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公开(公告)号：CN103879976A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410126532.X
申请日：2014-04-01
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了Ag掺杂GaN粉体的制备方法，是通过以下工艺过程实现的：高纯Ga2O3粉、高纯AgNO3粉、NH3气分别作为Ga源、Ag源和N源，把Ga2O3粉和高纯AgNO3粉充分混合，将混合好的粉末置于陶瓷舟内，放置于水平管式炉中间，抽真空并加热。当温度达到1050℃时，通入200sccm的NH3气并保温2.5h，然后自然冷却到室温。得到的样品在HF、HNO3和HCI混合溶液中清洗，然后放进干燥箱中，在40℃下烘干，得到样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，对环境危害小，易于推广。
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