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公开(公告)号：CN101777660B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010105579.X
申请日：2010-02-04
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02E60/527 , Y02P70/56
Abstract: 本发明属于再生能源技术领域，具体公开了一种微生物燃料电池。该微生物燃料电池包括一个腔体以及包含在所述腔体内依次排列的阴极、质子交换膜、阳极和多孔膜。该微生物燃料电池利用微生物对血糖的催化进行分解，在分解过程中产生二氧化碳和水，并且通过微生物转移氧化还原反应中的电子，从而实现化学能向电能的转变，同时，该微生物燃料电池可以制作微型电池，使其能够安置在人体体内，利用人体自身产生的化学物质进行发电。本发明具有成本低、寿命长、结构简单和作为体内电子装置供电设备无需更换供电电池的优点。
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公开(公告)号：CN102507875A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110351191.2
申请日：2011-11-09
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种快速无损测量石墨烯薄膜厚度与能隙的方法。本发明首先利用椭圆偏振技术得到薄膜的椭偏数据；然后根据所测薄膜的结构建立合适的理论模型，对得到的椭偏数据进行分析和拟合，得到所测石墨烯薄膜的厚度与能带结构。本发明大大简化了以往超薄薄膜厚度测试的复杂性、降低了利用其它技术工艺实施的困难程度，在22纳米后大规模集成电路制造中具有重要应用价值。
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公开(公告)号：CN102403367A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110397385.6
申请日：2011-12-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/94 , H01L21/334
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种高迁移率MOS电容及其制作方法。本发明提出的MOS电容结构依次为迁移率衬底、三甲基铝钝化层、HfO2栅介质层和电极。其制作方法包括：清洗高迁移率衬底，衬底表面形成三甲基铝钝化层，ALD淀积HfO2栅介质，制作电极。本发明中的三甲基铝钝化层可以减小衬底表面的残余氧化物含量从而减小与栅介质材料的界面态密度，改善界面特性。所淀积的HfO2介质层具有薄膜厚度的精确控制性，优异的保形性，良好的界面控制能力，极好的大面积均匀性，因此可大大提高MOS电容的电学特性，从而提高MOS晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN101819975B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010162453.6
申请日：2010-04-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体本发明公开了一种半导体器件，它包括一个N型隧穿晶体管和一个P型MOS晶体管。对于N型隧穿晶体管，采用垂直沟道双栅结构；对于P型MOS晶体管，采用凹陷沟道结构。本发明还公开了上述半导体器件的制造方法。本发明制造的半导体器件具有低漏电流、高驱动电流等优点，采用本发明的集成电路大大降低了芯片功耗。
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公开(公告)号：CN102244102A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110177163.3
申请日：2011-06-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于量子效应器件技术领域，具体涉及一种基于电子隧穿的围栅型栅控金属-绝缘体器件。本发明包括：半导体衬底，所述半导体衬底之上的源极、漏极、隧穿绝缘体层、金属层；所述金属层、隧穿绝缘体层与所述半导体衬底构成一个MIS结构；还包括一栅绝缘体层和栅绝缘体层之上围绕所述MIS结构一周的栅极。本发明采用平台工艺制作了基于量子隧穿效应的栅控金属-绝缘体器件，采用围栅型栅极对器件进行控制，增强了栅极的控制能力，同时，通过对围栅型栅控金属-绝缘体器件施加合适的偏压，可以控制其隧穿效率，将漏电流减小到远远小于普通二极管的程度,降低了芯片功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102142369A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110000957.2
申请日：2011-01-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/334 , H01L21/283 , H01L21/265
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种改善SiC器件性能的方法。在生长栅介质层之前，先在PEALD反应腔中用氧等离子处理或者用UV灯照射的方法对SiC表面进行钝化处理，可以有效抑制C簇的形成，降低SiC界面态密度，提高SiC器件的性能。采用原子层淀积技术生长高k栅介质，可以精确地控制栅介质层的厚度，得到高保形性高质量的栅介质层，减小栅介质层上所承受的电场强度，提高栅介质层的工作寿命，保证器件工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN102104110A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010545180.3
申请日：2010-11-16
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于非挥发存储器技术领域，具体涉及一种阻变特性优化的阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器采用原子层淀积方法生长的氧化铪与氧化铝薄膜作为功能层。并通过调节氧化铪与氧化铝薄膜不同厚度比例，以达到阻变特性最优化。其步骤是用原子层淀积方法在底电极上生长固定厚度的氧化铪薄膜，再生长不同厚度的氧化铝薄膜，得到具有不同特性的阻变存储器。本发明采用单原子级淀积生长技术，可以精确控制阻变存储器器件制备的准确度，提高工艺的精度，减少热预算。
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公开(公告)号：CN102104027A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010592833.3
申请日：2010-12-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/84 , H01L21/265
Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体涉及一种在单块芯片上集成碰撞电离场效应晶体管（IMOS）与隧穿场效应晶体管（TFET）的制造方法，其中通过控制第三次离子注入的剂量，不仅可以制造出相同沟道类型的TFET和与IMOS，还可以制造出不同沟道类型的TFET与IMOS直接构成反相器结构。本发明所提出的在单块芯片上集成IMOS器件和TFET器件的制造方法，不仅可以用于高速高性能集成电路制造，还可以用于低功耗集成电路制造；而且由于是在单块芯片上同时制造，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN102097477A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010588482.9
申请日：2010-12-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明属于10纳米以下的半导体器件技术领域，具体涉及一种带栅极的金属-绝缘体-半导体（MIS）及金属-绝缘体-金属（MIM）器件。本发明通过在MIM或者MIS器件的侧壁上施加栅极电压来调控电场，以此调节MIM或者MIS结构中的FN隧穿电流，进而控制器件的关断与开启。本发明所提出的带栅极的MIM及MIS器件的沟道可以做的非常短，而且能够达到很低的漏电流，且功耗低，非常适用于集成电路的后端工艺及各种芯片的制造。
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公开(公告)号：CN102054690A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010552635.4
申请日：2010-11-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/331 , H01L21/60
CPC classification number: H01L29/66333 , H01L21/76275 , H01L29/41741
Abstract: 本发明属于高压大功率器件技术领域，具体为一种用于制造大功率器件的半导体衬底的制造方法。该方法先对区熔硅片的正面进行离子注入，然后采用耐高温金属作为中间媒介将倒扣后的区熔硅片和高掺杂直拉硅片进行键合形成半导体衬底。键合后，区熔硅片用于制备IGBT器件，高掺杂直拉硅片作为低阻的背部接触，可以减少区熔硅片的用量，降低生产成本。同时，键合后不再需要进行背部的金属化工序，简化了加工制程，提高了生产良率。
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