公开(公告)号：CN114073982A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202010812080.6

申请日：2020-08-13

Applicant: 新疆大学

Inventor： 李锦 ,  王鹏远 ,  拜山·沙德克

IPC: B01J31/02 ,  B01J31/26 ,  B01J37/03 ,  B01J37/10 ,  C02F1/30 ,  C02F101/30

Abstract: 本发明公开了一种在太阳光照射下具有优异光催化性能的氧化锌与苝酰亚胺（PTCDI）复合材料光催化剂的制备方法与流程,属于材料制备技术领域，实验先采用一步水热法合成了氧化锌，再通过简单的湿化学方法将合成的氧化锌与不同浓度的PTCDI氯仿溶液进行反应，得到了三种不同的复合光催化剂。并对样品进行了测试与表征，同时探究了不同PTCDI浓度对得到的催化剂光催化性能的影响。本发明的特点是：光催化剂制备方法简单，高光催化效率，低成本，无污染。

公开(公告)号：CN104150538A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410194449.6

申请日：2014-05-09

Applicant: 新疆大学

Inventor： 李锦 ,  闫灯周 ,  吴荣

IPC: C01G49/00

Abstract: 本发明的目的在于通过简单的水热法，在提高密封性的前提下在极低温的情况下制备出纯相BiFeO3，并证明是水热法制备出纯相BiFeO3的极限温度，不能更低。本发明的特点是：第一次提出了压强是合成纯相BiFeO3的决定因素，第一次在108℃下合成纯相BiFeO3，验证了普通的水热法中合成温度不能继续降低，第一次报道了高产率合成纯相高产率BiFeO3。

公开(公告)号：CN103991850A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410202392.X

申请日：2014-05-14

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  陈俊安 ,  史罗红 ,  危韦 ,  刘从 ,  刘洋 ,  孙言飞 ,  李锦

IPC: C01B19/04

Abstract: 本发明公开一种掺杂S的ZnTe的制备方法，该方法包括，在乙醇胺溶剂中，亚碲酸钠、醋酸锌和硫脲于180℃～200℃反应12～24小时，即得到掺杂S的ZnTe。本发明方法操作简单，对设备要求低，重复性好，一次产量高，成本低，所得掺杂S的ZnTe的分散性好，颗粒大小在50～100nm之间。

公开(公告)号：CN101851781B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201010137608.0

申请日：2010-04-01

Applicant: 新疆大学

Inventor： 简基康 ,  李海兵 ,  吴荣 ,  孙言飞 ,  李锦

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种无催化剂辅助化学气相沉积法生长III-V族半导体化合物AlN单晶纳米带和纳米分支结构的方法，是通过以下工艺过程实现的：将0.2g纯度为99.99％的Al粉放入陶瓷舟中，并将经过用酒精和去离子水超声清洗的多晶Al2O3基片作为衬底扣置于源的正上方5mm处，将陶瓷舟置于管式炉的正中央区域。密闭好容器后开始抽真空，当刚玉管系统真空度达到1×10-2帕时将流量为200cm3/min(sccm)的氩气通入系统中。接着，对系统进行加热，当炉温达到1400℃时通入流量为30sccm的氨气，保持一小时。最后，停止加热系统当温度下降至800℃时关掉氨气，在氩气的保护气氛下自然冷却到室温。本发明制备出的纳米带和纳米分支结构为单晶态的AlN。本发明所得的氮化铝纳米带和纳米分支结构具有形貌较均匀、沉积面积较大的特点；本发明不使用任何催化剂，方法简单，易于推广。

公开(公告)号：CN102432061A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110290760.7

申请日：2011-09-29

Applicant: 新疆大学

Inventor： 张川 ,  李锦 ,  李先卯 ,  王丰超 ,  牛红茹 ,  康进 ,  钱川 ,  孙言飞

IPC: C01G11/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种简易溶剂体系中制备Cd(OH)2和CdO六方纳米盘的方法，其特征在于通过以下两个步骤实现：第一步，溶剂热法制备Cd(OH)2棕红色粉末。首先，分别以Cd(CH3CH2COO)2、CdCl2、Cd(NO3)2、CdSO4为镉源与NaOH在水和乙二醇的混合溶液中充分反应；然后在干燥箱中一定温度(160℃、180℃、200℃)下反应4h得到棕红色溶液；在真空干燥箱里，60℃下烘干，得到Cd(OH)2棕红色粉末。第二步，220℃高温煅烧制备CdO白色粉末。将第一步制得的Cd(OH)2棕红色粉末放入烧杯中，放入干燥箱中，空气中加热至设定温度，保持若干小时；冷却至室温，去离子水反复超声清洗干净，烘干，得白色粉末样品。本发明的特点在于：工艺过程简单且不采用催化剂；产物为正六边形Cd(OH)2和CdO纳米盘，物相和形貌可控性好；产量大，成本低，对环境危害小，易于推广且适合工业大规模生产。

公开(公告)号：CN102352485A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110297648.6

申请日：2011-09-30

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  任银拴 ,  简基康 ,  潘东 ,  娄阳 ,  蒋小康 ,  李锦 ,  孙言飞 ,  任会会

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  H01L43/12 ,  H01F41/18 ,  H01F10/193

Abstract: 本发明公开了一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法。本方法以为高纯的氮气作为工作气体，采用高纯Al靶和硅片原位共溅射，系统的本底真空度为10-5Pa-10-4Pa，基片为n型Si（100），靶材与基片间的距离为60mm，溅射功率为300W，溅射气压为1.5Pa，衬底温度为370℃，溅射时间为60min。基片经清洗除去表面杂质后，通过改变掺杂硅片的数量来得到不同掺杂浓度的AlN稀磁半导体薄膜。本方法制备沉积速率高，工艺简单，而且不需要任何后续处理就可以得到具有室温铁磁性和高居里温度的稀磁半导体薄膜材料，因而具有重要的研究价值和广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN102321915A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110295405.9

申请日：2011-10-08

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  任会会 ,  姜楠楠 ,  任银拴 ,  简基康 ,  李锦 ,  孙言飞

IPC: C30B25/08 ,  C30B29/10

Abstract: 本发明公开了一种Mn掺杂AlN单晶纳米棒的制备方法，属于纳米材料及其制备的技术领域。本发明采用化学气相沉积法，在陶瓷和Si衬底上生长Mn掺杂AIN单晶纳米棒。高纯Al粉、无水AlCl3，高纯Mn粉和NH3气分别作为Al源，Mn源和N源置于陶瓷舟中，经过去离子水和无水乙醇超声清洗的多晶Al2O3基片作为衬底扣置在陶瓷舟上。陶瓷舟置于中央加热区处，密封水平管式炉，炉内真空度抽至9×10-3Pa，通入流量为200sccm的氩气，并对管式炉进行加热。温度达到1400℃时，通入流量为30sccm的氨气并保持1h。然后，停止加热，关掉氨气，并保持氩气流量不变。自然冷却到室温，关掉氩气，取出衬底，得到样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，产物均匀性好，可控性好，对环境危害小，易于推广。

公开(公告)号：CN101962177A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010508431.0

申请日：2010-10-15

Applicant: 新疆大学

Inventor： 李锦 ,  李先卯 ,  简基康 ,  孙言飞 ,  吴荣

IPC: C01B19/04

Abstract: 本发明公开了一种溶剂热生长立方相CdTe纳米带的方法，是通过以下工艺过程实现的：将碲粉(Te)利用硼氢化钾(KBH4)还原成Te2-的溶液，然后依次加入Cd源和乙二胺水溶液，密封高温保存一天，反应完成后清洗样品，得到的黑色固体即立方相的碲化镉纳米带。本发明的特点是：方法简单，产率高，所制得的CdTe纳米带均匀性好，对环境危害小，易于推广且适合大规模的工业生产。

公开(公告)号：CN101823769A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010168154.3

申请日：2010-05-11

Applicant: 新疆大学

Inventor： 简基康 ,  谢玲玲 ,  吴荣 ,  孙言飞 ,  李锦 ,  郑毓峰

IPC: C01G51/00

Abstract: 本发明公开了一种水热合成三元FexCo1-xS2粉末的方法，是通过以下工艺过程实现的：按摩尔比为1∶19∶40-3∶17∶40将分析纯的FeCl2·4H2O、CoCl2·6H2O和Na2S2O3·5H2O溶入35ml去离子水中，经磁子搅拌器搅拌15min使得反应物充分溶解且均匀混合。将混合液移入50ml反应釜中，密闭反应釜后置于140℃恒温箱中，反应时间为24h，取出反应釜后自然冷却至室温。滤出釜底沉淀物，用无水乙醇(CH3CH2OH)和去离子水清洗数次，并用二硫化碳(CS2)洗去产物中S杂质，最后在60℃下真空干燥6小时。本发明制备出的三元FexCo1-xS2粉末为具黄铁矿结构的微米颗粒。本发明方法简单，成本低，污染少，适合工业大规模生产。

公开(公告)号：CN101514482A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910113235.0

申请日：2009-02-25

Applicant: 新疆大学

Inventor： 简基康 ,  杨林钰 ,  吴荣 ,  孙言飞 ,  李锦 ,  郑毓峰

IPC: C30B23/00 ,  C30B23/06 ,  C30B29/48

Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发法生长单晶II－VI族半导体化合物ZnS单晶纳米线的方法，是通过以下工艺过程实现的：将ZnS粉和金属Bi粉或Sn粉按摩尔比为1∶0.005－1∶0.057的比例均匀混合作为原料，置于钼片制成的电阻加热舟中，并在舟上方1.0厘米－3.5厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉，当真空蒸发炉腔体达到2×10－2－7×10－3Pa，加热舟电流为120A－140A保持5－15分钟沉积。本发明制备出的硫化锌纳米线为单晶态的六方相结构的ZnS。本发明所得的硫化锌单晶纳米线具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点；本发明的方法简单，易于推广，适合大规模的工业生产。