公开(公告)号：CN1053063C

公开(公告)日：2000-05-31

申请号：CN94112024.4

申请日：1994-01-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  李喆深 ,  蔡卫中 ,  王为 ,  丁训民 ,  董国胜 ,  王迅

IPC: H01L21/31

Abstract: 一种用氯化硫钝化Ⅲ－Ⅴ族半导体材料及器件表面的方法，已有的钝化方法时间长而且要控制温度。本发明用氯化硫处理Ⅲ－Ⅴ族半导体材料及器件，只需将半导体预清洗后，室温下将其放入氯化硫溶液中数秒至几十秒钟，取出用无水有机溶剂、丙酮、水冲洗，氮气吹干即可，本方法室温即可，条件简单，处理时间快，工艺简捷，可作为Ⅲ－Ⅴ族半导体，如GaAs、InP、InSb等半导体材料或器件的表面钝化技术。

公开(公告)号：CN1048355C

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN96116400.X

申请日：1996-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 曹先安 ,  陈溪滢 ,  李喆深 ,  丁训民 ,  侯晓远 ,  王迅

IPC: H01L21/314

Abstract: 一种砷化镓表面钝化保护膜的制备方法。现有的砷化镓材料及其器件硫钝化后，虽然提高了其性能，但是在光、氧存在下易退化失效。本发明用硫镓化合物为束源，真空淀积钝化过的砷化镓及其器件，形成钝化后的保护膜，方便简便，效果良好，使长期稳定钝化效果的关键问题得以解决。

公开(公告)号：CN1048356C

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN96116401.8

申请日：1996-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  陈溪滢 ,  曹先安 ,  朱炜 ,  李喆深 ,  丁训民 ,  王迅

IPC: H01L21/314

Abstract: 一种用微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面进行自体生长钝化膜的方法。以往溶液钝化方法在GaAs表面产生的钝化膜很薄，在大气中存放会被重新氧化而失去钝化效果。本发明先将GaAs单晶片进行常规方式清洗，氮气吹干后放入S2Cl2溶液中预处理。送入真空腔体后，微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面自体生长钝化膜。用此种方法制成的Al/GaS/GaAs(MIS)结构，得到GaS薄膜的绝缘性能相当好。

公开(公告)号：CN1146632A

公开(公告)日：1997-04-02

申请号：CN96116401.8

申请日：1996-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  陈溪滢 ,  曹先安 ,  朱炜 ,  李喆深 ,  丁训民 ,  王迅

IPC: H01L21/314

Abstract: 一种用微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面进行自体生长钝化膜的方法。以往溶液钝化方法在GaAs表面产生的钝化膜很薄，在大气中存放会被重新氧化而失去钝化效果。本发明先将GaAs单晶片进行常规方式清洗，氮气吹干后放入S2Cl2溶液中预处理。送入真空腔体后，微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面自体生长钝化膜。用此种方法制成的Al/GaS/GaAs(MIS)结构，得到GaS薄膜的绝缘性能相当好。

公开(公告)号：CN1146631A

公开(公告)日：1997-04-02

申请号：CN96116400.X

申请日：1996-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 曹先安 ,  陈溪滢 ,  李喆深 ,  丁训民 ,  侯晓远 ,  王迅

IPC: H01L21/314

Abstract: 一种砷化镓表面钝化保护膜的制备方法。现有的砷化镓材料及其器件硫钝化后，虽然提高了其性能，但是在光、氧存在下易退化失效。本发明用硫镓化合物为束源，真空淀积钝化过的砷化镓及其器件，形成钝化后的保护膜，方便简便，效果良好，使长期稳定钝化效果的关键问题得以解决。

公开(公告)号：CN1105780A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：CN94112024.4

申请日：1994-01-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  李喆深 ,  蔡卫中 ,  王为 ,  丁训民 ,  董国胜 ,  王迅

IPC: H01L21/30

Abstract: 一种用氯化硫钝化III-V族半导体材料及器件表面的方法，已有的钝化方法时间长而且要控制温度，本发明用氯化硫处理III-V族半导体材料及器件，只需将半导体预清洗后，室温下将其放入氯化硫溶液中数秒至几十秒钟，取出用无水有机溶剂、丙酮、水冲洗，氮气吹干即可，本方法室温即可，条件简单，处理时间快，工艺简捷，可作为III-V族半导体，如GaAs、InP、InSb等半导体材料或器件的表面钝化技术。