公开(公告)号：CN118115883A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410512436.2

申请日：2024-04-26

Applicant: 安徽大学 ,  国网安徽省电力有限公司宿州供电公司 ,  安徽宏源电力设计咨询有限责任公司 ,  广州南方测绘科技股份有限公司

Inventor： 胡洪 ,  马晓双 ,  宋洪珠 ,  方飞 ,  彭伟 ,  张健 ,  陈会周 ,  刘立 ,  王剑波 ,  孙式想 ,  黄战 ,  毕杰昌 ,  胡益明 ,  魏国 ,  王恒 ,  高运动 ,  汪本贵

IPC: G06V20/10 ,  G06V10/774 ,  G06V10/764 ,  G06V10/82 ,  G06N3/0464

Abstract: 本发明公开了一种输电线路沿线农作物种植区识别方法、装置及设备，涉及遥感技术领域，可解决输电线路设计不合理的鉴别效率低，成本高的技术问题。其中方法包括：获取包括农作物种植区的样本影像；根据所述样本影像训练初始农作物种植区识别模型，得到训练完成的农作物种植区识别模型；获取以输电线路分布位置为基础，预设范围内的输电线路沿线影像，根据所述农作物种植区识别模型，识别所述输电线路沿线影像中是否包括农作物种植区，若是，则确定所述输电线路沿线影像中的输电线路侵占基本农田。

公开(公告)号：CN116168736B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310409612.5

申请日：2023-04-18

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  陆逸笑 ,  卢文娟 ,  强斌 ,  刘立 ,  关立军 ,  戴成虎 ,  吴秀龙

IPC: G11C7/06 ,  G11C11/419

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，更具体的，涉及基于上交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路，以及基于该电路设计的灵敏放大器模块。本发明提供了基于上交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路，结构简洁明了，方便实现。本发明采用上交叉耦合部与输入电路部直接串联的结构，避免了VDD到地串联过多MOS管导致输出电压余量较小的问题，同时实现了核心的数据放大功能。本发明采用自关断位线部来根据输出节点A0、A1电压变化，自适应地切断非目标位线与相应输入电路部中间节点的连接，断开非目标位线对输出节点的影响，从而降低失调电压和放大延时。

公开(公告)号：CN115985366A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202310039992.8

申请日：2023-01-12

Applicant: 安徽大学

Inventor： 卢文娟 ,  于天祺 ,  周子璇 ,  刘立 ,  强斌 ,  刘念龙 ,  吴秀龙

IPC: G11C11/419 ,  G11C16/04

Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种具有高写噪声容限的MOSFET‑TFET混合型11T‑SRAM单元电路，和采用了该种11T‑SRAM单元电路布局的模块。本发明的11T‑SRAM单元电路充分利用了低电压下TFET晶体管具有更好开关特性和更低的亚阈值摆幅的优势，采用了打断锁存结构的方式，提高了单元的写噪声容限；采用漏极电压始终不低于源极电压的NTFET晶体管作为传输控制管，不仅提高了SRAM单元的写能力，而且消除了TFET器件的正向偏置电流，降低了单元的静态功耗。

公开(公告)号：CN115811279B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202310056204.6

申请日：2023-01-16

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  台德乐 ,  施琦 ,  强斌 ,  戴成虎 ,  刘立 ,  卢文娟 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  周永亮

IPC: H03F1/30 ,  G11C7/12

Abstract: 本发明空开了半导体存储器技术领域中的一种补偿位线失调电压的灵敏放大器及芯片与放大电路。灵敏放大器包括：10个NMOS晶体管N1~N10，2个PMOS晶体管P1~P2，1个电容C1。当位线BL为电荷共享位线，位线BLB为静态参考位线时，在偏移补偿阶段，导通，截止，在反向放大阶段，导通，截止。当位线BLB为电荷共享位线，位线BL为静态参考位线时，在偏移补偿阶段，导通，截止，在反向放大阶段，导通，截止。本发明在解决了由于失调电压引起的读取数据错误问题，在不同位线电容的情况下，本发明补偿位线失调电压能力最为突出，同时读速度快、功耗低。

公开(公告)号：CN115547383B

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211523695.2

申请日：2022-12-01

Applicant: 安徽大学

Inventor： 周永亮 ,  周子璇 ,  刘立 ,  彭春雨 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明涉及一种存储电路及磁性随机存储器读关键电路。该存储电路包括存储模块和正反馈模块。存储模块由多个存储单元构成N×M的阵列形式。N、M分别代表行数和列数。正反馈模块由M个相同的正反馈单元构成。每行存储单元共享字线WL。每列存储单元共享位线BL、反位线BLB、源线SL、反源线SLB，并与一个正反馈单元相连。正反馈单元包括开关SW1~2和NMOS管M1~2。SW1的一端连接SL，另一端与M2的漏极相连，SW2的一端连接SLB，另一端与M1的漏极相连。M1的栅极接BL，M2的栅极接BLB，M1、M2的源极接地。本发明通过正反馈单元在MRAM读过程中对单元位线电压差进行钳制，提升读操作成功率。

公开(公告)号：CN115482855A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202211158024.0

申请日：2022-06-08

Applicant: 安徽大学

Inventor： 戴成虎 ,  杜园园 ,  高珊 ,  彭春雨 ,  赵强 ,  卢文娟 ,  郝礼才 ,  刘立 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙 ,  黎轩 ,  郑好

IPC: G11C11/417 ,  G11C11/412

Abstract: 本发明涉及一种10T‑SRAM单元及其数据读写方法、电路结构。10T‑SRAM单元包括NMOS晶体管N0～N7以及PMOS晶体管P0～P1。存储节点QB通过N2与字线WLL、位线BLB相连；存储节点Q通过N3与字线WLR、位线BL相连；P0和N0构成一个反相器，P1和N1构成另一个反相器，两个反相器形成交叉耦合结构；N2和N3作为传输管，各自位于交叉耦合结构左右两侧作为左右两个写通路；N4和N6构成左通路，N5和N7构成右通路。本发明能实现同一个周期读取两列数据，还能够同时进行横纵双向存内逻辑运算和BCAM数据搜索操作，并且保证了操作时数据独立性，提高了单元的抗干扰能力和计算效率。