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公开(公告)号：CN114597187B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202210108676.7
申请日：2022-01-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种Cu‑Sn基金属间化合物焊点及其制备方法，涉及3D封装芯片堆叠互连制造和高功率器件封装制造。选用Cu‑xNi合金为第一金属基体，纯Cu或Cu‑xNi合金为第二金属基体，纯Sn或Sn基钎料作为中间钎料层，构成Cu‑xNi/钎料/Cu或Cu‑xNi/钎料/Cu‑xNi结构组合体，随后将上述组合体在一定温度条件下进行钎焊回流反应，使钎料全部反应完并转化为以(Cu,Ni)6Sn5为主体的金属间化合物焊点，(Cu,Ni)6Sn5晶粒细小，晶粒取向杂乱、随机，且热稳定性良好。本发明具有成本低廉、工艺流程简单、与现有技术设备兼容性好，显著缩短键合时间等优点。
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公开(公告)号：CN117963091A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410213033.8
申请日：2024-02-27
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开一种高减阻性海上光伏浮体结构，包括：浮台1，浮台1用于安装光伏板；浮体，浮体设置有若干个，若干浮体等间距设置在浮台1的底部，浮体与浮台1之间垂直设置，其中，浮体顶端安装有固定件，固体与浮台1之间通过固定件固定连接；若干浮体均与海域主浪之间相对设置。本发明采用浮台作为装置的支撑平台，用于对光伏板以及电器元件进行安装，若干浮体等间距并排固定在浮台的底面，且与海域主浪相对，降低整体装置与海浪之间的接触面积，提高了装置的海浪载荷承载能力，同时装置简单，制造成本低。
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公开(公告)号：CN116043286A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211718692.4
申请日：2022-12-29
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种镀铜层晶粒尺寸和取向可控的镀液及电镀方法，本发明的镀液是一种无氰环保镀铜液，其中，主要离子为Cu2+和P2O74‑，其摩尔浓度比在1：3～7之间，且Cu2+含量≤0.6mol/L；第一类添加剂含量≤1mol/L，第二类添加剂含量≤0.1g/L；在电镀过程中，镀液pH保持在7～10，温度保持在20℃～60℃。本发明的电镀方法可以通过调整镀液的成分含量和工艺参数来调控镀铜层的晶粒尺寸和取向，具有电镀液配方安全无毒，电镀工艺易于实施，与现有集成电路制造及电子封装工艺兼容性强等优点。
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公开(公告)号：CN106735663B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201710030468.9
申请日：2017-01-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: B23K1/00 , B23K3/00 , B23K101/40
Abstract: 本发明提供一种全金属间化合物窄间距微焊点的制备方法及结构，在芯片上制备至少一个第一金属焊盘和钎料凸点或钎料层，在载板上制备至少一个第二金属焊盘和可焊层；在可焊层的表面涂覆焊剂；将钎料凸点或钎料层和可焊层对准放置后加热，钎焊回流，使第一金属焊盘温度低于第二金属焊盘温度，钎料凸点或钎料层熔化后全部转变为三元金属间化合物。本发明选取Cu和Ni作为金属焊盘，在温度梯度作用下，Cu‑Ni形成的耦合作用，会同时加速金属间化合物在第一和第二金属焊盘上的生长，提高金属间化合物总的生长速率；具有择优取向的Cu‑Sn‑Ni三元金属间化合物，能够提高微焊点的可靠性和力学性能；与现有半导体及封装工艺兼容性好，工艺简单，实现低温互连高温服役。
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公开(公告)号：CN104716058B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510068044.2
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L33/62 , H01L23/488
Abstract: 一种倒装芯片用全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构，在芯片上制备第一金属焊盘、第一可焊层和钎料凸点，在基板上制备第二金属焊盘和第二可焊层，在第二可焊层的表面涂覆焊剂，将钎料凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置，形成一个组合体，对该组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，在第一金属焊盘和第二金属焊盘之间形成温度梯度ΔT/Δd，直至钎料凸点熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物。本发明在钎焊回流时形成温度梯度，加速了金属间化合物的生长速率，提高了全金属间化合物互连焊点的制备效率；与半导体和封装技术工艺兼容性好，金属间化合物具有择优取向和热稳定性，提高了焊点的力学性能和服役可靠性，实现低温互连高温服役。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106513890A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611024965.X
申请日：2016-11-17
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: B23K1/0008 , B23K1/20
Abstract: 本发明涉及一种电子封装微焊点的制备方法，包括：在第一基底上依次制备第一金属焊盘、第一可焊层和微凸点；在第二基底上依次制备第二金属焊盘和第二可焊层；将微凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置，形成一个组合体，选择所需的回流曲线对组合体进行钎焊回流，依次经历预热区、回流区和冷却区，在冷却区内使第一金属焊盘和第二金属焊盘之间形成温度梯度，至微凸点由液态全部转变为固态形成微焊点。本发明能够实现微焊点钎料基体中的Sn晶粒取向可调控，形成的单一择优取向微焊点，与半导体和封装技术工艺有良好的兼容性，具有良好的抗电迁移和热迁移可靠性，能够实现第一基底和第二基底之间的互连，提高微焊点或者具有以上材料组织及结构特征的器件的服役寿命。
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公开(公告)号：CN103528896B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310507405.X
申请日：2013-10-24
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种测定微电子封装焊点压缩蠕变性能的测试装置，属于材料的力学性能测试领域。测试装置的装置主体包括环境箱、样品台、定位机构和加载机构，样品台的上半部设置在环境箱中，加载机构的载荷杆依次穿过支撑台面、样品台、试样和上压板，并与支撑盘固定连接，在载荷杆的下部设有砝码托盘。在试验时，由环境箱对试样提供实验温度，由加载机构对试样施加压应力载荷，用光学位移计机构或LVDT位移计机构记录测试中试样的位移变化量。该装置使试样定位精确、加载均匀，可提高实验的准确性。通过调整环境箱温度和加载砝码数量来模拟不同温度和压力载荷条件下微电子封装焊点的工作条件，得到相应工作条件下的蠕变数据，特别适合于生产中实际微电子产品测试的需要。
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公开(公告)号：CN104716058A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510068044.2
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L33/62 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/03 , H01L23/488 , H01L24/04 , H01L33/62 , H01L2224/03 , H01L2224/04105
Abstract: 一种倒装芯片用全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构，在芯片上制备第一金属焊盘、第一可焊层和钎料凸点，在基板上制备第二金属焊盘和第二可焊层，在第二可焊层的表面涂覆焊剂，将钎料凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置，形成一个组合体，对该组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，在第一金属焊盘和第二金属焊盘之间形成温度梯度ΔT/Δd，直至钎料凸点熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物。本发明在钎焊回流时形成温度梯度，加速了金属间化合物的生长速率，提高了全金属间化合物互连焊点的制备效率；与半导体和封装技术工艺兼容性好，金属间化合物具有择优取向和热稳定性，提高了焊点的力学性能和服役可靠性，实现低温互连高温服役。
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公开(公告)号：CN104651898A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510065103.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D11/00
Abstract: 一种金属间化合物薄膜的制备方法，是在第一金属基底上制备第一钎料金属层，可以在第二金属基底上制备第二钎料金属层，再将涂覆焊剂的第一钎料金属层和第二钎料金属层对准接触放置，形成一个组合体；或将涂覆焊剂的第一钎料金属层第二金属基底对准接触放置，形成一个组合体；组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，同时施加电流密度I/S的直流电流，直至钎料金属层熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，去除残余第二金属基底，得到金属间化合物薄膜。本发明在钎焊回流时施加直流电流形成电流密度，加速了金属间化合物的形成速率，且形成的金属间化合物可为单晶或具有单一取向；实现金属间化合物薄膜的低温制备，薄膜致密表面平整，成膜质量好。
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公开(公告)号：CN102831291B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210235777.7
申请日：2012-07-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种虚拟绘制中浅色扩散区墨浓度计算方法，属于虚拟绘制技术领域，扩散区分为深色扩散区和浅色扩散区，将浅色扩散区划分为宽度相等的圆环区，引入墨浓度衰变度参数，给出了浅色扩散区墨浓度计算方法，包括计算深色扩散区墨浓度、计算浅色扩散区墨浓度衰变度、计算浅色扩散区墨浓度等步骤，从而得到浅色扩散区某个圆环区的墨浓度。该方法揭示了浅色扩散区墨浓度变化规律，克服了现有虚绘制方法中浅色扩散区墨浓度呈现均匀分布的局限，增强了虚拟绘制中水墨扩散仿真效果。
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