公开(公告)号：CN114597187B

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202210108676.7

申请日：2022-01-28

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 赵宁 ,  赖彦青

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  B23K35/28 ,  B23K1/19 ,  B23K1/012 ,  C22C13/00

Abstract: 本发明提供一种Cu‑Sn基金属间化合物焊点及其制备方法，涉及3D封装芯片堆叠互连制造和高功率器件封装制造。选用Cu‑xNi合金为第一金属基体，纯Cu或Cu‑xNi合金为第二金属基体，纯Sn或Sn基钎料作为中间钎料层，构成Cu‑xNi/钎料/Cu或Cu‑xNi/钎料/Cu‑xNi结构组合体，随后将上述组合体在一定温度条件下进行钎焊回流反应，使钎料全部反应完并转化为以(Cu,Ni)6Sn5为主体的金属间化合物焊点，(Cu,Ni)6Sn5晶粒细小，晶粒取向杂乱、随机，且热稳定性良好。本发明具有成本低廉、工艺流程简单、与现有技术设备兼容性好，显著缩短键合时间等优点。

公开(公告)号：CN114597187A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210108676.7

申请日：2022-01-28

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 赵宁 ,  赖彦青

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  B23K35/28 ,  B23K1/19 ,  B23K1/012 ,  C22C13/00

Abstract: 本发明提供一种Cu‑Sn基金属间化合物焊点及其制备方法，涉及3D封装芯片堆叠互连制造和高功率器件封装制造。选用Cu‑xNi合金为第一金属基体，纯Cu或Cu‑xNi合金为第二金属基体，纯Sn或Sn基钎料作为中间钎料层，构成Cu‑xNi/钎料/Cu或Cu‑xNi/钎料/Cu‑xNi结构组合体，随后将上述组合体在一定温度条件下进行钎焊回流反应，使钎料全部反应完并转化为以(Cu,Ni)6Sn5为主体的金属间化合物焊点，(Cu,Ni)6Sn5晶粒细小，晶粒取向杂乱、随机，且热稳定性良好。本发明具有成本低廉、工艺流程简单、与现有技术设备兼容性好，显著缩短键合时间等优点。