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公开(公告)号：CN118070563B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410464299.X
申请日：2024-04-17
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种变形几何激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取表面设置有镀层模型的相变材料模型，设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数，根据激光烧蚀过程的传热特征和几何结构变形特征，设置固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，基于第一材料参数、第二材料参数、固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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公开(公告)号：CN117880861A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410287643.2
申请日：2024-03-13
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供了一种NB‑IOT设备的信号强度优化方法及相关设备，涉及窄带物联网信号优化技术领域。本申请提供的NB‑IOT设备的信号强度优化方法，首先根据预设的步长对时间划分为多个时间段，获取各个时间段的多组特征参数以及相应的实测信号强度，用以构建各个时间段的训练集和测试集，然后基于BP神经网络进行训练以获得各个时间段对应的信号强度预测模型，从而能够直接根据各个时间段对应的信号强度预测模型对各个时间段的信号强度进行优化，以得到对应时间段内的最佳信号强度。
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公开(公告)号：CN117535624B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410037451.6
申请日：2024-01-10
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/08 , C23C14/32 , C22C27/02 , G01J5/0875
Abstract: 本申请涉及激光防护技术，公开了具有氧化钒薄膜的红外窗口及制备方法和应用，包括以下步骤：以红外窗口为基底，放入过滤阴极真空电弧沉积设备的真空腔体中，以钒‑钆合金为金属靶，在基底上沉积氧化钒薄膜。本申请的具有氧化钒薄膜的红外窗口的制备方法，利用高离化率的过滤阴极真空电弧工艺制备氧化钒薄膜，通过工艺参数的调整并掺杂合适的元素，使沉积得到的氧化钒薄膜具有超细的晶粒和较低的表面粗糙度，对激光的响应时间在皮秒量级。
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公开(公告)号：CN117535624A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202410037451.6
申请日：2024-01-10
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/08 , C23C14/32 , C22C27/02 , G01J5/0875
Abstract: 本申请涉及激光防护技术，公开了具有氧化钒薄膜的红外窗口及制备方法和应用，包括以下步骤：以红外窗口为基底，放入过滤阴极真空电弧沉积设备的真空腔体中，以钒‑钆合金为金属靶，在基底上沉积氧化钒薄膜。本申请的具有氧化钒薄膜的红外窗口的制备方法，利用高离化率的过滤阴极真空电弧工艺制备氧化钒薄膜，通过工艺参数的调整并掺杂合适的元素，使沉积得到的氧化钒薄膜具有超细的晶粒和较低的表面粗糙度，对激光的响应时间在皮秒量级。
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公开(公告)号：CN116963178B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311225315.1
申请日：2023-09-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及数据处理技术领域，公开了一种降低NB‑IOT设备功耗的方法及相关设备，设备终端将需要发送的数据与第一预存数据库的参考数据进行对比，根据对比结果，把需要发送的数据转换为由参考数据编号和/或数据包组成的待发数据，向NB‑IOT设备发送待发数据；NB‑IOT设备接收设备终端发来的待发数据，并转发至基站；基站用于接收NB‑IOT设备转发的待发数据，在待发数据包含参考数据编号的时候，根据参考数据编号，在第二预存数据库中查找对应的参考数据作为目标数据，将待发数据中的参考数据编号替换为目标数据，由目标数据和/或数据包组成最终数据，将最终数据转发至目标终端。可以有效降低NB‑IOT设备的功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116380339B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310669384.5
申请日：2023-06-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及薄膜规真空计校准技术领域，公开了一种薄膜规真空计校准方法及相关设备，薄膜规真空计校准方法包括：调节所述测试腔体的压力以获取所述标准薄膜规真空计的第一测量数据和所述待测薄膜规真空计的第二测量数据，用于生成训练数据集；根据所述训练数据集，基于梯度下降算法训练增益系数模型；根据所述增益系数模型对所述待测薄膜规真空计实测的第三测量数据进行校准；可有效消除薄膜规真空计产生的误差，使薄膜规真空计测量数据更加准确可靠，且不需要人工校准，实现全自动校准，从而有利于提高校准效率。
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公开(公告)号：CN113774348A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111107898.9
申请日：2021-09-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及超导材料领域，公开了一种具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体及其制备方法和高温超导线圈，包括以下步骤：以高温超导体为基底，将高温超导体放入高能脉冲磁控溅射设备的腔体内，以金属钒为靶材；腔体抽真空，不加热基底；通入氩气，调整气压，设置高能脉冲电源功率、脉冲频率、脉宽；通入氧气，在高温超导体表面沉积薄膜；通入氮气卸去真空，得到所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体。本申请的所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体的制备方法，利用高能脉冲磁控溅射技术具有高离化率的特点，实现了在室温不加热的条件下在高温超导体表面沉积具有电阻可调性能的非晶氧化钒薄膜，所述非晶氧化钒薄膜用于高温超导材料的失超保护。
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公开(公告)号：CN119900079A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510395229.8
申请日：2025-03-31
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/12 , C30B23/06 , C30B25/10 , C30B25/16 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01S5/183 , G01N23/20 , G01N21/63 , G01B11/06 , G01B15/02
Abstract: 本申请属于分子束外延设备领域，公开了一种分子束外延设备及垂直腔面激光器生长方法，通过在同一托盘上同时生长正式产品和测试结构，并使用遮挡装置控制测试结构的生长，解决了现有技术中需要单独生长测试结构或复杂处理正式产品的问题，具有节省时间和源料、提高生长参数控制精度、便于问题定位的优点。
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公开(公告)号：CN118412418B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410824622.X
申请日：2024-06-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及Micro‑LED巨量转移技术领域，本发明公开了一种用于Micro‑LED晶圆的巨量转移设备及巨量转移方法，包括剥离机本体、暂态板、定位组件、主动激光扫描组件以及若干从动激光扫描组件，剥离机本体内设有剥离室；暂态板摆放在剥离室底部，暂态板上设有芯片板；定位组件设于暂态板上方，定位组件上设有基座；主动激光扫描组件设于基座底部，主动激光扫描组件上设有第一激光扫描头；从动激光扫描组件设于基座底部，从动激光扫描组件上设有第二激光扫描头，第一激光扫描头和第二激光扫描头的激光发射方向均位于同一水平面上。本发明提供的用于Micro‑LED晶圆的巨量转移设备及巨量转移方法，保证芯片板在牺牲层被激光扫描过程中的稳定性高，以及提高激光剥离效率。
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公开(公告)号：CN118070563A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410464299.X
申请日：2024-04-17
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种变形几何激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取表面设置有镀层模型的相变材料模型，设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数，根据激光烧蚀过程的传热特征和几何结构变形特征，设置固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，基于第一材料参数、第二材料参数、固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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