公开(公告)号：CN100573800C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200710043463.6

申请日：2007-07-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁训民 ,  王希祖 ,  高歆栋 ,  侯晓远

IPC: H01J37/00 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明属于高真空技术领域，具体为一种杆状探针式直流低压气体激活装置。该装置由杆状金属探针、可外接电极的标准真空接口和两端都为标准真空接口的移动支架组成。金属探针焊接固定于移动支架一端的真空接口，另一端进入真空腔，移动支架另一端的标准接口与真空系统连接。本发明装置能精确调控其顶端与样品间距，适用于在高真空和超高真空系统中电离激活O2、H2等气体分子，实现对各种半导体、金属和氧化物电极材料的激活气体原位表面改性处理。该装置能在几伏到几十伏的直流低电压下实现局域高电场，从而导致周围气体离化，对真空系统中的其他工作部件不产生干扰和影响。

公开(公告)号：CN101093777A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710043463.6

申请日：2007-07-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁训民 ,  王希祖 ,  高歆栋 ,  侯晓远

IPC: H01J37/00 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明属于高真空技术领域，具体为一种杆状探针式直流低压气体激活装置。该装置由杆状金属探针、可外接电极的标准真空接口和两端都为标准真空接口的移动支架组成。金属探针焊接固定于移动支架一端的真空接口，另一端进入真空腔，移动支架另一端的标准接口与真空系统连接。本发明装置能精确调控其顶端与样品间距，适用于在高真空和超高真空系统中电离激活O2、H2等气体分子，实现对各种半导体、金属和氧化物电极材料的激活气体原位表面改性处理。该装置能在几伏到几十伏的直流低电压下实现局域高电场，从而导致周围气体离化，对真空系统中的其他工作部件不产生干扰和影响。

公开(公告)号：CN1645643A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510023306.X

申请日：2005-01-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  王子君 ,  丁训民

IPC: H01L51/40 ,  H05B33/10

Abstract: 一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法，一般都是通过选择不同的电极与有机半导体的接触，来调控和影响这两个基本过程，即影响电子或空穴的注入速率和相对比例，从而影响电致发光器件的发光效率以及复合发光的区域位置。本发明在有机半导体的薄区域1－10nm进行铝掺杂，掺杂浓度是铝对有机分子的摩尔比为0.1∶1－10∶1。由于铝掺杂，器件的发光与否可用于灵敏探测空穴是否被完全阻挡住。有机电致发光来源于电子和空穴在发光区域的复合，当在发光区域外的空穴传输区域一侧(远离发光位置，以排除金属猝灭的影响)的一个薄区域进行铝掺杂后器件不出现电致发光，说明空穴在铝掺杂区域被完全阻挡住了，实验表明在不同的有机半导体材料NPB和Alq中，进行铝掺杂都可以完全阻挡空穴的传输。

公开(公告)号：CN1436879A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN03115547.2

申请日：2003-02-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  范洪雷 ,  柳毅 ,  熊祖洪 ,  丁训民

IPC: C25F3/12

Abstract: 一种采用脉冲电化学腐蚀制备发光多孔硅材料的方法。传统的多孔硅电化学制备方法是采用直流电流腐蚀的方法。在腐蚀过程中，电化学反应主要集中在多孔硅硅孔的底部，反应生成的化学产物容易沉积在硅孔中，阻止反应的进一步进行，导致直流腐蚀方法制备的多孔硅材料有表面硅孔孔径比较大，分布不均匀，界面不平整，腐蚀效率不高等缺点。而且以这种方法制备的多孔硅材料光学特性不够好。本发明利用脉冲的特性，把脉冲电流引入多孔硅电化学腐蚀，即在腐蚀一定时间以后让腐蚀电流停止一段时间，这样可以让反应产物有时间从硅孔中扩散出来。脉冲腐蚀法得到的多孔硅材料无论是表面界面结构还是光学特性都得到了极大的提高。

公开(公告)号：CN1117400C

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN00116785.5

申请日：2000-06-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  何钧 ,  何劲 ,  张松涛 ,  钟高余 ,  熊祖洪 ,  邓振波 ,  吕明 ,  丁训民 ,  廖良生

IPC: H01L33/00 ,  H05B33/04

Abstract: 一种利用普通玻璃腐蚀后封装有机电致发光器件的简便有效的方法。以往的封装都是利用塑料封装，或者把玻璃裁成细条围成一个框形进行封装，工艺麻烦而且密封性不够好导致封装效果不是特别好。本发明将普通玻璃经过处理后和器件粘合在一起，在器件和玻璃之间留有很小的空间。用这种方法封装的器件寿命大大提高，能双面透光，特别适合于透明电极的器件，而且中间留有的空间很小，水汽、氧气等的含量会很小。

公开(公告)号：CN1275814A

公开(公告)日：2000-12-06

申请号：CN00116785.5

申请日：2000-06-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  何钧 ,  何劲 ,  张松涛 ,  钟高余 ,  熊祖洪 ,  邓振波 ,  吕明 ,  丁训民 ,  廖良生

IPC: H01L33/00 ,  H05B33/04

Abstract: 一种利用普通玻璃腐蚀后封装有机电致发器件的简便有效的方法。以往的封装都是利用塑料封装,或者把玻璃裁成细条围成一个框形进行封装,工艺麻烦而且密封性不够好导致封装效果不是特别好。本发明将普通玻璃经过处理后和器件粘合在一起,在器件和玻璃之间留有很小的空间。用这种方法封装的器件寿命大大提高,能双面透光,特别适合于透明电极的器件,而且中间留有的空间很小,水汽、氧气等的含量会很小。

公开(公告)号：CN1048356C

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN96116401.8

申请日：1996-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  陈溪滢 ,  曹先安 ,  朱炜 ,  李喆深 ,  丁训民 ,  王迅

IPC: H01L21/314

Abstract: 一种用微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面进行自体生长钝化膜的方法。以往溶液钝化方法在GaAs表面产生的钝化膜很薄，在大气中存放会被重新氧化而失去钝化效果。本发明先将GaAs单晶片进行常规方式清洗，氮气吹干后放入S2Cl2溶液中预处理。送入真空腔体后，微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面自体生长钝化膜。用此种方法制成的Al/GaS/GaAs(MIS)结构，得到GaS薄膜的绝缘性能相当好。

公开(公告)号：CN2569503Y

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN02260216.X

申请日：2002-09-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  钟高余 ,  徐正 ,  张松涛 ,  熊祖洪 ,  史华忠 ,  丁训民

IPC: H05B33/10

Abstract: 本实用新型是一种利用辐射热蒸发有机材料的束源。以往的热蒸发束源利用热传导加热材料、直接通电流加热蒸发材料和以电子束直接加热蒸发材料等多种方式。这些结构的束源一般制作工艺较为复杂，所用材料昂贵且安装使用不便。本实用新型将一种普通卤钨灯经处理后用于蒸发有机发光材料和少量低熔点金属，使用非常方便，工作效率高，便宜实用。

公开(公告)号：CN2434310Y

公开(公告)日：2001-06-13

申请号：CN00218166.5

申请日：2000-06-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  吕明 ,  何钧 ,  廖良生 ,  邓振波 ,  周翔 ,  熊祖洪 ,  钟高余 ,  张松涛 ,  何劲

IPC: C23C14/00

Abstract: 本实用新型是一种真空镀膜系统中使用的晶体振荡器探头支撑结构,由探头托和探头架组成。现有技术的探头固定在真空系统中,要更换晶体振荡片时需要打开真空系统,十分不便。本实用新型把晶体振荡器固定在探头托上,从探头托引出引线柱,将探头托置于探头架时,引线柱与探头架上引线接头接触,接头与监测器联接。探头托用叉子可方便地从探头架上取下替换,通过样品传递杆传递探头,结构简单,操作方便。

公开(公告)号：CN218977194U

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202222764333.4

申请日：2022-10-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 衣睿宸 ,  朱春琴 ,  朱光瑞 ,  侯晓远

IPC: H10K71/00 ,  H10K50/844 ,  H01S5/028 ,  H01S5/34

Abstract: 本公开涉及用于使用聚对二甲苯原位封装胶体量子点光电器件的系统。该系统包括用于制备胶体量子点光电器件的处于惰性气体氛围的手套箱、与手套箱经由阀门连接的沉积室、与沉积室连接的第一真空泵系统、以及分别与手套箱和沉积室连接的惰性气体源。沉积室包括设置在沉积室中并被配置为放置从手套箱传送进入沉积室的胶体量子点光电器件的样品托，在沉积室中围绕样品托设置并在面向手套箱一侧设有开口以允许胶体量子点光电器件穿过开口进出样品托的筒状冷阱，以及被配置为向放置在样品托内的胶体量子点光电器件沉积聚对二甲苯膜的聚对二甲苯裂解源。