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公开(公告)号：CN102249299A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110140028.1
申请日：2011-05-27
Applicant: 新疆大学
IPC: C01G23/047
Abstract: 本发明公开了一种NaCl熔盐体系中制备TiO2超长微米杆的方法，其特征在于通过以下工艺实现：取适量钛箔和氢氟酸(10wt％)，反应得到深绿色溶液；滴入适量的H2O2溶液(30wt％)得到棕红色溶液；然后加入一定量的NaCl、适量去离子水，超声，直到NaCl完全溶解；置于80℃真空干燥箱，烘干，得到白色粉末。将上述白色粉末放入陶瓷舟里，石英管式炉中，加热至设定温度，保持若干小时；冷却至室温，陶瓷舟内收集样品，去离子水超声清洗，烘干，得白色粉末样品。本发明的特点在于：工艺过程简单，无催化剂；产物物相和形貌可控性好；产量大，成本低，对环境无危害，易于推广且适合工业大规模生产。
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公开(公告)号：CN102249289A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110139993.7
申请日：2011-05-27
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种溶剂热制备纤锌矿ZnS细纳米棒的方法，是通过以下工艺过程实现的：将分析纯的S源放入聚四氟乙烯内衬，加入乙醇胺溶剂使溶液体积占聚四氟乙烯内衬总体积的80％。磁搅拌数分钟，再加入分析纯的Zn源，磁搅拌均匀后密封反应釜，置于180℃烘箱中反应24小时，反应完成后清洗得到产物。本发明成功地用简单溶剂热方法，在乙醇胺体系中一步合成具有纤锌矿结构的ZnS细纳米棒。本发明的特点是：方法简单，容易操作；重复性好，产物的结构和形貌可控性好；成本低，利于纤锌矿ZnS细纳米棒的商业化。
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公开(公告)号：CN102154621A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010532892.1
申请日：2010-11-05
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种Ni掺杂AlN基稀磁半导体薄膜材料的制备方法。本方法采用Al靶和金属镍片进行磁控共溅射，系统的本底真空度为10-4Pa-10-5Pa，溅射过程中工作气体为高纯的氮气和高纯氩气，氩气和氮气的比例为7∶3，溅射气压为1.5Pa，衬底温度为370℃，溅射功率为300W，基片为n型Si(100)，靶材与基片间的距离为60mm，溅射时间为60min。基片经清洗除去表面杂质后，通过改变镍片的数量得到不同掺杂浓度的AlN基稀磁半导体薄膜材料。本方法制备工艺简单，沉积速率高，不需要任何的后续处理就可以得到室温铁磁性和高居里温度且性能可控的稀磁半导体薄膜材料，具有重要的研究价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101693528A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910113486.9
申请日：2009-10-19
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助下真空热蒸发法生长ZnSe单晶纳米线的方法，是通过以下工艺过程实现的：将ZnSe粉和金属Bi粉按摩尔比为1∶0.008-1∶0.06的比例均匀混合作为原料，置于钼片为材料制成的电阻加热舟中，并在舟上方1.0厘米-3.0厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉，当真空蒸发炉真空度达到3×10-2-6×10-3Pa，加热舟电流为110A-140A保持5-15分钟沉积即可得到ZnSe单晶纳米线。本发明制备出的硒化锌纳米线为单晶态的立方相结构的ZnSe。本发明的特点是：所得的硒化锌单晶纳米线具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀、方法简单、易于推广且适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN101691241A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910113487.3
申请日：2009-10-19
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种表面活性剂辅助溶剂热法生长半导体化合物ZnS单晶纳米线束的方法，是通过以下工艺过程实现的：以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为表面活性剂，其质量为0.3g。用水合肼作溶剂，其体积为40ml。以醋酸锌[Zn(CH3COO)2·2H2O]作为锌源，以硫脲[(NH2)2CS]作为硫源，按摩尔比1∶4依次加入溶有表面活性剂的水合肼中。然后将反应釜置于烘箱中，反应时间为6h-48h，反应温度为120℃-180℃；反应结束后在60℃的真空干燥箱中干燥6h以收集产物。在此温度和时间条件下得到了纤锌矿结构的ZnS单晶纳米线束。本发明方法简单，易于推广，适合于大规模的工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101397149A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810072976.4
申请日：2008-10-23
Applicant: 新疆大学
IPC: C01G11/02
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发生长II－VI族半导体化合物CdS纳米棒的方法，是通过以下工艺过程实现的：将CdS粉末和金属Bi粉末按摩尔比为1∶0.01－1∶0.35的比例均匀混合作为原料，置于钼片制成的电阻加热舟中，并在舟上方3毫米－3厘米处放置各种衬底。当内置上述蒸发沉积系统的真空蒸发炉腔体达到2×10－2－2×10－3Pa的真空环境后，密闭蒸发炉，电阻加热舟通电流为100－180A保持5－15分钟进行蒸发沉积。本发明制备出的硫化镉纳米棒为晶态的六方相结构的CdS。本发明所得的硫化镉纳米棒具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点；本发明的方法简单，易于推广，适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN102912300B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210439190.8
申请日：2012-11-07
Applicant: 新疆大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种无催化剂辅助真空热蒸发制备SnS纳米片的方法，是通过以下工艺过程实现的：将S粉和金属Sn屑按1mol∶1mol的比例配制，先后置于钼片制成的电阻加热舟中作为蒸发源，并在舟上方0.9厘米-1.1厘米处放置ITO玻璃衬底，密闭蒸发炉，当真空蒸发炉内真空度达到1.8×10-2Pa～2.0×10-2Pa，加热电流达到130A，保持15分钟，即可得到SnS纳米片。本发明的特点是：所得的SnS纳米片形貌均一、产量大、无催化剂、制备方法简单、易于推广且适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN104005079A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410257322.4
申请日：2014-06-11
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明的目的在于通过在水溶液里添加低沸点的有机溶剂在100℃以下来提供压强，来进一步降低合成纯相BiFeO3的最低温度。本发明的特点是：在知道压强是合成纯相BiFeO3的决定因素后，而水作为溶剂，由于其沸点为100℃限制了进一步降低合成纯相的BiFeO3温度。首次通过添加低沸点的有机溶剂乙醇在90℃下合成了纯相BiFeO3。首次通过添加有机溶剂甲醇在80℃下合成了纯相BiFeO3。
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公开(公告)号：CN103991865A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410224140.7
申请日：2014-05-26
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开一种采用混合溶剂法制备掺氮石墨烯/ZnSe纳米复合材料的方法，其特征在于通过以下工艺实现：取适量氧化石墨烯配成石墨烯悬浮液；将ZnCl2加入氧化石墨烯悬浮液中，在温度60℃条件下充分搅拌，将Na2SeO3加入上述混合溶液，搅拌均匀；用水合肼、二已烯三胺和去离子水配制成一定体积比的混合溶剂，加入到混合溶液中搅拌均匀，转移到高压反应釜中，加热到 60℃～200℃反应24～96小时，即可到掺氮石墨烯/ZnSe纳米复合材料。本发明方法操作简单，对设备要求低，重复性好，成本低。
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公开(公告)号：CN103879976A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410126532.X
申请日：2014-04-01
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了Ag掺杂GaN粉体的制备方法，是通过以下工艺过程实现的：高纯Ga2O3粉、高纯AgNO3粉、NH3气分别作为Ga源、Ag源和N源，把Ga2O3粉和高纯AgNO3粉充分混合，将混合好的粉末置于陶瓷舟内，放置于水平管式炉中间，抽真空并加热。当温度达到1050℃时，通入200sccm的NH3气并保温2.5h，然后自然冷却到室温。得到的样品在HF、HNO3和HCI混合溶液中清洗，然后放进干燥箱中，在40℃下烘干，得到样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，对环境危害小，易于推广。
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