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公开(公告)号：CN110085499B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201910208219.3
申请日：2015-08-19
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本申请涉及利用增强源技术进行磷或砷离子植入。本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中，在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中，通过使用反应器来分解气态含磷或含砷材料以形成用于离子植入的气相二聚物及四聚物而增强离子植入。
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公开(公告)号：CN110085499A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910208219.3
申请日：2015-08-19
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本申请涉及利用增强源技术进行磷或砷离子植入。本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中，在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中，通过使用反应器来分解气态含磷或含砷材料以形成用于离子植入的气相二聚物及四聚物而增强离子植入。
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公开(公告)号：CN107004550B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201580066887.7
申请日：2015-10-27
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种离子源设备，其以使得能够采用低蒸气压掺杂剂源材料的方式生成掺杂剂物种。所述离子源设备(10)包括：离子源腔室(12)；及在所述离子源腔室(12)中或与所述离子源腔室(12)相关联的可消耗结构，所述可消耗结构包括固体掺杂剂源材料，其易于与反应性气体发生反应以将气态形式的掺杂剂释放到所述离子源腔室。举例来说，所述可消耗结构是掺杂剂气体馈送管线(14)，其包括具有由固体掺杂剂源材料形成的内部层的管道或导管。
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公开(公告)号：CN105392870B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201480040791.9
申请日：2014-05-15
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: G05D11/035 , G05D11/02 , G05D11/13 , C10J3/00
Abstract: 本发明描述了用组成气体来填装气体混合物供应容器以得到精确组成的气体混合物的方法，其中所述气体混合物包含至少两种组成气体。可以采用级联填装技术，包括使气体从单个源容器流至多个目标容器，或从多个源容器流至单个目标容器。所述方法可用以形成用于离子注入应用的掺杂气体混合物，如三氟化硼和氢气的混合物。
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公开(公告)号：CN105637616A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480056978.8
申请日：2014-08-14
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/265 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J2237/006 , H01J2237/08 , H01L21/26506 , H01L21/26546
Abstract: 本发明描述了用于在基板中注入硅和/或硅离子的组合物、系统和方法，包括从相应的硅前体组合物中生成硅和/或硅离子，以及在基板中注入该硅和/或硅离子。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN114245930B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202080057911.1
申请日：2020-06-17
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/16 , H01J37/08
Abstract: 本发明描述一种用于离子植入的系统及方法，其包含：气体或包含至少一种可离子化气体的气体混合物，其用来产生离子物种；及电弧室，其包含两种或更多种不同电弧室材料。使用所述系统，在具有衬垫组合的所述电弧室中产生离子物种，且一或多个所要离子物种显示所述经产生的离子物种当中的更高束电流，这通过使用所述不同材料来促进。继而可实现将所述所要离子物种改进地植入到衬底中。此外，所述系统可在系统操作期间最小化金属沉积物的形成，由此延长源寿命且促成改进的系统性能。
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公开(公告)号：CN112655066B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201980057575.8
申请日：2019-09-11
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J27/20 , H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明描述一种用于离子植入的离子源设备，其包含：离子源腔；及可消耗结构，其在所述离子源腔中或与所述离子源腔相关联，其中所述可消耗结构包含固体掺杂剂源材料，所述固体掺杂剂源材料易于与反应气体反应以将掺杂剂以气态形式释放到所述离子源腔，其中所述固体掺杂剂源材料包括氮化镓、氧化镓或其组合，其中的任一者可关于镓同位素富含同位素。
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公开(公告)号：CN108367269B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201680073124.X
申请日：2016-11-04
Applicant: 恩特格里斯公司
Inventor： L·H·杜波依斯 , J·D·卡拉瑟斯 , M·A·彼特鲁斯卡 , E·A·斯特姆 , S·M·威尔逊 , S·M·卢尔寇特 , B·C·亨德里克斯 , J·D·斯威尼 , M·J·沃德珍斯奇 , O·比尔 , 唐瀛 , J·R·德斯普雷斯 , M·T·马洛 , C·斯坎内尔 , D·埃尔策 , K·默西
Abstract: 本发明描述不同类型及形式的吸附剂，如有用地用于气体供应包装中，所述气体供应包装包含盛放此吸附剂以将吸附气体存储于其上的气体存储及施配容器，及固定于所述容器以在其施配条件下从所述气体供应包装排放所述吸附气体的气体施配组合件。同样描述对应气体供应包装，及处理所述吸附剂，及制造所述气体供应包装的各种方法。
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公开(公告)号：CN112655066A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201980057575.8
申请日：2019-09-11
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J27/20 , H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明描述一种用于离子植入的离子源设备，其包含：离子源腔；及可消耗结构，其在所述离子源腔中或与所述离子源腔相关联，其中所述可消耗结构包含固体掺杂剂源材料，所述固体掺杂剂源材料易于与反应气体反应以将掺杂剂以气态形式释放到所述离子源腔，其中所述固体掺杂剂源材料包括氮化镓、氧化镓或其组合，其中的任一者可关于镓同位素富含同位素。
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