公开(公告)号：CN115811279B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202310056204.6

申请日：2023-01-16

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  台德乐 ,  施琦 ,  强斌 ,  戴成虎 ,  刘立 ,  卢文娟 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  周永亮

IPC: H03F1/30 ,  G11C7/12

Abstract: 本发明空开了半导体存储器技术领域中的一种补偿位线失调电压的灵敏放大器及芯片与放大电路。灵敏放大器包括：10个NMOS晶体管N1~N10，2个PMOS晶体管P1~P2，1个电容C1。当位线BL为电荷共享位线，位线BLB为静态参考位线时，在偏移补偿阶段，导通，截止，在反向放大阶段，导通，截止。当位线BLB为电荷共享位线，位线BL为静态参考位线时，在偏移补偿阶段，导通，截止，在反向放大阶段，导通，截止。本发明在解决了由于失调电压引起的读取数据错误问题，在不同位线电容的情况下，本发明补偿位线失调电压能力最为突出，同时读速度快、功耗低。

公开(公告)号：CN115811279A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202310056204.6

申请日：2023-01-16

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  台德乐 ,  施琦 ,  强斌 ,  戴成虎 ,  刘立 ,  卢文娟 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  周永亮

IPC: H03F1/30 ,  G11C7/12

Abstract: 本发明空开了半导体存储器技术领域中的一种补偿位线失调电压的灵敏放大器及芯片与放大电路。灵敏放大器包括：10个NMOS晶体管N1~N10，2个PMOS晶体管P1~P2，1个电容C1。当位线BL为电荷共享位线，位线BLB为静态参考位线时，在偏移补偿阶段，导通，截止，在反向放大阶段，导通，截止。当位线BLB为电荷共享位线，位线BL为静态参考位线时，在偏移补偿阶段，导通，截止，在反向放大阶段，导通，截止。本发明在解决了由于失调电压引起的读取数据错误问题，在不同位线电容的情况下，本发明补偿位线失调电压能力最为突出，同时读速度快、功耗低。