公开(公告)号：CN116168736B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310409612.5

申请日：2023-04-18

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  陆逸笑 ,  卢文娟 ,  强斌 ,  刘立 ,  关立军 ,  戴成虎 ,  吴秀龙

IPC: G11C7/06 ,  G11C11/419

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，更具体的，涉及基于上交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路，以及基于该电路设计的灵敏放大器模块。本发明提供了基于上交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路，结构简洁明了，方便实现。本发明采用上交叉耦合部与输入电路部直接串联的结构，避免了VDD到地串联过多MOS管导致输出电压余量较小的问题，同时实现了核心的数据放大功能。本发明采用自关断位线部来根据输出节点A0、A1电压变化，自适应地切断非目标位线与相应输入电路部中间节点的连接，断开非目标位线对输出节点的影响，从而降低失调电压和放大延时。

公开(公告)号：CN117476074B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311826688.4

申请日：2023-12-28

Applicant: 安徽大学

Inventor： 卢文娟 ,  于天祺 ,  陆逸笑 ,  关立军 ,  施琦 ,  彭春雨 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC: G11C11/419

Abstract: 本发明涉及灵敏放大器设计技术领域，更具体的，涉及基于上交叉耦合的自控制型SRAM感应放大电路、模块。本发明包括：使能控制部、上交叉耦合部、自控制输入部、预充电路部。本发明避免了VDD到VSS间过多晶体管串联，节约了电压余度。本发明采用自控制输入部，根据Q、QB的电压变化，自适应控制目标位线的信号输入与非目标位线的信号关断，避免非目标位线对输出节点Q、QB产生影响，从而降低失调电压和放大延时。本发明采用上交叉耦合部放大电压信号，避免了反相器级联的控制方式，从而规避了现有专利的振荡风险。本发明解决了现有锁存型灵敏放大器存在失调电压干扰、以及现有专利存在振荡风险的问题。

公开(公告)号：CN117476074A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311826688.4

申请日：2023-12-28

Applicant: 安徽大学

Inventor： 卢文娟 ,  于天祺 ,  陆逸笑 ,  关立军 ,  施琦 ,  彭春雨 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC: G11C11/419

Abstract: 本发明涉及灵敏放大器设计技术领域，更具体的，涉及基于上交叉耦合的自控制型SRAM感应放大电路、模块。本发明包括：使能控制部、上交叉耦合部、自控制输入部、预充电路部。本发明避免了VDD到VSS间过多晶体管串联，节约了电压余度。本发明采用自控制输入部，根据Q、QB的电压变化，自适应控制目标位线的信号输入与非目标位线的信号关断，避免非目标位线对输出节点Q、QB产生影响，从而降低失调电压和放大延时。本发明采用上交叉耦合部放大电压信号，避免了反相器级联的控制方式，从而规避了现有专利的振荡风险。本发明解决了现有锁存型灵敏放大器存在失调电压干扰、以及现有专利存在振荡风险的问题。

公开(公告)号：CN116168736A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202310409612.5

申请日：2023-04-18

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  陆逸笑 ,  卢文娟 ,  强斌 ,  刘立 ,  关立军 ,  戴成虎 ,  吴秀龙

IPC: G11C7/06 ,  G11C11/419

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，更具体的，涉及基于上交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路，以及基于该电路设计的灵敏放大器模块。本发明提供了基于上交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路，结构简洁明了，方便实现。本发明采用上交叉耦合部与输入电路部直接串联的结构，避免了VDD到地串联过多MOS管导致输出电压余量较小的问题，同时实现了核心的数据放大功能。本发明采用自关断位线部来根据输出节点A0、A1电压变化，自适应地切断非目标位线与相应输入电路部中间节点的连接，断开非目标位线对输出节点的影响，从而降低失调电压和放大延时。