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公开(公告)号：CN101308899A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810107826.2
申请日：2008-05-14
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 今野泰一郎
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其在维持发光输出的同时，还能降低正向电压且可靠性优异。半导体发光元件具备Si衬底(1)、金属密合层(2)、反射金属层(3)、SiO2膜(4)、欧姆接触接合部(5)、含有Mg掺杂的GaP层(6A)和Zn掺杂的(6B)的GaP层(6)、p型GaInP中间层(7)、p型AlGaInP包覆层(8)、未掺杂多重量子阱活性层(9)、n型AlGaInP包覆层(10)、n型AlGaInP窗口层(11)、n型GaAs接触层(12)、第1电极(13)、第2电极(14)，其中，由包覆层(8)、活性层(9)、包覆层(10)构成的发光部与欧姆接触接合部(5)相距300nm以上。
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公开(公告)号：CN1941445A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610159993.2
申请日：2006-09-29
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/025 , H01L33/30 , H01L33/42
Abstract: 本发明涉及一种除了高亮度和低驱动电压外，还能抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。所述半导体发光元件为在半导体衬底(1)上由晶体生长来至少形成n型包层(3)、活性层(4)、p型包层(5)、p型缓冲层(6)、p型接触层(7)，再在p型接触层上形成由ITO膜(8)构成的电流分散层的半导体发光元件，通过将Mg浓度为3.0×1017/cm3以下的低Mg浓度缓冲层(11)或不掺杂的缓冲层(12)做成以50nm以上的厚度设置到Mg掺杂的上述p型缓冲层中的一部分或全部上的结构，由此，可以有效抑制p型接触层(7)的掺杂剂Zn的扩散。
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公开(公告)号：CN103320763A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310077764.6
申请日：2013-03-12
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/448 , H01L33/00
CPC classification number: C30B25/14 , C30B25/02 , C30B25/16 , C30B29/403
Abstract: 本发明提供抑制了不想要的杂质向氮化物半导体模板中混入的金属氯化物气体产生装置、氢化物气相沉积装置及氮化物半导体模板。HVPE装置具备：上游侧的原料部具有将Ga溶液容纳的Ga罐和将Al粒料容纳的A1罐、下游侧具有配置生长用的蓝宝石基板的生长部的反应炉，将反应炉内加热的原料部加热器、生长部加热器，具有气体导入口的上游侧端部，按照从上游侧端部经由作为金属的容纳部的罐到达生长部的方式配置、从上游侧端部导入氯化物气体供给于罐、将氯化物气体与容纳部内的金属进行反应而生成出的金属氯化物气体供给于生长部的气体导入管，气体导入管具有：抑制将源自生长部加热器或生长部的辐射热进行导波的光波导现象的不透明部。
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公开(公告)号：CN103165773A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210539514.5
申请日：2012-12-13
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H01L29/36 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/325
Abstract: 本发明提供一种低电阻且结晶性良好的氮化物半导体模板、和使用其的发光二极管。氮化物半导体模板（10）具备PSS基板（11）和在PSS基板（11）上形成、使最上层为添加了Si的Si掺杂GaN层（14）的III族氮化物半导体层，III族氮化物半导体层的总膜厚为4μm以上10μm以下，Si掺杂GaN层（14）具有Si浓度倾斜层（14b），所述Si浓度倾斜层（14b）的载流子浓度朝着最表面慢慢降低，且在III族氮化物半导体层的最表面的载流子浓度为1×1017cm-3以上5×1017cm-3以下。
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公开(公告)号：CN103050597A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210390922.9
申请日：2012-10-15
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C30B25/186 , C30B29/403 , H01L33/007 , H01L33/02
Abstract: 本发明提供一种能够生长低位错密度的氮化物半导体的氮化物半导体生长用基板及其制造方法、以及使用氮化物半导体生长用基板所制作的氮化物半导体外延基板和氮化物半导体元件。一种氮化物半导体生长用基板，其在蓝宝石基板的作为C面的主面上，以格子状配置而形成有具有相对于所述主面以小于90°倾斜的侧面的锥状或锥台状的凸部，并且所述凸部距离所述主面的高度为0.5μm以上3μm以下，邻接的所述凸部间的距离为1μm以上6μm以下，所述凸部的所述侧面的表面粗糙度RMS为10nm以下。
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公开(公告)号：CN102956773A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210295500.3
申请日：2012-08-17
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 本发明的课题是提供一种低电阻、结晶性良好的氮化物半导体模板以及使用该氮化物半导体模板的发光二极管。氮化物半导体模板(10)具备：基板(11)；在基板(11)上形成作为添加了O（氧）的O添加层的O掺杂GaN层(12)、在O掺杂GaN层(12)上形成作为添加了Si的Si添加层的Si掺杂GaN层(14)而成的Ⅲ族氮化物半导体层，Ⅲ族氮化物半导体层的整体的膜厚为4μm以上10μm以下，Si掺杂GaN层(14)中的Si的平均载流子浓度为1×1018cm-3以上5×1018cm-3以下。
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公开(公告)号：CN102447028A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110317294.7
申请日：2011-10-12
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 今野泰一郎
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/10
Abstract: 本发明提供发光元件(1)，反射部(210)具有多层成对层，当设光的峰值波长为λp、第1半导体层(210a)的折射率为nA、第2半导体层(210b)的折射率为nB、第1包覆层(220)的折射率为nIn、光入射角为θ时，第1半导体层(210a)具有由式(1)确定的厚度TA1，第2半导体层(210b)具有由式(2)确定的厚度TB1，成对层包含在44～61的θ值范围内由式(1)规定的厚度的第1半导体层(210a)和由式(2)规定的厚度的第2半导体层(210b)，成对层包括包含44～61的θ值范围内由式(1)规定的厚度的第1半导体层(210a)和由式(2)规定的厚度的第2半导体层(210b)的成对层。
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公开(公告)号：CN102013451A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010225066.2
申请日：2010-07-05
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 今野泰一郎
Abstract: 提供一种外延晶片、发光元件、制造外延晶片的方法及制造发光元件的方法。发光元件具有高的输出及低的前向电压，并且在不增加制造成本的情况下能够制造发光元件。外延晶片形成具有发光部、在半导体衬底和发光部之间设置的反射部以及具有第一和第二电流扩散层的电流扩散层，其中，反射部具有包括第一和第二半导体层的多对成对的层，其中，第一半导体层具有由公式(1)限定的厚度TA，第二半导体层具有由公式(2)限定的厚度TB，并且第二电流扩散层具有高的载流子浓度或高的杂质浓度，并且表面上设置有凸凹部。
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公开(公告)号：CN101931038A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010148164.0
申请日：2010-03-24
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/10
Abstract: 本发明公开了一种发光元件及其制造方法。一种发光元件，包括：半导体衬底；发光部，包括夹在第一传导类型的第一包覆层与不同于第一传导类型的第二传导类型的第二包覆层之间的活性层；反射部，提供在半导体衬底与用于反射从活性层发射的光的发光部之间；以及，电流扩散层，与反射部相对地提供在发光部上并且表面上包括凹凸部。反射部包括多个成对的层，每个成对的层包括第一半导体层和不同于第一半导体层的第二半导体层，且第一半导体层具有由公式(1)和(3)定义的厚度TA1，且第二半导体层具有由公式(2)和(4)定义的厚度TB1。
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