物(216)熔融的温度，利用毛细管现象供给钎料树脂组成物(216)使树脂(215)硬化时，使钎料树脂组成物(216)中的熔融的钎料粉(214)在保持电路基板(213)和半导体芯片(206)的规定间隔之间移动，通过自聚合及生长而电连接连接端子(211)和电极端子(207)。由此，能够将下一代半导体芯片安装在电路基板上，提供生产性及可靠性高的倒装片安装方法、其安装体及其安装装置。

公开(公告)号：CN100585822C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200680005767.7

申请日：2006-03-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平野浩一 ,  辛岛靖治 ,  一柳贵志 ,  富田佳宏 ,  中谷诚一

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/563 ,  B23K35/0244 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83886 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/30105 ,  H05K3/323 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2203/1361 ,  Y02P70/613 ,  Y10T29/53178 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种可应用于第二代LSI的倒装片安装中的、生产率及可靠性高的倒装片安装方法和凸起形成方法。在将具有多个电极端子(12)的半导体芯片(20)，相对于具有多个连接端子(11)的电路基板(21)具有一定间隙地对置地保持的状态下，将半导体芯片(20)及电路基板(21)在放入了含有熔融焊锡粉的熔融树脂(14)的浸泡槽(40)内浸泡规定时间。在该浸泡工序中，熔融焊锡粉在电路基板(21)的连接端子(11)与半导体芯片(20)的电极端子(12)间自聚合，从而在该端子间形成连接体(22)，然后，从浸泡槽(40)中取出半导体芯片(20)及电路基板(21)，使渗透到半导体芯片(20)与电路基板(21)间的间隙内的熔融树脂(14)固化，完成倒装片安装体。

公开(公告)号：CN100533701C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200680008454.7

申请日：2006-03-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 一柳贵志 ,  中谷诚一 ,  辛岛靖治 ,  冨田佳宏 ,  平野浩一 ,  藤井俊夫

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H05K3/3436 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/1152 ,  H01L2224/11524 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83886 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H05K3/323 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2203/083 ,  H05K2203/087 ,  Y02P70/613 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 提供与电子电路的高密度化对应且生产性优异的倒装片安装方法或隆起焊盘形成方法。在电极(2)上粘合有导电性粒子(3)的电子部件(1)上，供给含有焊料粉末(4)和对流添加剂和树脂成分(5)的组合物(6)。将组合物(6)加热至焊料粉末(4)熔融的温度，利用因对流添加剂的沸腾或分解而产生的气体，在组合物的内部产生对流。当产生对流时，则焊料粉末(4)就会流动化而可以在组合物内自由地移动。其结果是，由于熔融了的焊料粉末(4b)以导电性粒子(3)为核，在其周围自会聚及生长，因此就可以形成连接体或隆起焊盘。

公开(公告)号：CN101176199A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200680016698.X

申请日：2006-05-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 白石司 ,  中谷诚一 ,  辛岛靖治 ,  平野浩一 ,  北江孝史 ,  山下嘉久 ,  一柳贵志

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 倒装片安装体及该安装体的安装方法是：使衬垫等单元，介于具有多个连接端子的电路基板和具有与连接端子相对配置的多个电极端子的电子部件(半导体芯片)之间，以便使两者的间隔均匀；或者在具有两个以上的凸起部的板状体的内部，设置电子部件(半导体芯片)，使其隔着由焊料粉、树脂、对流添加剂构成的树脂组成物相对，对流添加剂沸腾后，使焊料粉移动，自我集合，形成焊料层，将连接端子和电极端子电连接。

公开(公告)号：CN1645172A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510005548.6

申请日：2005-01-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 辛岛靖治 ,  中谷诚一 ,  菅谷康博 ,  朝日俊行 ,  一柳贵志

IPC: G02B6/00 ,  G02B6/122

CPC classification number: G02B6/4249 ,  G02B6/3608 ,  G02B6/3636 ,  G02B6/3668 ,  G02B6/3676 ,  G02B6/3692 ,  G02B6/4214 ,  H05K1/0274 ,  H05K2203/167

Abstract: 提供一种能以更加简易的制造工序制造、不必进行调心工序或者以更少的调心工序的情况下，可以制造光传送路基板的制造方法。一种光传送路基板的制造方法，其中包括：第一工序，在基材(40)上形成含有导电性材料层；第二工序，其使在基材(40)上形成的含有导电性材料层图案形成，形成一部分作为电路用、一部分作为决定光传送路用的导向壁(18)而用的配线图案(15)；第三工序，根据作为导向壁(18)用的配线图案配置光传送路(20)的；第四工序，在基材(40)上形成保持光传送路(20)用保持基板(10)，将上述配线图案(15)和上述光传送路(20)覆盖；和第五工序，从保持基板(10)上除去基材(40)。

公开(公告)号：CN110476232A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201880023381.1

申请日：2018-03-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木下雄介 ,  山田康博 ,  一柳贵志 ,  梅田英和

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/337 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明的目的是提供能够以提高的稳定性进行开关操作的双向开关，并且还提供包括这样的双向开关的双向开关装置。双向开关(8a)包括：第一横向晶体管(1)，其包括在第一导电层(10)的面上的第一半导体层(11)；第二横向晶体管(2)，其包括在第二导电层(20)的面上的第二半导体层(21)；连接构件(5a)；第一导体构件(61a)；以及第二导体构件(62a)。连接构件(5a)将第一横向晶体管(1)和第二横向晶体管(2)反向串联地连接在一起。第一导体构件(61a)将第一横向晶体管(1)的第一源极电极(1S)电气连接至第一导电层(10)。第二导体构件(62a)将第二横向晶体管(2)的第二源极电极(2S)电气连接至第二导电层(20)。