一种铜掺杂控制ZnS纳米材料形貌和物相的方法

    公开(公告)号:CN102071467A

    公开(公告)日:2011-05-25

    申请号:CN201010545858.8

    申请日:2010-11-16

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种铜掺杂控制ZnS纳米材料形貌和物相的方法。其是通过以下工艺过程实现的:以PVP作为表面活性剂,水合肼作为溶剂,分析纯的Zn(CH3COO)2·2H2O,(NH2)CS和Cu粉作为反应材料。0.3gPVP和40ml水合肼(约占内衬总体积的80%)置于清洗干净的反应釜中,放入磁子充分搅拌形成透明溶液。然后按摩尔比将分别为1∶4∶1和1∶4∶0.6将Zn(CH3COO)2·2H2O,(NH2)CS和Cu粉放入准备好的两个反应釜里,继续搅拌5~10分钟。最后将反应釜置于160℃环境中反应24h。反应结束后将反应釜自然冷却至室温,用去离子水和无水乙醇多次清洗去除过量的硫脲和其余副产物。最后在60℃的真空干燥箱中干燥6h以收集产物。所得产物即为六方结构和立方结构的ZnS纳米材料。本发明的方法简单,易于推广,适合于大规模的工业生产。

    一种生长ZnS单晶纳米线束的方法

    公开(公告)号:CN101691241A

    公开(公告)日:2010-04-07

    申请号:CN200910113487.3

    申请日:2009-10-19

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开了一种表面活性剂辅助溶剂热法生长半导体化合物ZnS单晶纳米线束的方法,是通过以下工艺过程实现的:以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为表面活性剂,其质量为0.3g。用水合肼作溶剂,其体积为40ml。以醋酸锌[Zn(CH3COO)2·2H2O]作为锌源,以硫脲[(NH2)2CS]作为硫源,按摩尔比1∶4依次加入溶有表面活性剂的水合肼中。然后将反应釜置于烘箱中,反应时间为6h-48h,反应温度为120℃-180℃;反应结束后在60℃的真空干燥箱中干燥6h以收集产物。在此温度和时间条件下得到了纤锌矿结构的ZnS单晶纳米线束。本发明方法简单,易于推广,适合于大规模的工业生产。

    一种溶剂热法生长MnS纳米结构的方法

    公开(公告)号:CN102060331A

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN201010545873.2

    申请日:2010-11-16

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种溶剂热法生长MnS纳米结构的方法,其通过以下工艺过程实现:本发明所用的所有试剂均为分析纯级,且未经进一步提纯而直接使用。用乙二胺、乙二醇1∶1的混合溶液作溶剂,其量为40ml。以四水氯化锰MnCl2·4H2O作为锰源,以硫脲(NH2)2CS作为硫源,按摩尔比1∶1依次加入混合溶剂中。然后将反应釜置于烘箱中,反应时间为6h-24h,反应温度为140℃-180℃;反应结束后在60℃的真空干燥箱中干燥6h以收集产物。其中在180℃温度下反应6h得到了MnS层片状结构。在其它温度和时间条件下得到了岩盐结构的MnS。

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